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公开(公告)号：CN1812096A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510120457.7
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 一种使用二元金属氧化物层作为数据存储材料层的交叉点非易失性存储器件，包括在衬底中布置的间隔掺杂线。多个间隔的上电极横跨掺杂线，以便在上电极重叠掺杂线的地点形成交叉点。下电极被布置在掺杂线和上电极之间的交叉点处。二元金属氧化物层被设置在上电极和下电极之间，以及被设为数据存储材料层。掺杂区被设置在下电极和掺杂线之间，以及与掺杂线一起形成二极管。掺杂区具有与掺杂线相反的极性。
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公开(公告)号：CN112397536B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202010805347.9
申请日：2020-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10F39/12
Abstract: 提供了一种图像传感器。图像传感器包括：第一基板；多个光电转换单元，位于第一基板中；第一连接层，设置在第一基板上；多个第一像素焊盘，设置在第一连接层上；多个第一外围焊盘，设置在第一基板上；多个第二像素焊盘，分别位于多个第一像素焊盘上；多个第二外围焊盘，分别位于多个第一外围焊盘上；第二连接层，设置在多个第二像素焊盘和多个第二外围焊盘上；器件，设置在第二连接层上；以及第二基板，设置在第二连接层和器件上，其中，多个第一像素焊盘的间距与第一基板的多个像素区域的间距基本上相同。
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公开(公告)号：CN119653783A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411151167.8
申请日：2024-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种示例半导体器件包括位于衬底上的电容器结构。电容器结构包括第一电极结构、第二电极结构和电容器电介质层。第一电极结构包括在与衬底垂直的第一方向上彼此分开的第一水平电极部分和连接到每个第一水平电极部分并且在第一方向上延伸的第一导电柱。第二电极结构包括在第一方向上延伸穿过第一水平电极部分的第二导电柱和在第二导电柱的侧壁上沿第一方向彼此分开并且与第一水平电极部分交替排列的第二水平电极部分。电容器电介质层位于第二导电柱的侧壁与第一水平电极部分之间。
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公开(公告)号：CN102832220A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210194507.6
申请日：2012-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/71 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/101 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683
Abstract: 本发明涉及具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制造方法。该器件可以包括布置在不同垂直层面以限定两个交叉点的第一、第二和第三导线，以及分别布置在这两个交叉点处的两个存储器单元。所述第一和第二导线可以彼此平行地延伸，所述第三导线可以延伸成与所述第一和第二导线交叉。在垂直截面视图中，所述第一和第二导线可以沿着所述第三导线的长度交替设置，并且所述第三导线可以在垂直方向上与所述第一和第二导线间隔开。
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公开(公告)号：CN102456398A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110319574.1
申请日：2011-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/00 , G11C2013/0083 , G11C2213/71 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种阻性存储器件和初始化的方法。该阻性存储器件包括连接在位线与第一极板之间的第一组阻性存储单元和连接在位线与第二极板之间的第二组阻性存储单元。在与阻性存储单元的正常操作关联的正常路径之外，分别向第一和第二极板施加第一和第二初始化电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591673B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200410056683.9
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: B82Y25/00 , G11C11/15 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。
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公开(公告)号：CN101055917A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
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公开(公告)号：CN1964050A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610075345.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。
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公开(公告)号：CN1925184A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610125682.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件及其制造方法。包括由电阻转换材料形成的氧化物层的非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上由过渡金属形成的纳米线层；所述氧化物层，包括过渡金属氧化物且形成于所述纳米线层上；以及形成于所述氧化物层上的上电极。根据本发明，通过在氧化物层上使电流路径一致可以稳定复位电流。
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公开(公告)号：CN118076221A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311473976.6
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底；下绝缘膜；以及电容器结构，电容器结构包括：多个第一导电图案，顺序地堆叠在下绝缘膜上；多个第二导电图案，在所述多个第一导电图案上；第一过孔，在电容器结构的第一侧，其中，第一过孔与所述多个第一导电图案物理地接触并电连接到所述多个第一导电图案，并且不电连接到所述多个第二导电图案；以及第二过孔，在电容器结构的第二侧，其中，第二过孔与所述多个第二导电图案物理地接触并电连接到所述多个第二导电图案，并且不电连接到所述多个第一导电图案。
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