公开(公告)号：CN100481541C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580013382.0

申请日：2005-04-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 池田均 ,  铃木金吾 ,  中村秋夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明是对具有发光层部24、以及以结晶方位与该发光层部24一致的方式做积层的GaP透明半导体层20，90而成的发光元件晶圆，以GaP透明半导体层的侧面成为{100}面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，以与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层6、活性层5以及第二导电型包覆层4，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为(100)面。藉此提供一种在具有AlGaInP发光层部与GaP透明半导体层的发光元件中，进行切割时不易产生边缘裂片等不良的制造方法。

公开(公告)号：CN100454552C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN02802464.8

申请日：2002-07-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  富泽进一 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种贴合晶片的制造方法，通过离子注入剥离法制造贴合晶片，该离子注入剥离法至少具有下列工序，即，将具有通过气体离子注入形成了微小气泡层的结合晶片与作为支持基板的基晶片进行接合的工序、及以上述微小气泡层为界剥离结合晶片从而在基晶片上形成薄膜的工序；其特征是：在剥离前述结合晶片后的贴合晶片上，在惰性气体、氢气、或这些气体的混合气体环境下施行热处理，然后对该贴合晶片施行热氧化，在前述薄膜表面形成热氧化膜，且除去该热氧化膜，由此减少前述薄膜的厚度。由此提供一种贴合晶片的制造方法，能在维持利用离子注入剥离法制造的贴合晶片的薄膜的膜厚均一性的同时，确实除去表面的损伤或缺陷，且能充分适用于量产技术。

公开(公告)号：CN100438088C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN02811083.8

申请日：2002-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/365 ,  C23C16/30

CPC classification number: C30B25/183 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  C30B25/105 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0083

Abstract: 当采用有机金属汽相生长法生长p型MgxZn1-xO时，在生长期间和/或完成生长以后，在含氧气氛中对MgxZn1-xO进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原子层外延(exitaxy)形成具有x轴取向沿层的厚度方向的MgxZn1-xO缓冲层时，首先生长金属单原子层。再有，采用主要由含有Se或Te的ZnO的半导体材料，来形成ZnO半导体有源层。采用这些技术形成发光元件。

公开(公告)号：CN101271870A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810095543.0

申请日：2004-05-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 保科祐章 ,  田中纪通

IPC: H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种硅外延片，具有单晶硅基片，形成于该单晶硅基片的背面的硅氧化膜，以及形成于上述单晶硅基片的主表面上的硅外延层，其特征是，从上述单晶硅基片的上述背面延续到该单晶硅基片的外周部的至少最外缘的外周氧化膜，仅存在于上述外周部的局部上。

公开(公告)号：CN100421270C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200510053612.8

申请日：2005-03-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  池田淳 ,  山田雅人

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件，其在发光层部通过反射用金属层将补强用导电基板贴合，既容易制造，又可良好地维持金属层所形成的反射面的反射率。发光元件具有化合物半导体层，该层具有发光层部及形成于该发光层部的第一主表面上的电流扩散层。该化合物半导体层的第二主表面，是通过反射金属层结合于构成导电性元件基板的Si基板的第一主表面上。反射金属层10是由以Au、Ag、或Al之任一作为主成分的金属构成。反射金属层与Si基板通过导电性粘着材层11贴合，该导电性粘着材层11是将以Au、Al、Cu、或Ni为主成分的金属粒子，以环氧系高分子材料、氨基甲酸系高分子材料或丙烯酸系高分子材料等构成的高分子结合材料结合而构成。

公开(公告)号：CN100403543C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN02824295.5

申请日：2002-11-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三谷清 ,  出水清史 ,  横川功 ,  大见忠弘 ,  须川成利

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。

公开(公告)号：CN100365774C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN03809715.X

申请日：2003-04-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 木田隆广 ,  宫崎诚一 ,  西村和彦 ,  林伸之 ,  新井克典

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  B24B9/065 ,  B24B37/042 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30604 ,  Y10S438/928

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法及晶片外周部没有环状的塌边的晶片。本发明具有按照镜面研磨至原料晶片的背面的倒角部边界的面内侧的一部分的方式进行背面部分研磨及镜面倒角的背面部分研磨镜面倒角工序、支撑进行了背面部分研磨及镜面倒角的晶片的背面并对该晶片的表面进行镜面研磨的表面研磨工序。由此，在对进行了碱性蚀刻的晶片进行研磨时，不会在晶片外周部产生环状的塌边。

公开(公告)号：CN100346926C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN01800519.5

申请日：2001-02-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 水岛一寿 ,  三浦仲寿 ,  关根靖弘 ,  铃木诚 ,  冨井和弥

IPC: B24B9/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  B24B9/065 ,  B24B51/00 ,  B24D5/14 ,  B24D9/04

Abstract: 在本发明的这种使用抛光布和抛光膏对晶片的周面倒角部分进行镜面精加工的抛光方法中，为了通过减少抛光时间而提高抛光作业的生产率，采用了依次进行的至少包括两个抛光工序的多个工序。该抛光方法包括对晶片周面倒角部分上与晶体平面(110)相应的部分进行抛光的第一抛光工序，以及对晶片的整个周面倒角部分进行抛光的第二抛光工序。在第二抛光工序中使用的抛光布其硬度低于第一抛光工序的抛光布硬度，并在第二抛光工序中使用的抛光膏其所含颗粒的尺寸，小于第一抛光工序的抛光膏的颗粒尺寸。通过改变抛光布的硬度值和/或抛光膏的颗粒尺寸，使抛光度得以改变。

公开(公告)号：CN100343961C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN02816567.5

申请日：2002-08-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  玉正郎 ,  名古屋孝俊 ,  曲伟峰

IPC: H01L21/322

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对以拉晶(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。

公开(公告)号：CN1323196C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN03808958.0

申请日：2003-04-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 布施川泉 ,  大国祯之 ,  三田村伸晃 ,  太田友彦 ,  胜冈信生

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/36

CPC classification number: C30B15/22 ,  C30B15/36 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032

Abstract: 本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在±5℃以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提高以无位错育成单晶的成功率的同时，即使是结晶方向为(110)的单晶硅的育成，也可以育成固定直径部直径超过200mm的大直径高重量的单晶硅。