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公开(公告)号：CN102465337A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010549754.4
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统，反应腔体为卧式结构，生长区中设有石墨支托，不同的反应源分别设有独立的输入管道，石墨支托上放置外延生长衬底。本发明提出一种多片多源式卧式氢化物气相外延(HVPE)生长系统，以实现GaN基材料生长的大规模应用，可一次性生长多片大面积GaN基材料。
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公开(公告)号：CN102304738A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110206604.8
申请日：2011-07-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及铟镓氮基光电极的表面处理方法，可大幅提高其IPCE：把InxGa1-xN光电极作为阳极，浸在0.1～5M HCl水溶液中，在无光照条件下从0V到5V用循环伏安法扫描至少1个循环，其中0＜x＜1。作为优选方案，所述InxGa1-xN光电极表面InxGa1-xN的厚度不小于250nm，更优选为250-1500nm。本发明处理方法简单、高效，设备简单，易于大规模使用，表面处理后光电极量子转换效率大幅提高。
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公开(公告)号：CN101533845B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910030729.2
申请日：2009-04-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/113 , H01L29/788 , H01L29/423 , H01L31/18 , H01L21/336
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 双控制栅MOSFET探测器，探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区，分别构成MOSFET的源区(2)和漏区(3)，源、漏区的外部设有重掺杂的P型半导体区(4)包围，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层，所述光电子存储层是多晶硅；控制栅极是多晶硅、金属或透明导电电极；所述控制栅为分裂栅，设计为一个小控制栅和一个大控制栅；探测器单元的层次从上往下依次是控制栅、第二层绝缘介质层、浮置栅、第一层绝缘介质层和P型半导体衬底(1)；从控制栅往下到基底层设为对探测器探测光波透明的或半透明的窗口。
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公开(公告)号：CN101908511A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010237851.X
申请日：2010-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/14 , H01L23/373 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/16 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法，整流器包括金属衬底、金属键合层和氮化镓肖特基整流器晶片，金属衬底作为支撑衬底，氮化镓肖特基整流器晶片包括氮化镓外延层、氮化镓肖特基电极和欧姆电极，氮化镓外延层通过金属键合层与金属衬底键合，氮化镓肖特基电极与欧姆电极相对金属衬底在外延层的另一侧呈横向分布，制备时把欧姆电极与肖特基接触电极先后制备在外延片的正面，之后再在另一面通过激光将蓝宝石衬底剥离，再与金属衬底键合。本发明可解决GaN肖特基整流器的金属化方案与蓝宝石衬底剥离的工艺兼容性问题，以高导热性金属衬底作为支撑载体及热沉，解决了器件的散热问题，可有效提高器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN101315881B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810124323.6
申请日：2008-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/8247 , C23C14/28
Abstract: LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜；控制生长腔的真空在10-3Torr以上；将衬底温度升至300-900度，然后向腔内通入高纯氧，氧压控制在5-90帕；调整激光器频率设置为5Hz，能量为300mJ，并预先将激光预溅射靶材3-5分钟，清洁衬底表面的污染；最后，将脉冲激光聚焦于靶材上，打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101832918A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010146571.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 用于水质在线监测的紫外光电微型传感器装置，它包括紫外光源，紫外探测器，数据采集与发送模块、支架、密封罩所组成，待监测的水流样品置于紫外光源和紫外探测器之间，其中紫外光源与紫外探测器固定在支架上，紫外光源的两端通过导线与电源相连接，紫外探测器的两端通过导线与数据采集与发送模块相连接，其特征是紫外光源、紫外探测器和支架被封装在密封罩内紫外探测器由GaN基肖特基型紫外探测器组成，其响应窗口与上述LED的中心波长相对应；紫外光源为3-7个紫外LED组成，波长覆盖200nm到400nm的区间。该装置体积小、功耗低，可及时、准确监测环境污染指标(TOC，COD等)的变化情况，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101281863B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810019103.7
申请日：2008-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法，在HVPE生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层。温度为500-800℃，然后升温至生长温度开始生长GaN，生长温度1000-1100℃。生长至合适的厚度后，停止生长；冷却后获得完整的自支撑GaN衬底，铝酸锂衬底自动分离。本发明利用了铝酸锂衬底和GaN之间的小的晶格失配来获得低位错密度的非极性面GaN薄膜；本发明方案充分利用两者之间大的热失配来使得二者相分离，无需按照一定降温速率降温，并且晶体质量明显改善，而且成品率高，采用本发明方案利于规模生产。
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公开(公告)号：CN101349641B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810196207.5
申请日：2008-08-28
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 有机污染物的紫外光电动态污染监测的方法，a)、针对具体的监测地点与环境，在数据处理系统(3)中预置一个参考紫外光谱图与几个具体的特征污染物的参考吸收谱图数据库；b)、根据不同的紫外光源(1)的波长，测量一个至几个不同紫外波长处的紫外光吸收值数据，需要的不同紫外波长光源个数要根据需要动态监测的特征污染物的个数，不同波长的光源个数等于所需要动态监测的特征污染物个数加一，通过数据处理系统(3)与预置的参考紫外光谱图比较，得到一组吸光度差值数据；c)、根据吸光度差值及比值，比对数据处理系统(3)中预置的特征污染物的参考吸收谱图数据库，得到污染物的种类和浓度。可实时监测环境污染情况及具有预警功能。
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公开(公告)号：CN101714604A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910212663.9
申请日：2009-11-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/08
Abstract: 宽光谱白光LED结构，蓝宝石衬底或硅衬底上具有GaN缓冲层、厚度在50-2000nm以上的GaN支撑层，厚度为20-1000nm的N型GaN，浓度为5*1018cm-1；在N型GaN是依次生长蓝光波长量子阱材料，蓝绿或绿光量子阱材料和红黄光或红光量子阱材料；蓝光量子阱是厚度分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱结构，x在0.1到0.18之间；绿光量子阱是厚度分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱结构，x在0.18到0.32；红黄光或红光量子阱分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的In xGa1-xN/GaN多量子阱结构，其中x在0.32以上。本发明得到一种三色GaN基白光LED结构。
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公开(公告)号：CN100533667C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810124346.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01F41/22
Abstract: 本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件，依据不同的器件应用生长不同的外延结构，可以制备自旋场效应管，自旋发光二极管，应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长，获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料，研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容，在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。
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