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公开(公告)号：CN113337887B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110607629.2
申请日：2021-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN113224212B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110520622.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种多色堆叠台阶式背出光Micro‑LED显示器件，其结构包括：一蓝光LED外延片；若干组发出不同颜色光的InGaN多量子阱结构；在每个多量子阱上下均形成p‑n结；所述Micro‑LED显示器件刻蚀成台阶结构，每级台阶发出不同颜色的光，在每级台阶上形成n/p型GaN电极接触层，使得上下相邻两组多量子阱共用一个n/p型GaN电极接触层，并键合驱动电路，使得驱动电路实现对每级台阶的单独控制。本发明选择在MOCVD生长的蓝光LED外延片上用MBE二次外延绿光和红光多量子阱结构，可以在不破坏已有蓝光LED结构的情况下，实现RGB三色发光。MBE生长的p型层也不需要高温退火激活处理。
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公开(公告)号：CN114849485A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210546270.7
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲水压响应的普适性自主抗膜污染方法，在膜分离过程中，通过周期性地改变跨膜压差，刺激压电滤膜产生电荷，实现膜分离过程和抗膜污染过程的耦合。本发明技术方案集膜污染预防与控制为一体，不借助其它供电设备(特别区别于已有的通过外加电压刺激压电滤膜材料原位振动抗膜污染)、不使用水处理药剂和反冲洗常规抗膜污染手段，仅依靠废水膜分离过程中周期性变化的跨膜压差刺激压电滤膜材料产生电荷，通过原位生成的氧化自由基、静电排斥和介电泳力多重作用，即可预防多重膜污染。在周期性变压运行模式下，膜污染得到显著控制，膜通量较恒压运行方式显著提高，该技术方案可在废水膜分离抗污染领域具有良好的普适性应用前景。
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公开(公告)号：CN114597299A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210255429.X
申请日：2022-03-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法。所述倒装深紫外LED芯片包括外延层、第一接触层、第二接触层和第一金属反射电极，所述外延层包括依次叠层设置的n型半导体层、有源层、第一p型半导体层和第二p型半导体层，所述第一p型半导体层的表面部分区域被所述第二p型半导体层覆盖，所述第二接触层与所述第二p型半导体层电性接触，所述第一接触层与所述n型半导体层电性接触；所述第一金属反射电极覆设在所述第一p型半导体层、第二p型半导体层和第二接触层上。本发明在第一p型半导体层和第二p型半导体上覆盖高反射的第一金属反射电极来增加p侧反射出光，且使该倒装深紫外LED芯片具有高的出光效率。
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公开(公告)号：CN110112172B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910428357.2
申请日：2019-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓纳米孔阵列/量子点混合结构的全色微米LED显示芯片。在硅基片的GaN蓝光LED外延层上，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式矩形台面结构，每个矩形台面结构构成一个RGB像素单元。在每个矩形像素单元中，都包含三块红光、绿光和蓝光矩形亚像素区域，相邻亚像素区域之间由隔离槽隔开。每个亚像素区域中设纳米孔阵列结构，并填充红色和绿色量子点，通过量子点颜色转换实现全色显示。还公开了其制备方法。该器件利用纳米孔结构提高量子点的稳定性与寿命，同时利用量子点间的能量共振转移，有效提高其内量子效率与色转换效率，能够实现高分辨、高色域、高对比度的全色显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112259446A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011129338.9
申请日：2020-10-21
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高效制备氮化镓衬底的方法，其特征在于：在硅衬底正反两面上用卤化物气相外延法生长氮化镓厚膜，控制生长条件，使双面氮化镓厚膜的厚度基本相同，酸或碱溶液腐蚀去除硅衬底，可以得到两片氮化镓厚膜衬底。本发明提出了利用硅衬底正反双面同时外延GaN厚膜，控制生长条件使得两面外延的氮化镓厚度相等或相近、分布均匀，这样两面外延的氮化镓对于硅衬底的应力减弱或相互抵消，从而得到高质量低应力GaN厚膜的方法。生长完成后的样品在碱溶液或酸溶液中进行腐蚀即可得到2片氮化镓衬底。
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公开(公告)号：CN112239889A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011129343.X
申请日：2020-10-21
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化物气相外延生长系统的气路系统，包括第一HCl导管，N2导管和NH3导管，第一HCl导管通到镓舟处，还包括第二HCl导管，通到接近镓舟区域出口处的位置。并公开了含有该气路系统的卤化物气相外延生长系统，以及减缓卤化物气相外延生长系统中管壁沉积氮化镓的方法。在镓舟区域增加一路HCl到接近出口处，与低温区反应后的GaCl混合，再进行输运，该HCl与GaCl混合气体通过出口处的石英管时，HCl会与管壁上预反应沉积的GaN发生腐蚀反应，减缓管壁沉积，从而不会因管内径缩小导致生长速率和均匀性大幅下降。腐蚀反应生成产物为GaCl，也会提高输运到衬底上方的反应物浓度，保持衬底上GaN生长的长时间高稳定速率，并且提高镓利用率。
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公开(公告)号：CN110335924B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910546752.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性、半极性面的可见光通信光源及相应的图形蓝宝石衬底，选取一蓝宝石衬底加工出光栅状条形图案；在刻蚀工艺中讲台阶侧壁的角度进行优化，优化下一步的生长面角度；在此图形化蓝宝石衬底设计阻挡层，采用氧化硅薄膜作为外延阻挡层；利用化学气相外延法依次生长GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层，并公开了其生长方法。本发明利用非/半极性面在Ⅲ族氮化物极化调控上的优势减弱量子限制斯托克效应的影响，增加电子‑空穴波函数在实空间上的交叠，提高载流子的辐射复合占比和速率，该方法适用于利用非极性、半极性面技术有效提高可见光通信性能。
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公开(公告)号：CN109037291B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810863787.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示及白光器件，其混合了无机与有机发光二极管器件来获得高效率、超高分辨率且主动式的Micro‑LED显示和照明光源。在具有p‑n结构的InxGa1‑xN/氮化镓量子阱蓝光LED外延片的N型氮化镓层上分别蒸镀红光、绿光或者黄光有机材料，依次包括电子传输层、发光层、激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层；在蒸镀其中一组材料时，利用遮挡掩膜将其他像素遮蔽。此技术结合了有机半导体材料和无机半导体材料，能够实现高效率、宽色域、功耗低、响应时间快的新型无机/有机半导体混合结构Micro‑LED器件阵列。
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公开(公告)号：CN111564540A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010428517.6
申请日：2020-05-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种一种高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列，在InGaN量子阱LED外延片上刻蚀形成蚀穿p型层、多量子阱层，深至n型层的纳米柱阵列，其特征在于：所述InGaN量子阱LED外延片分隔成四个区域，每个区域中的纳米柱阵列的直径一致，不同区域的纳米柱阵列的直径不同。并公开了其制备方法。本发明的高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列，在一个器件上划分成直径大小不同的四个区域，实现了不同直径和不同载流子寿命的微纳LED器件在同一衬底上的物理集成。器件自身的少数载流子寿命较小，响应速度更快，切换时间很短，因此可以作为响应时间短、刷新频率高的高速LED器件阵列。
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