公开(公告)号：CN101454881B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780019921.0

申请日：2007-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  佐藤吉宏 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法，该绝缘膜的形成方法包括对硅露出于其表面的被处理基板实施使上述硅氮化的氮化处理，在硅表面上形成氮化硅膜的步骤；在N2O气氛中对形成有氮化硅膜的被处理基板进行热处理，形成氮氧化硅膜的步骤；和对氮氧化硅膜进行氮化处理的步骤。

公开(公告)号：CN101681833A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020112.6

申请日：2008-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  田村大辅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。

公开(公告)号：CN114517289A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111318553.8

申请日：2021-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边幸夫 ,  高藤哲也 ,  内田博章 ,  佐藤吉宏

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为200℃以下。

公开(公告)号：CN107523800A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710457272.8

申请日：2017-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  渡边幸夫 ,  窪田真树

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的课题在于降低保护膜中的H原子的含量并且在含Cu的电极上正常地形成保护膜。保护膜的成膜方法包括搬入步骤、供给步骤和成膜步骤。在搬入步骤中，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中Cu部为由含Cu的材料形成的构造物。在供给步骤中，向处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体。在成膜步骤中，利用供给到处理容器内的、含有第一气体、第二气体和第三气体的混合气体的等离子体，在Cu部上形成保护膜。第一气体为含卤素原子的硅系气体。第二气体为O2气体、N2O气体、N2气体或者稀有气体。第三气体为H2O气体或者SiH4气体。

公开(公告)号：CN102737987A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210089062.5

申请日：2012-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C8/36 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/7685 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明涉及选择性地形成氮化物膜的等离子体氮化处理方法、等离子体氮化处理装置以及半导体装置的制造方法。向处理容器(2)内供给含氮气体，将处理容器(2)内的压力设定在133Pa～1333Pa的范围内，在处理容器(2)内生成含氮等离子体，通过该含氮等离子体不使含硅的第2部分(100B)的表面(100Ba)氮化而选择性地氮化含有钨的第1部分(100A)的表面(100Aa)，在第1部分(100A)的表面(100Aa)形成氮化钨膜(107)。

公开(公告)号：CN101937844B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010263420.0

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101044626B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200580036152.6

申请日：2005-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西田辰夫 ,  石塚修一 ,  藤野丰 ,  中西敏雄 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/08 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L27/10873

Abstract: 在本发明中，在形成DRAM中的栅极绝缘膜的情况下，对成为栅极绝缘膜的基底的氧化膜实施等离子体氮化处理。通过使用着形成有多个通孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。由等离子体氮化处理所形成的栅极绝缘膜中的氮浓度为5～20％原子浓度。随后即使不进行退火处理也可以在DRAM中有效地防止硼穿透现象，并且抑制成为器件驱动能力降低的原因的膜中的阱。

公开(公告)号：CN101681833B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880020112.6

申请日：2008-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  田村大辅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。

公开(公告)号：CN1926670A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200580006865.8

申请日：2005-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  足立光 ,  高槻浩一 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。

公开(公告)号：CN119685801A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411719350.3

申请日：2021-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边幸夫 ,  高藤哲也 ,  内田博章 ,  佐藤吉宏

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/458

Abstract: 氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为100℃以下。