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公开(公告)号：CN107017251A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610900212.4
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/401 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/66484 , H01L29/66545 , H01L29/7843 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L27/0886
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。
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公开(公告)号：CN105206672A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510351040.5
申请日：2015-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管器件包括：第一有源区；第一栅电极，被构造为沿Y方向延伸以跨过第一有源区，并限定第一源极区和第一漏极区；第一栅极接触件，设置在第一栅电极上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的栅极穿过线上；第一源极接触件，设置在第一源极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的源极穿过线上；以及第一漏极接触件，设置在第一漏极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的漏极穿过线上，其中，所述第一漏极接触件中的至少一个第一漏极接触件设置在被构造为在第一源极接触件之间穿过并且沿与Y方向垂直的X方向平行地延伸的第一虚拟的X直线中的任意一条第一虚拟的X直线上。
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公开(公告)号：CN103367369A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310103506.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/7831 , G11C11/403 , G11C11/40615 , G11C11/4097 , G11C2207/2227 , H01L27/105 , H01L27/115
Abstract: 各半导体存储器件可以包括：写入晶体管，其包括用于控制第一源极/漏极端子的第一写入栅极和用于控制沟道区的第二写入栅极；以及读取晶体管，其包括与所述写入晶体管的第一源极/漏极端子连接的存储节点栅极。所述第一写入栅极可以具有第一功函数，并且所述第二写入栅极可以具有与所述第一功函数不同的第二功函数。所述写入晶体管的第一源极/漏极端子可以不具有PN结。
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公开(公告)号：CN112436826B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202010753777.0
申请日：2020-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K5/24
Abstract: 公开了提供偏移校准的比较器和包括比较器的集成电路，所述比较器被配置为根据控制信号来校准偏移，所述比较器包括：输入电路，所述输入电路被配置为接收第一输入信号和第二输入信号，并生成与所述第一输入信号对应的第一内部信号和与所述第二输入信号对应的第二内部信号；差分放大电路，所述差分放大电路被配置为消耗从具有正电源电压的正电压节点流向具有负电源电压的负电压节点的电源电流，并通过放大所述第一内部信号与所述第二内部信号之间的差来生成输出信号；以及电流阀，所述电流阀被配置为基于所述控制信号调整所述电源电流的至少一部分。
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公开(公告)号：CN109842480B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201811423374.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供支持载波聚合的射频集成电路和包括其的无线通信装置。射频集成电路支持载波聚合并包括被配置为接收射频信号的多个第一接收电路和将第一频率的第一频率信号提供给所述多个第一接收电路的第一共享锁相环电路。所述多个第一接收电路中的至少一个第一接收电路包括模数转换器和数字转换电路。模数转换器通过使用第一频率信号将接收的射频信号转换成数字信号。数字转换电路通过对数字信号执行下变频来生成数字基带信号。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115483931A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210543858.7
申请日：2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了分裂反相器、电容器型数模转换器和逐次逼近寄存器(SAR)型模数转换器。SAR型模数转换器包括比较器、SAR逻辑电路和电容器型数模转换器。电容器型数模转换器包括多个驱动器。每个驱动器包括电容器和分裂反相器。电容器的第一电容器节点连接到比较输入端子中的一个。分裂反相器包括连接到第一参考电压的上拉单元和连接到第二参考电压的下拉单元。分裂反相器通过选择性地导通上拉单元和下拉单元中的一个来驱动电容器的第二电容器节点。上拉单元和下拉单元中的第一者包括全晶体管，并且上拉单元和下拉单元中的第二者包括第一分裂晶体管和第二分裂晶体管。使用分裂反相器来减小短路电流。
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公开(公告)号：CN109889225B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201811479518.2
申请日：2018-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了载波聚合信号发射与接收。提供了一种射频集成芯片(RFIC)和包括所述RFIC的无线通信装置。被配置为接收至少具有第一载波信号和第二载波信号的载波聚合的接收信号的RFIC，可包括第一载波接收器和第二载波接收器，其中，第一载波接收器和第二载波接收器被配置为从接收信号分别产生第一数字载波信号和第二数字载波信号。锁相环(PLL)可将具有第一频率的第一频率信号输出到第一载波接收器和第二载波接收器，第一载波接收器和第二载波接收器可分别包括分别使用第一频率信号和第二频率信号对接收信号的频率转换的第一模拟混频器和第二模拟混频器。第一载波接收器和第二载波接收器中的每一个还可包括在数字域对接收信号的频率进一步转换的数字混频器。
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公开(公告)号：CN102651206A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110448865.0
申请日：2011-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36 , G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G3/3648 , G09G2300/0408 , G09G2300/0426 , G09G2300/0452 , G09G2300/0465 , G09G2310/02 , G09G2310/0243 , G09G2310/0251 , G09G2310/0281 , G09G2310/0283 , G09G2310/0286 , G09G2320/0223
Abstract: 本申请提供了一种显示面板以及具有该显示面板的显示设备。所述显示面板包括：显示区域、包括第一外围区域和与所述第一外围区域相对的第二外围区域的外围区域、位于所述显示区域中的多个像素、多条数据线、第一栅极线、第二栅极线、第一栅极驱动电路以及第二栅极驱动电路。每条数据线对应于两个像素列。第一栅极线位于像素行的第一侧上。第二栅极线位于像素行的第二侧处。第一栅极驱动电路位于第一外围区域中，并且包括向第一栅极线提供栅极信号的第一级。第二栅极驱动电路位于第二外围区域中，并且包括向第二栅极线提供栅极信号的第二级。
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公开(公告)号：CN102024437A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010288403.2
申请日：2010-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G09G2320/041 , G11C19/28
Abstract: 本发明公开了一种在高温环境下具有改善的稳定性的驱动电路。提出了包括移位寄存器的驱动电路以及包括该驱动电路的显示装置。移位寄存器具有多个级，多个级中的至少一个级包括：第一输出电路，根据节点Q处的电势产生输出信号O(i)；第二输出电路，根据节点Q处的电势产生进位信号Cr(i)；控制器电路，控制节点Q处的电势和输出信号O(i)；第一保持电路，响应于达到预定电势的节点A来将输出信号和进位信号保持在低电压态；第二保持电路，控制节点A处的电势，第二保持电路包括第一晶体管，第一晶体管响应于进位信号Cr(i)而降低节点A处的电势。
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