公开(公告)号：CN106435722A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610638775.0

申请日：2016-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  酒井雅 ,  三谷阳一郎 ,  山本高裕 ,  木村泰广 ,  沟部卓真 ,  富田信之

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/14

Abstract: 得到一种制造方法及制造装置，该制造方法及制造装置能够制造晶体缺陷少的碳化硅外延晶片，而不会损伤生长炉内的部件、晶片托架。将清除气体导入至生长炉(1)内而将附着于生长炉气体后，将碳化硅衬底(2)搬入至生长炉(1)内。将工艺气体导入至生长炉(1)内，在碳化硅衬底(2)之上使碳化硅外延层(9)生长而制造碳化硅外延晶片(10)。将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的清除气体导入至生长炉(1)内。(1)的内壁面的树枝状碳化硅去除。在导入清除

公开(公告)号：CN104078331A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410112911.3

申请日：2014-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  川津善平 ,  富田信之 ,  田中贵规 ,  三谷阳一郎 ,  浜野健一

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B29/68 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明可得到能够减少晶体缺陷的单晶4H-SiC衬底及其制造方法。准备具有平坦性的4H-SiC体材料单晶衬底（1）。在4H-SiC体材料单晶衬底（1）上外延生长具有凹部（2）的单晶4H-SiC层（3）。单晶4H-SiC层（3）的膜厚为X[μm]时，凹部（2）的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且凹部（2）的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。

公开(公告)号：CN101452837B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810135797.0

申请日：2005-10-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件的制造方法，并提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在 方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。

公开(公告)号：CN101340058B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200810144617.5

申请日：2008-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00 ,  H01L21/205 ,  C30B29/40 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/325 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及氮化物类半导体叠层结构、半导体光元件以及其制造方法。本发明提供氮化物类半导体叠层结构，其包含采用了有机金属化合物的III族原料和包含肼衍生物的V族原料的低电阻的p型氮化物类半导体层。可以构成电阻值低的p型氮化物类半导体层的工作效率良好的氮化物类半导体叠层结构。其具备基板和在该基板上配设的、采用有机金属化合物的III族原料、包含氨和肼衍生物的V族原料及p型杂质原料而形成的、所含碳浓度为1×1018cm-3以下的p型氮化物类半导体层。

公开(公告)号：CN109996908B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201680091075.2

申请日：2016-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨野健一 ,  大野彰仁 ,  沟部卓真 ,  酒井雅 ,  木村泰广 ,  三谷阳一郎 ,  金泽孝

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体晶片具备：碳化硅衬底，其在厚度方向具有均匀的第一载流子浓度；载流子浓度过渡层，其设置于所述碳化硅衬底之上；以及外延层，其设置于所述载流子浓度过渡层之上，在厚度方向具有均匀的第二载流子浓度，所述第二载流子浓度比所述第一载流子浓度低。所述载流子浓度过渡层的载流子浓度在厚度方向具有浓度梯度。所述浓度梯度为如下梯度，即，从所述载流子浓度过渡层的正下方的层与所述载流子浓度过渡层的界面起，膜厚度越增加，载流子浓度越降低，并且所述载流子浓度过渡层的所述膜厚度越增加，载流子浓度越以小的降低率降低。所述载流子浓度过渡层的所述载流子浓度具有落在由第一浓度梯度条件及第二浓度梯度条件夹着的预先确定的浓度范围内的所述浓度梯度。

公开(公告)号：CN110663099A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201880031043.2

申请日：2018-01-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三谷阳一郎 ,  木村泰广 ,  大野彰仁

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明的目的在于提高SiC外延晶片的器件成品率。SiC外延晶片11具备作为SiC外延层的漂移层2。漂移层2的膜厚为18μm以上且350μm以下，算术平均粗糙度为0.60nm以上且3.00nm以下，杂质浓度为1×1014/cm3以上且5×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN109996908A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201680091075.2

申请日：2016-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨野健一 ,  大野彰仁 ,  沟部卓真 ,  酒井雅 ,  木村泰广 ,  三谷阳一郎 ,  金泽孝

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体晶片具备：碳化硅衬底，其在厚度方向具有均匀的第一载流子浓度；载流子浓度过渡层，其设置于所述碳化硅衬底之上；以及外延层，其设置于所述载流子浓度过渡层之上，在厚度方向具有均匀的第二载流子浓度，所述第二载流子浓度比所述第一载流子浓度低。所述载流子浓度过渡层的载流子浓度在厚度方向具有浓度梯度。所述浓度梯度为如下梯度，即，从所述载流子浓度过渡层的正下方的层与所述载流子浓度过渡层的界面起，膜厚度越增加，载流子浓度越降低，并且所述载流子浓度过渡层的所述膜厚度越增加，载流子浓度越以小的降低率降低。所述载流子浓度过渡层的所述载流子浓度具有落在由第一浓度梯度条件及第二浓度梯度条件夹着的预先确定的浓度范围内的所述浓度梯度。

公开(公告)号：CN102832124A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210195971.7

申请日：2012-06-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的课题在于获得可以避免高电阻缓冲层的晶体品质劣化的氮化物半导体装置的制造方法。其中，通过使用有机金属原料作为III族原料、使用肼衍生物的有机化合物作为V族原料的MOCVD法，在SiC基板(1)上形成碳浓度被控制在1018cm－3以上的由氮化物半导体制造的AlN高电阻缓冲层(2)。在AlN高电阻缓冲层(2)上形成具有低于AlN高电阻缓冲层(2)的电阻值的GaN电子渡越层(3)和Al0.2Ga0.8N供电子层(4)。

公开(公告)号：CN102130425A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110020200.X

申请日：2011-01-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  山本高裕

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3201 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置的制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成n型Al0.03Ga0.97N覆盖层（12）以及n型GaN光引导层（14）。在n型GaN光引导层（14）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，在载气中添加氢，形成由含In的氮化物类半导体构成的活性层（16）。在活性层（16）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，形成p型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层（18）、p型GaN光引导层（20）、p型Al0.03Ga0.97N覆盖层（22）、p型GaN接触层（24）。

公开(公告)号：CN101290963B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810092602.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  藏本恭介

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及一种抑制工作电压的氮化物半导体元件，目的在于提供一种适于在较低的电压下的利用的由氮化物系半导体构成的半导体激光器或发光二极管等发光元件。具有：p型接触层(28)；形成在p型接触层(28)下层的p型中间层(26)；形成在p型中间层的下层的p型覆盖层(24)。p型接触层(28)和所述p型中间层(26)之间、以及p型中间层(26)与所述p型覆盖层(24)之间的带隙差分别为200meV以下。