公开(公告)号：CN1320599C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410100105.0

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区；在第一和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜；在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极，在第二半导体岛区之上形成第三栅电极，所述第一、第二和第三栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜；使用上述第一、第二以及第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第一杂质元素；使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第二杂质元素；和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。

公开(公告)号：CN119923964A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380067435.5

申请日：2023-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  土桥正佳 ,  肥塚纯一 ,  神长正美

IPC: H10D30/67 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H10K59/123 ,  H10K59/124 ,  H10D84/03 ,  H10D84/40 ,  H10D30/01

Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层。第一晶体管包括金属氧化物层及第一导电层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第二绝缘层设置在第一绝缘层上。第一绝缘层及第二绝缘层具有到达第一导电层的开口。金属氧化物层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二绝缘层的顶面及侧面接触。第一绝缘层包含氧。第二绝缘层包含氮。金属氧化物层具有与第二绝缘层接触且与第二晶体管的栅极、源极和漏极中的任一个接触的区域。

公开(公告)号：CN119072790A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380036133.1

申请日：2023-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  肥塚纯一 ,  井口贵弘

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H10K50/10 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种包括微细尺寸的晶体管的半导体装置。在半导体装置中，第二导电层包括与第一导电层的顶面接触的区域，第二导电层包括与第一导电层重叠的第一开口，第三导电层设置在第二导电层上，第三导电层包括与第一开口重叠的第二开口，第一绝缘层与第二导电层所包括的第一开口的侧壁接触，半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第三导电层的顶面接触，第二绝缘层设置在半导体层上，第四导电层设置在第二绝缘层上，第一绝缘层包括由第一开口的侧壁与半导体层夹持的区域，并且，半导体层包括由第一开口的侧壁与第四导电层夹持的区域。

公开(公告)号：CN112514079B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN201980050350.X

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  中泽安孝 ,  保本清治 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。

公开(公告)号：CN118743327A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380016772.1

申请日：2023-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H10K59/122 ,  G09F9/30 ,  H10K50/81 ,  H10K50/82

Abstract: 提供一种高清晰显示装置。显示装置包括晶体管、发光器件及第一绝缘层。晶体管包括半导体层、第一至第三导电层、第二及第三绝缘层。第二绝缘层设置在第一导电层上并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层设置在第二绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。半导体层与第一导电层的顶面、第二绝缘层的侧面、第二导电层的顶面及侧面接触。第三绝缘层设置在半导体层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第一绝缘层设置在晶体管上。第一及第三绝缘层包括到达第二导电层的第三开口。发光器件设置在第一绝缘层上并包括像素电极、公共电极及EL层。像素电极通过第三开口电连接于第二导电层。EL层具有与像素电极的顶面及侧面接触的区域。

公开(公告)号：CN110911419B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201910986729.3

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  黒崎大辅 ,  中田昌孝 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423

Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。

公开(公告)号：CN117476700A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310915208.5

申请日：2023-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大野正胜 ,  中田昌孝 ,  岛行德 ,  土桥正佳 ,  肥塚纯一 ,  神长正美

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/12 ,  H10K71/00

Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括依次层叠的第一导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层及第二导电层，还包括半导体层、第三导电层及第六绝缘层。半导体层与第一导电层的顶面、第一至第五绝缘层的侧面及第二导电层接触，第六绝缘层位于半导体层上，第三导电层位于第六绝缘层上且隔着第三导电层与半导体层之间的第六绝缘层与半导体层重叠，第一绝缘层具有其氢含量比第二绝缘高多的区域，第五绝缘层具有其氢含量比第四绝缘层高的区域，第三绝缘层包含氧。

公开(公告)号：CN110226219B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201880008351.3

申请日：2018-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H10K50/00 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 且在比第一温度低的第二温度下进行等离子体提供一种电特性良好的半导体装置。提供一 处理的第六工序；以及在第二绝缘层上形成包含种生产率高的半导体装置的制造方法。提供一种 硅和氮的第三绝缘层的第七工序。成品率高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的(56)对比文件US 2011003418 A1,2011.01.06US 2011263091 A1,2011.10.27US 2013137255 A1,2013.05.30US 2014206133 A1,2014.07.24US 2015340505 A1,2015.11.26US 2016225795 A1,2016.08.04US 2016284859 A1,2016.09.29

公开(公告)号：CN117116946A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310860817.5

申请日：2018-05-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  中泽安孝 ,  生内俊光

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H10N97/00 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35

Abstract: 本发明提供一种电特性良好的半导体装置、一种电特性稳定的半导体装置、或者一种可靠性高的半导体装置或显示装置。在第一金属氧化物层的第一区域上层叠第一绝缘层及第一导电层，以与第一金属氧化物层的不重叠于第一绝缘层的第二区域以及第二金属氧化物层接触的方式形成第一层，进行加热处理以使第二区域及第二金属氧化物层低电阻化，形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成与第二区域电连接的第二导电层。此时，以使其包含铝、钛、钽和钨中的至少一种的方式形成第一层。

公开(公告)号：CN107683531B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201680029379.6

申请日：2016-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34

Abstract: 提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。