公开(公告)号：CN106129204A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610627269.1

申请日：2016-08-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  张国刚 ,  刘斌 ,  任芳芳 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  郭旭 ,  葛海雄 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  陆海 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。

公开(公告)号：CN103094434B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210492605.8

申请日：2012-11-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  智婷 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  万图图 ,  叶展圻 ,  刘斌 ,  修向前 ,  李毅 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法，包括以下步骤：取一衬底，衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓；在衬底依次外延生长GaN缓冲层，n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基片；量子阱层整个厚度约50nm-200nm，周期数为2-10；在GaN基片上采用PVD进行蒸镀金属层；对蒸镀生长金属层的基片进行高温退火；利用ICP刻蚀工艺，刻蚀GaN基片直至n型GaN层或部分n型GaN层；形成InGaN/GaN纳米柱。

公开(公告)号：CN104868023A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510237489.9

申请日：2015-05-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  张荣 ,  庄喆 ,  谢自力 ,  葛海雄 ,  郭旭 ,  陈鹏 ,  陈敦军 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/005

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II-VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II-VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。

公开(公告)号：CN102420277B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110360361.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  张荣 ,  李烨操 ,  谢自力 ,  方贺男 ,  庄喆 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  顾书林 ,  韩平 ,  郑有炓 ,  托马斯·科奇

IPC: H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。

公开(公告)号：CN103094434A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210492605.8

申请日：2012-11-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  智婷 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  万图图 ,  叶展圻 ,  刘斌 ,  修向前 ,  李毅 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法，包括以下步骤：取一衬底，衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓；在衬底依次外延生长GaN缓冲层，n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基片；量子阱层整个厚度约50nm-200nm，周期数为2-10；在GaN基片上采用PVD进行蒸镀金属层；对蒸镀生长金属层的基片进行高温退火；利用ICP刻蚀工艺，刻蚀GaN基片直至n型GaN层或部分n型GaN层；形成InGaN/GaN纳米柱。

公开(公告)号：CN102903886A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210287527.8

申请日：2012-08-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  智婷 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  于治国 ,  刘斌 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  李毅 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01M4/04 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01M4/0471 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0431 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/42

Abstract: 利用干法腐蚀去除电池极片毛刺的方法，利用电感线圈将反应气体离子化，使得离子化后的反应粒子在DC偏压下轰击电池极片毛刺表面，使电池极片工件边缘的毛刺在物理轰击效果下被消除，从而达到消除因工件加工带来的边缘毛刺。所使用的设备是电感耦合等离子体刻蚀仪（简称ICP）。本发明能完全去除电池极片上的毛刺，从而可以有效避免电池极片在卷绕过程中刺破隔膜而引起电池短路的现象发生。

公开(公告)号：CN102304738A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110206604.8

申请日：2011-07-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 邹志刚 ,  罗文俊 ,  李朝升 ,  李明雪 ,  刘斌 ,  陈敦军 ,  于涛 ,  谢自力 ,  张荣

IPC: C25D11/02 ,  C25B11/04

Abstract: 本发明涉及铟镓氮基光电极的表面处理方法，可大幅提高其IPCE：把InxGa1-xN光电极作为阳极，浸在0.1～5M HCl水溶液中，在无光照条件下从0V到5V用循环伏安法扫描至少1个循环，其中0＜x＜1。作为优选方案，所述InxGa1-xN光电极表面InxGa1-xN的厚度不小于250nm，更优选为250-1500nm。本发明处理方法简单、高效，设备简单，易于大规模使用，表面处理后光电极量子转换效率大幅提高。

公开(公告)号：CN101315881B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810124323.6

申请日：2008-06-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  严文生 ,  修向前 ,  韩平 ,  陈鹏 ,  陆海 ,  赵红 ,  刘斌 ,  李弋 ,  宋黎红 ,  崔颖超 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247 ,  C23C14/28

Abstract: LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜；控制生长腔的真空在10-3Torr以上；将衬底温度升至300-900度，然后向腔内通入高纯氧，氧压控制在5-90帕；调整激光器频率设置为5Hz，能量为300mJ，并预先将激光预溅射靶材3-5分钟，清洁衬底表面的污染；最后，将脉冲激光聚焦于靶材上，打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。

公开(公告)号：CN101714604A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910212663.9

申请日：2009-11-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  谢自力 ,  刘斌 ,  修向前 ,  华雪梅 ,  赵红 ,  傅德颐 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/08

Abstract: 宽光谱白光LED结构，蓝宝石衬底或硅衬底上具有GaN缓冲层、厚度在50-2000nm以上的GaN支撑层，厚度为20-1000nm的N型GaN，浓度为5*1018cm-1；在N型GaN是依次生长蓝光波长量子阱材料，蓝绿或绿光量子阱材料和红黄光或红光量子阱材料；蓝光量子阱是厚度分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱结构，x在0.1到0.18之间；绿光量子阱是厚度分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱结构，x在0.18到0.32；红黄光或红光量子阱分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的In xGa1-xN/GaN多量子阱结构，其中x在0.32以上。本发明得到一种三色GaN基白光LED结构。

公开(公告)号：CN100533667C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200810124346.7

申请日：2008-06-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  崔旭高 ,  陶志阔 ,  修向前 ,  韩平 ,  陈鹏 ,  赵红 ,  刘斌 ,  李弋 ,  宋黎红 ,  崔颖超 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/205 ,  H01F41/22

Abstract: 本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件，依据不同的器件应用生长不同的外延结构，可以制备自旋场效应管，自旋发光二极管，应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长，获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料，研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容，在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。