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公开(公告)号：CN111293040A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010104556.0
申请日：2020-02-20
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种n型掺杂离子注入准确度的提升方法。本发明包括：根据目标值采用TRIM仿真继而确定n型掺杂离子的注入能量和剂量的仿真值；根据仿真值对碳化硅外延层进行离子注入；对注入后的碳化硅外延层进行SIMS检测获得实际注入值，比较实际注入值与目标值之间的偏差；根据偏差对仿真值进行校准，根据校准后的仿真值再次进行离子注入；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的n型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。
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公开(公告)号：CN111458623B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010307229.5
申请日：2020-04-17
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种半导体芯片的测试装置，包括：箱体，所述箱体包括由导电材料制成的上底板、下底板，以及由绝缘材料制成的多个侧板；其中，所述上底板用于连接低压电源，所述下底板用于连接高压电源；芯片定位块，由导电材料制成，与所述下底板相接触，所述芯片定位块内设置有容置待测芯片的芯片凹槽；低压铜柱，贯穿所述上底板，通过相对于所述上底板的上下运动对位于所述芯片定位块内的待测芯片施加压力；其中所述低压铜柱的下底面尺寸与所述待测芯片的低压电极尺寸相匹配；流体出入口，位于其中两个相对的侧板上，用于供加热的绝缘流体介质流入或流出所述箱体。
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公开(公告)号：CN113629130A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010386337.6
申请日：2020-05-09
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司厦门供电公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/265
摘要： 本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法，半导体功率器件包括半导体层(1)、截止环(2)、有源区(3)、场限环终端(4)和介质层(5)；场限环终端(4)包括多个场限环区域，每个场限环区域包括多个场限环，截止环(2)、有源区(3)和场限环终端(4)设置于半导体层(1)的正面，所述介质层(5)设置于场限环终端(4)的正面，多个场限环区域形成场限环终端，提高了场限环终端(4)的保护效率和半导体功率器件的可靠性；不同场限环承受的电压相当，避免电场集中于有源区主结处或最后一个场限环，大大提高了半导体功率器件的击穿电压，增强了半导体功率器件的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN110246814B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910467609.2
申请日：2019-05-30
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司晋城供电公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片终端耐压的可靠性。
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公开(公告)号：CN109801899B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201811607844.7
申请日：2018-12-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L25/07
摘要： 本发明公开一种功率半导体模块，包括：多个并列设置的功率半导体单元，每个功率半导体单元封装在管壳中，且通过管壳中的弹力单元进行弹力支撑，每个功率半导体单元相互独立设置，且安装在第一金属电极与第二金属电极之间，第一金属电极与每个功率半导体单元电连接，第一金属电极与第二金属电极分别与外部电路电连接。本发明中的功率半导体模块中的功率半导体单元相互独立设置，当某一功率半导体单元一旦发生故障，可以利用另外正常的功率半导体单元替换，因此，可以充分利用芯片子模块，进而提高芯片子模块的利用率，可以减少芯片子模块的更换成本。
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公开(公告)号：CN109449135B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811151918.0
申请日：2018-09-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/31
摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件的封装结构及封装结构的电极，对封装结构内部的电极进行改进，按照从内到外电极的电阻逐渐减小的方式设计电极。由于，所有电极之间的互感，导致电流呈现外部大，中心小，与集肤效应类似的分布；并且由于电极的电阻相同，电流分布主要受集肤效应影响。由内至外电极电阻增大，从而削弱集肤效应的影响，使得各电极的电流趋于一致。在制作电极阶段，改变电极尺寸，不改变电极的分布以及封装结构的尺寸，因此并不影响器件大小，可以较好的在不增加封装尺寸的前提下实现多个半导体功率器件均流。
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公开(公告)号：CN110568225A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910917282.4
申请日：2019-09-26
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01Q60/38
摘要： 本发明公开了一种形貌信息检测系统、方法及装置，该形貌信息检测系统，包括：受测样品载体，用于放置受测样品；形貌信息检测装置，包括微型力敏感元件，用于检测所述受测样品的形貌信息；除静电装置，用于消除所述微型力敏感元件与所述受测样品之间的静电；控制器，分别与所述形貌信息检测装置、所述除静电装置连接，与所述形貌信息检测装置、所述除静电装置连接，用于控制所述除静电装置和所述形貌信息检测装置分别进行除静电和形貌信息检测操作。通过设置除静电装置，对形貌检测装置与受测样品之间的静电进行消除，避免了形貌信息检测装置与受测样品之间的静电对形貌检测结果的影响，提高了形貌检测结果的准确性以及形貌检测效率。
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公开(公告)号：CN109904087A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910029734.5
申请日：2019-01-14
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置，在半导体晶圆上刻录定位框；确定颗粒度检测工艺前后所有定位框中颗粒数的增加量；基于所述增加量判断颗粒数是否符合预设条件，不需要晶圆颗粒度检测专用设备，也不需要在专门的实验室，即可实现半导体晶圆表面颗粒度的检测，不受检测条件的影响，应用广泛；本发明采用显微镜确定每个定位框中的颗粒数，由于显微镜成本比晶圆颗粒度检测专用设备低，降低了检测成本，简化了检测过程；相比整个半导体晶圆全部检测，采用定位框可节省时间、提高效率，且刻有定位框的半导体晶圆清洗后可用于下一次检测，避免浪费。
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公开(公告)号：CN110828365A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911145344.0
申请日：2019-11-19
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/04 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种退火组件及退火方法。其中，所述组件包括：承载面，用于放置所述待退火件；其中，所述承载面在所述待退火件上的投影面积与待退火件的面积相同；至少一个支架，用于固定所述承载面。该组件可以增强退火的均匀性，并且只需一次退火便可，避免了复杂的退火流程，从而提升了工艺效率，同时也避免了传统托盘由于温差导致的碎裂现象。
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公开(公告)号：CN109449135A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811151918.0
申请日：2018-09-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/31
摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件的封装结构及封装结构的电极，对封装结构内部的电极进行改进，按照从内到外电极的电阻逐渐减小的方式设计电极。由于，所有电极之间的互感，导致电流呈现外部大，中心小，与集肤效应类似的分布；并且由于电极的电阻相同，电流分布主要受集肤效应影响。由内至外电极电阻增大，从而削弱集肤效应的影响，使得各电极的电流趋于一致。在制作电极阶段，改变电极尺寸，不改变电极的分布以及封装结构的尺寸，因此并不影响器件大小，可以较好的在不增加封装尺寸的前提下实现多个半导体功率器件均流。
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