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公开(公告)号：CN102251277A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010241752.9
申请日：2010-08-02
申请人： 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氧化锌透明导电膜及其制造方法。该氧化锌透明导电膜包括顺序附着在衬底材料一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层；圆冠纳米柱状ZnO层具有若干的圆冠纳米柱状表面；所述圆冠纳米柱状ZnO层之圆冠的跨度为10至1000nm，圆冠顶部距ZnO主体层10至600nm。该制造方法包括如下步骤：生长衬底预处理；预沉积；ZnO成核层生长；ZnO主体层生长；圆冠纳米柱状ZnO层生长。采用本发明氧化锌透明导电膜的制造方法得到的ZnOTCL，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，具有光子晶体特性的表面形貌，对光学的萃取效率更高；能极大的提高LED外量子效率，促进LED行业的长足发展，有利于实现环保节能、可持续发展的目标。
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公开(公告)号：CN102157656A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110027942.5
申请日：2011-01-26
申请人： 中山大学
摘要： 本发明为一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法，该二极管至少包括n型电子注入层、耦合多量子阱结构有源层和p型空穴注入层；所述耦合多量子阱结构有源层包括接近n型电子注入层的电子注入加强量子阱层，接近p型空穴注入层的空穴注入加强量子阱层以及在这两个注入加强量子阱层中间的复合量子阱区层；所述电子/空穴注入加强区层中的势垒宽度小于复合量子阱区层中的势垒宽度。本发明还包括了该发光二极管的制作方法。本发明的优势在于利用有源层中量子阱的电子基态能量的变化分布，分别同时提高了电子和空穴载流子隧穿注入到有源区层的效率，从而增加了发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN102155695A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110100788.X
申请日：2011-04-21
申请人： 中山大学
IPC分类号： F21S8/00 , F21V19/00 , F21V13/00 , F21Y101/02
摘要： 本发明公开了一种背光源的光源结构及其直下式和侧入式背光源结构，光源结构包括LED芯片和PCB基板，所述LED芯片垂直竖立排布于PCB基板上，LED芯片不设置反射层，芯片的顶面、底面均为光出射面，在LED芯片与PCB基板接触处布有线路完成LED芯片的电气连接；背光源结构应用于直下式背光源时，若干LED芯片均匀交错排列于PCB基板上；背光源应用于侧入式背光源时，若干LED芯片等距均匀排列于PCB基板上。本发明的光源结构，既适用于侧入式背光源，也适用于直下式背光源，无需在芯片底部制作反射层，提高了光萃取效率，不会出现“萤火虫”效应，使得背光源更薄。
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公开(公告)号：CN101257077B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810027281.4
申请日：2008-04-08
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件，包括衬底及沉积于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层自下而上包括N型层、发光层及P型层，P型层的上表面设置有P型电极，部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分N型层，露出的部分N型层上设置有N型电极，该半导体发光二极管器件内设有提高出光面出光效率的高反射层，且该高反射层包括由高折射率材料与低折射率材料周期性排列而成的光子晶体层及位于光子晶体层背面的低折射率材料层。本发明能有效地提高器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN101865378A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010174063.0
申请日：2010-05-17
申请人： 中山大学佛山研究院
摘要： 本发明公开了一种LED面发光灯具，包括杯碗、散热器、散射板和若干LED芯片，所述散热器紧贴杯碗底部外侧设置，所述杯碗具有碗形空穴，所述散射板封盖于碗形空穴的上部开口处，所述LED芯片阵列于碗形空穴的底部。采用了本发明技术方案的LED面发光灯具，由于散射板本身就是LED面发光灯具的防护材料，因此该结构本身就是一个完整的灯具形态，可以直接作为灯具使用而不需外加防护材料，适合集成封装；也正是因为这样，该形态LED面发光灯具可以达到很高的灯具效率，从而进一步提高了节能效率。
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公开(公告)号：CN101814487A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010113198.6
