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公开(公告)号：CN107230735B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610175610.4
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的，给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备，以预处理过的单晶Si为衬底，先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层，再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜，之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理，并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触，最终制得薄膜光电探测器部件。
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公开(公告)号：CN109524491A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811264136.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18 , H01L31/102
Abstract: 本发明提供了一种具有ZnTe过渡层的GaN-CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法，基于GaN/ZnTe基底生长CdZnTe薄膜并制备GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器，本发明提供的GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、ZnTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在GaN/ZnTe衬底上快速生长大面积、高质量CdZnTe薄膜，GaN/ZnTe衬底可以保证GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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公开(公告)号：CN106283195B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN108336225A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810151503.7
申请日：2018-02-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/149 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种具有多态阻变特性的非晶碳基阻变存储单元及其制备方法，该单元结构由底电极、阻变介质层、顶电极组成。其中所述底电极为位于衬底上的FTO，阻变介质层为非晶碳膜，顶电极为铝。本发明公开了其制备方法，具体是采用直流磁控溅射在FTO/SiO2衬底上生长a-C膜，然后使用热蒸发制备Al电极；本发明同时公开了多态阻变功能的实现方法，即通过设置不同限流，以达到多态存储功能。本发明的多态阻变单元具有良好的开关特性、稳定性和可重复性，其制备方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN105789387B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610176123.X
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种CuS/GaN异质结的制备方法，属于光电器件部件制造工艺技术领域。本发明主要特点在于采用n型GaN薄膜作为衬底，并在此衬底上制备高质量的p型CuS薄膜,从而获得CuS/GaN异质结。本发明所得器件退火后具有明显的整流特性，在电压±5V时，退火前与退火后器件的正向电流（IF）与反向电流（IR）的之比分别为12.5,146。退火后的样品漏电流有明显的降低，具有更好的整流特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105762231B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201610230584.0
申请日：2016-04-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明涉及一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法，属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜，再在其上制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/GaN异质结结构的中子探测器提供了方法。本发明是一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnCdO薄膜/GaN异质结结构的中子探测器。其特点在于，采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnCdO薄膜层吸收紫外线，进行光电转换，从而实现中子探测。
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公开(公告)号：CN106893997A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710080946.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
CPC classification number: C23C16/0272 , C23C16/274 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石薄膜制备用衬底预处理方法，利用缩水甘油的开环多分支聚合作用，在纳米金刚石粉末表面形成官能团，得到在溶液中分散性极好的聚合甘油嫁接的纳米金刚石粉末(ND‑PG)，溶于甲醇溶液，得到用于薄膜成核的籽晶溶液，从而为异质衬底上利用微波等离子化学气相沉积高质量纳米金刚石薄膜提供了有效的方法。本发明在纳米金刚石粉末表面嫁接官能团，大大增加粉末在水中的分散性，减少团聚，外围衍生效应进一步功能化，有利于增加衬底的成核密度，提高成核质量，对制备高质量纳米金刚石薄膜有很大的意义。
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公开(公告)号：CN105197985B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510590063.1
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 本发明公开了一种溶剂热法一步合成超长纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法。用于光伏电池材料技术领域。本发明方法是：将反应物前躯体即二水合氯化铜、氯化锌、五水合四氯化锡和L-半胱氨酸；乙二醇、油胺；草酸和十六烷基三甲基溴化铵加入到高压釜中，将反应温度升高到某一温度，恒温反应一段时间，然后移出加热装置使反应物冷却，向冷却后的反应物中加入甲苯和酒精使纳米粒子沉降；然后以一定转速离心一定时间，倒去上层溶液，收集下层沉淀物，重复离心数次至溶液澄清，收集沉淀物，最终得到高质量的超长纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米棒。本发明的优点在于：超长纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法简单，可一步合成，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，结晶性优良，适合批量合成。
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公开(公告)号：CN106098948A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610408763.9
申请日：2016-06-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0008
Abstract: 本发明公开了一种单步闪蒸法生长大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜及平面型太阳能电池的制备方法，其中钙钛矿薄膜制备方法是用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用瞬间快速将电流迅速加至200A，使蒸发舟温度瞬间达到1000℃以上，材料瞬间升华，通过调整不同溶液配比，制备出成份可控以及大晶粒尺寸的钙钛矿薄膜。采用一步闪蒸法制备的钙钛矿薄膜具有能耗低，蒸发速率快，时间短，薄膜无空洞且大面积均匀，衬底选择范围广，适合做平面型器件的特点。同时采用PCBM为n型材料，Spiro‑OMeTAD为p型材料与i型的钙钛矿薄膜一起构成p‑i‑n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率大于10.01%的器件。
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公开(公告)号：CN105789387A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610176123.X
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/005
Abstract: 本发明涉及一种CuS/GaN异质结的制备方法，属于光电器件部件制造工艺技术领域。本发明主要特点在于采用n型GaN薄膜作为衬底，并在此衬底上制备高质量的p型CuS薄膜,从而获得CuS/GaN异质结。本发明所得器件退火后具有明显的整流特性，在电压±5V时，退火前与退火后器件的正向电流（IF）与反向电流（IR）的之比分别为12.5,146。退火后的样品漏电流有明显的降低，具有更好的整流特性。
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