公开(公告)号：CN113302723A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202080007255.4

申请日：2020-02-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉备和雄 ,  藤田滋继 ,  铃木健二 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，包括：平坦化工序、层叠工序、孔形成工序、埋入工序以及去除工序。在平坦化工序中，通过使在第一孔埋入有导电材料的基板的表面平坦化，使被埋入至第一孔的导电材料露出，其中，形成该第一孔的区域是在层叠在基板上的绝缘膜上的区域且是被隔离膜包围的区域内。在层叠工序中，在基板的表面层叠掩模膜。在孔形成工序中，以使被埋入至第一孔的导电材料的上表面的至少一部分露出的方式，在掩模膜形成第二孔。在第二埋入工序中，在第二孔埋入导电材料。在去除工序中，去除掩模膜。

公开(公告)号：CN112071752A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010500322.8

申请日：2020-06-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥毅 ,  冈田充弘 ,  藤井康 ,  布重裕 ,  川崎真司 ,  桑田拓岳 ,  高木俊夫

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。

公开(公告)号：CN110233096A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910142632.4

申请日：2019-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  宫原达也 ,  藤田圭介

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。

公开(公告)号：CN104064497B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201410108083.6

申请日：2014-03-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67757

Abstract: 分批式立式基板处理装置包括：处理室，在高度方向上堆积并保持多个被处理基板的基板保持用具插入在该处理室内；加热装置，其设置在上述处理室的外侧，用于加热上述处理室的内部；多个凸缘部，其设置为自上述处理室的内壁向上述处理室的内部空间沿水平面方向突出，这些凸缘部沿上述高度方向将上述处理室的内部分离成多个处理小空间；气体供给机构，其用于将处理气体供给到上述多个处理小空间的内部；气体排气机构，其用于将上述处理气体自上述多个处理小空间的内部排出，上述多个凸缘部分别具有供上述基板保持用具贯穿的通孔，上述通孔的直径在上述处理室的上方较小，随着向上述处理室的下方去而依次增大。

公开(公告)号：CN102543830B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201110442021.5

申请日：2011-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边将久 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76227

Abstract: 本发明提供沟槽填充方法及成膜装置。该沟槽填充方法包括以下工序：在沟槽内部形成氧化阻挡层膜(步骤3)；在氧化阻挡层膜上形成能够膨胀的膜(步骤4)；利用因烧制而会收缩的填充材料填充沟槽(步骤5)；将填充材料烧制(步骤6)；步骤3的工序包括以下工序：供给氨基硅烷类气体，在沟槽的内部形成第1晶种层(步骤31)；在第1晶种层上形成氮化硅膜(步骤32)；步骤4的工序包括以下工序：供给氨基硅烷类气体，在氮化硅膜上形成第2晶种层(步骤41)；在第2晶种层上形成硅膜(步骤42)。

公开(公告)号：CN102543830A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110442021.5

申请日：2011-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边将久 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76227

Abstract: 本发明提供沟槽填充方法及成膜装置。该沟槽填充方法包括以下工序：在沟槽内部形成氧化阻挡层膜(步骤3)；在氧化阻挡层膜上形成能够膨胀的膜(步骤4)；利用因烧制而会收缩的填充材料填充沟槽(步骤5)；将填充材料烧制(步骤6)；步骤3的工序包括以下工序：供给氨基硅烷类气体，在沟槽的内部形成第1晶种层(步骤31)；在第1晶种层上形成氮化硅膜(步骤32)；步骤4的工序包括以下工序：供给氨基硅烷类气体，在氮化硅膜上形成第2晶种层(步骤41)；在第2晶种层上形成硅膜(步骤42)。

公开(公告)号：CN101355022B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810144211.7

申请日：2008-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  久保万身

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/314 ,  C23C16/54 ,  C23C16/52 ,  C23C16/22

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/26 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法在垂直方向以一定间隔将多个被处理体收纳在成膜装置的处理容器内。接着，将处理容器内设定为第一减压状态，并向处理容器内供给包含碳化氢气体的第一成膜气体，通过CVD在被处理体上形成碳膜。接着，在将处理容器内从上述第一减压状态开始维持为减压状态的条件下，将上述处理容器内设定为第二减压状态，并向处理容器内供给包含有机类硅源气体的第二成膜气体，通过CVD在碳膜上形成Si类无机膜。

公开(公告)号：CN101220505B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710152462.5

申请日：2007-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  加藤寿 ,  冈部庸之 ,  冈田充弘 ,  本间学 ,  羽石朋来

IPC: C30B25/14 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/00 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置(1)。该薄膜形成装置(1)具有反应室(2)和与反应室(2)连接的排气管(5)，为了向反应室(2)或排气管(5)供给包含氟和氢的洗涤气体，使氟导入管(17c)和氢导入管(17d)连接在反应室(2)上。其中，氢导入管(17d)具有内部流路(174)和以覆盖内部流路(174)的方式形成的外部流路(175)。从内部流路(174)供给氢，从外部流路(175)供给氮。因此，将从内部流路(174)供给的氢在其周围被氮覆盖的状态下，从氢导入管(17d)供给。

公开(公告)号：CN101409232B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810167500.9

申请日：2008-10-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  宫原孝广 ,  西村俊治

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667

Abstract: 本发明涉及一种多晶硅膜的形成方法，用于形成掺杂有磷或硼的多晶硅膜，该方法的特征在于，具有下述工序：将被处理基板配置在反应容器内，一边在减压气氛下对被处理基板进行加热，一边向上述反应容器内导入硅成膜用气体、用于向膜中掺杂磷或硼的气体、和含有防止多晶硅结晶柱状化并促进多晶硅结晶微细化的成分的粒径调整用气体，在上述被处理基板上堆积掺杂有磷或硼的硅膜。

公开(公告)号：CN101158032A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710192998.X

申请日：2007-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  水永觉 ,  户根川大和 ,  西村俊治

IPC: C23C16/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  B08B5/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。