申请日：2010-02-09
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开一种多芯片LED光源模组，包括多个LED光源单元，每个LED光源单元包括相互固连的透明水平基板和透明导电层，LED芯片置于透明导电层上，所述透明导电层上未设置LED芯片的位置覆盖有绝缘层，绝缘层上表面覆盖厚度小于LED芯片的光敏介质，相邻LED光源单元之间的光敏介质形成凹状结构，光敏介质和LED芯片背面依次设有厚度均匀的反射镜膜及散热金属层。由于采用凹状结构的反射镜膜，可以收集芯片的侧面出光，提高出光效率；而在反射镜膜表面镀有散热金属层作为整个模块的热沉，大大提高整个模块的散热能力。本发明同时提供一种多芯片LED光源模组的制作方法，工艺过程简单，充分降低成本。
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公开(公告)号：CN101702401A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910193613.0
申请日：2009-11-03
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种GaN基LED薄膜器件的制备与批处理式封装方法，包括以下步骤：A、刻蚀外延叠层，将其分离成规则排列的独立芯片；B、在每个独立芯片侧面制备钝化膜，边缘制备锚固点；C、去除绝缘层，将所述独立芯片和SOI衬底剥离；D、在印刷传送基板上制备能够黏附所述独立芯片的微结构；E、预剥离目标独立芯片与SOI衬底剥离；F、将已剥离目标独立芯片印刷至水平封装基板。本发明的GaN基LED薄膜器件的制备与批处理式封装方法，无需切割分离基板制备独立芯片也无需进行一系列的捡片、贴片操作，而直接在衬底剥离的同时，将目标光源模组按照要求转移到封装基板或电路板上，外延叠片利用效率高，封装效率高，生产成本低同时也可降低封装的厚度。
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公开(公告)号：CN101694842A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910193179.6
申请日：2009-10-20
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L27/08 , H01L29/872 , H01L21/8222 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管，从下到上依次包括低电阻n型Si衬底层、缓冲层、GaN层、AlGaN层以及设置于该AlGaN层之上的栅极，该GaN层和AlGaN层之间形成了异质结二维电子气导电沟道，还包括上欧姆接触层、下欧姆接触层和设置在该AlGaN层表面的沉孔结构。本发明利用该沉孔结构实现横向AlGaN/GaN肖特基二极管中电流的纵向运输；本发明同时提供了一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管的制作方法。本发明提供了一种横向导电结构和纵向导电结构相结合的混合结构，既具有横向二维电子气导电沟道高浓度、高电子迁移率的特点，又实现了电流的纵向输运，便于实现多个器件单元的并联封装，以获得正向大电流特性。
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公开(公告)号：CN100581333C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610123676.5
申请日：2006-11-21
申请人： 中山大学
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/427
CPC分类号： H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及电子元件散热基板，特别是涉及一种微热管散热基板。该微热管散热基板由多层平板式散热层构成，在上下散热层中制作微热管结构，使其在垂直方向上具有热端和冷端，然后利用底部的控温陶瓷层控制冷端的温度，使得整个基板具有散热和控温功能。与传统的金属(或陶瓷)基板相比，该基板采用微热管结构和冷端控温的设计，不仅具有热输运能力强、散热好、均热的特点，而且能控制基板的温度。这种新型基板用在半导体发光二极管(LED)、半导体激光器(LD)、半导体元件、集成电路(IC)、CPU等电子领域，是极具优势的。
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公开(公告)号：CN101369712A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810198911.4
申请日：2008-09-28
申请人： 中山大学
摘要： 本发明涉及半导体发光器件领域，公开了一种具有高偏振转换特性的半导体激光器件，包括衬底(1)、沉积于衬底(1)上的半导体外延叠层及设于半导体外延叠层表面的出射端面(8)，该半导体外延叠层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)，第二导电包覆层(4)上端设置有上电极(6)，衬底(1)底部设置有下电极(7)，出射端面(8)上设置有光子晶体层(9)，该光子晶体层(9)与出射端面(8)具有倾斜角度。本发明具有高效偏振转换特性，透光率高及结构简单等优点。
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