-
公开(公告)号：CN105702604A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510919166.8
申请日：2015-12-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。在晶片上涂敷涂敷液的方法，向晶片上供给涂敷液的溶剂，在该晶片的外周部环状地形成溶剂的液膜，使晶片以第一转速旋转，同时向晶片的中心部供给涂敷液(时间t1～t2)，使晶片以比第一转速快的第二转速旋转，使涂敷液在基板上扩散(时间t4～t5)。直至涂敷液与溶剂的液膜接触前持续进行溶剂的供给(时间t0～t3)。
-
公开(公告)号：CN108695209B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810293097.8
申请日：2018-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种能够抑制伴随含金属覆膜的利用而产生的金属污染的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。涂布/显影装置具备第一保护处理部、成膜部、第一清洗处理部以及控制部。控制部构成为执行以下控制：控制第一保护处理部，使之在晶圆的周缘部形成第一保护膜；控制成膜部，使之在晶圆的表面形成抗蚀膜；控制第一清洗处理部，使之向晶圆的周缘部供给用于去除抗蚀膜的第一清洗液；控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除金属成分的第二清洗液；以及控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除第一保护膜的第三清洗液。
-
公开(公告)号：CN114509925A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111325339.5
申请日：2021-11-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供能够容易且简单地测量基片的处理中使用的处理液的释放量的基片处理系统、液量测量方法和计算机可读存储介质。基片处理系统包括：相对于载置台的载置部可拆装的测量单元；用于处理液的测量的测量治具；包含供给部的液处理单元，该供给部构成为能够对测量治具供给处理液；输送机构，其构成为能够在测量单元与液处理单元之间输送测量治具；和控制部。控制部执行以下处理：将测量单元内的测量治具从测量单元输送到液处理单元的处理；从供给部向测量治具释放处理液的处理；将测量治具从液处理单元输送到测量单元的处理；和基于测量单元中的测量值计算处理液的释放量的处理。
-
公开(公告)号：CN114141654A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110980802.3
申请日：2021-08-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本发明提供能够对基片的背面的除了周端以外的环状区域供给处理液以进行局部处理的液处理方法和液处理装置。液处理方法包括：将基片的背面的中心部载置在载置台上，并使该载置台旋转的工序；和从喷嘴对旋转的基片的背面的比周端靠中心的位置供给雾状的处理液，并且使该处理液挥发使得该处理液不会因离心力而被供给到该基片的周端，从而对该基片的背面的环状区域局部地进行处理的工序。
-
公开(公告)号：CN110088880A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078574.2
申请日：2017-11-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/08 , B05D1/36 , B05D1/40 , B05D3/00
摘要： 一种在基片上涂敷涂敷液的方法，其中，在形成于基片上的涂敷液的液膜干燥之前，一边使该基片以规定的转速旋转，一边对基片上的涂敷液的该液膜上的周边部供给涂敷液的溶剂，以在该周边部形成涂敷液与溶剂的混合层，然后，使基片以比规定的转速快的转速旋转，将混合层赶到外周侧，来控制干燥后的涂敷液的膜厚。
-
公开(公告)号：CN107427860A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680013005.5
申请日：2016-02-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： B05D1/005 , B05C11/08 , B05D3/104 , G03F7/091 , G03F7/162 , G03F7/2028 , H01L21/027 , H01L21/6715 , H01L21/67253
摘要： 在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理方法，包括：在基板的中央部利用溶剂形成第1液膜，在基板的外周部利用该溶剂形成膜厚比第1液膜厚的环状的第2液膜的溶剂液膜形成步骤；一边使基板以第1转速旋转，一边对基板的中心部供给涂敷液的涂敷液供给步骤；和一边供给涂敷液，一边使基板以比所述第1转速快的第2转速旋转，使所述涂敷液在基板上扩散的涂敷液扩散步骤。
-
公开(公告)号：CN102759860A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210124293.5
申请日：2012-04-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/0337 , B05C11/023 , B05D1/005 , G03F7/162 , G06F19/00 , H01L21/0271 , H01L21/6715 , H01L51/0003 , H01L2224/03418
摘要： 本发明提供涂敷处理装置、涂敷显影处理系统和涂敷处理方法。该涂敷处理装置在利用旋涂法涂敷涂敷液而形成膜时，能够控制基板面内的任意位置的膜厚，并且能够减少基板面内的膜厚偏差。该涂敷处理装置(23)通过向旋转的基板的表面供给涂敷液并使供给来的涂敷液向基板的外周侧扩散，在基板的表面涂敷涂敷液，其包括：基板保持部(31)，其用于保持基板；旋转部(32)，其用于使被基板保持部保持的基板旋转；供给部(43)，其用于向被基板保持部保持的基板的表面供给涂敷液；气流控制板(63)，其设置在被基板保持部(31)保持的基板的上方的规定位置，用于使利用旋转部进行旋转的基板的上方的气流在任意的位置局部地变化。
-
公开(公告)号：CN110534454B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910422709.3
申请日：2019-05-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明对能够抑制处理液附着在喷嘴的下端面的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和控制部。喷嘴包括平坦的下端面，在该下端面设有用于释放处理液的释放口。控制部执行以下动作：控制处理液供给部，以使得在下端面靠近表面的状态下从释放口对表面实释放处理液的动作；和控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。
-
公开(公告)号：CN108695209A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810293097.8
申请日：2018-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种能够抑制伴随含金属覆膜的利用而产生的金属污染的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。涂布/显影装置具备第一保护处理部、成膜部、第一清洗处理部以及控制部。控制部构成为执行以下控制：控制第一保护处理部，使之在晶圆的周缘部形成第一保护膜；控制成膜部，使之在晶圆的表面形成抗蚀膜；控制第一清洗处理部，使之向晶圆的周缘部供给用于去除抗蚀膜的第一清洗液；控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除金属成分的第二清洗液；以及控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除第一保护膜的第三清洗液。
-
公开(公告)号：CN108630529A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810207953.3
申请日：2018-03-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6715 , H01L21/0273
摘要： 本发明在以旋转式在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理装置中，防止涂敷液被设置于杯体内的气流控制板弹返而飞散到晶片的表面上。抗蚀剂涂敷装置包括收纳旋转卡盘(121)并从底部排气的杯体，该杯体包括：与保持于旋转卡盘(121)的晶片(W)相比位于顶部侧，包围该晶片(W)的外周的气流控制部(151)；和支承气流控制部的支承部(153)，该支承部其一个端部与杯体(125)的内周面连接，另一个端部与上述一个端部相比位于顶部侧并且与气流控制部连接，在上述支承部形成有在与晶片的旋转轴垂直的方向上穿透的形状的第1孔(153a)，在比该第1孔靠外侧下方的位置形成有在晶片的旋转轴方向上穿透的形状的第2孔(153b)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
24 条记录 (耗时 0.035 秒)
