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公开(公告)号：CN118610267A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411082428.5
申请日：2024-08-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、有源阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽形成于漂移区；多晶硅夹心结构形成于场板凹槽内，包括第一多晶硅层和包裹在其外的密封氧化层，密封氧化层包括下氧化层和上氧化层；载流子吸引层，形成于多晶硅夹心结构下方的漂移区内；第二多晶硅层，形成于多晶硅夹心结构表面；第一多晶硅层与下氧化层构成第一场板结构；第二多晶硅层和多晶硅夹心结构构成第二场板结构；第二多晶硅层施加电压后，第一多晶硅层能存储电荷，控制载流子在漂移区的流通路径。本发明能存储大量电荷，提高电荷存储稳定性，改善表面自热效应，提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN118311306A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410738418.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本公开涉及晶圆和芯片成品测试技术领域，具体涉及一种保护模块、测试装置、测试设备及测试方法。本公开提供了一种通用的高可靠测试装置，通过在测试装置中添加保护模块，进一步在保护模块中添加限流单元和连接单元，所述限流单元包括限流器件，用于防止电流突增导致所述测试装置和/或所述被测器件损坏；所述连接单元至少包括一预设阻值的电阻，通过该电阻将所述测试机的感测线与所述被测器件连接，以使所述测试机通过所述感测线感测施加到所述被测器件的电压值，利用该电阻通过提高感测线的输入阻抗保证了得到的被测器件电压的准确性，提高了测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN117878854A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311617293.3
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及集成电路及芯片领域，提供一种ESD保护电路及芯片。ESD保护电路包括控制信号输入单元、RC延时单元以及泄放单元，泄放单元包括至少两种ESD泄放路径，控制信号输入单元用于根据输入的芯片通电状态信号控制泄放单元开启对应的ESD泄放路径进行ESD泄放，RC延时单元用于产生使泄放单元开启ESD泄放的RC时间常数。本发明针对断电和上电后两种状态设计不同的ESD保护，可以根据不同的应用场景切换不同ESD泄放方式，消除ESD上电过程中因毛刺导致的误触发事件的发生，解决上电过程中因Active Clamp钳位电压抬高导致的NMOS泄放管源漏跨压过大、功耗过大的问题。
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公开(公告)号：CN117317025B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
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公开(公告)号：CN117316931B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311610520.X
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种隔离电容以及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括：设于基底上的下极板；设于所述下极板上的第一绝缘介质；设于所述第一绝缘介质内的金属层，其中所述金属层的边缘为平滑曲面结构，以及所述平滑曲面结构与所述金属层的配合面为切面；以及设于所述第一绝缘介质上的上极板，其中所述上极板与所述金属层经由金属通道相连。本发明至少部分解决隔离电容的上极板的金属末端尖角及侧边放电问题，同时将上极板的高电压、强电场引入到二氧化硅体内，避免不同介质层界面处（易击穿点）发生击穿导致器件失效的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117094268B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311340163.X
申请日：2023-10-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F30/367 , G06T11/20
Abstract: 本发明提供一种网格间数据传递方法、装置、存储介质及电子设备，属于电子设计自动化技术领域。所述网格间数据传递方法包括：分别获取原始网格和新网格；在原始网格中分别查找新网格中各个节点所在的网格单元，得到各个节点对应的数据传递网格单元；分别基于各个节点对应的数据传递网格单元，确定得到各个节点的参数。实现了基于网格单元的线性插值算法，相较于最临近插值法，由于基于的是网格单元，参与运算的不再是单个的节点，从而使精度大幅提升；同时相较于双线性插值法，通过网格单元，可以快速查找到对应的数据传递网格单元，从而保证了精度且提高了效率。
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公开(公告)号：CN117316930A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311609661.X
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种隔离电容以及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括：设于下极板上的第一绝缘介质；设于第一绝缘介质上的绝缘介质夹层，其中绝缘介质夹层包括第二、第三绝缘介质，第二绝缘介质的上表面具有凸起结构；设于绝缘介质夹层内且位于凸起结构上的金属层，其中金属层的边缘为平滑曲面结构，平滑曲面结构的配合面为切面，以及金属层与其边缘的平滑曲面结构一体成型；以及设于绝缘介质夹层上的上极板，其中上极板与金属层经由金属通道相连。本发明至少部分解决隔离电容的上极板的金属末端尖角及侧边放电问题，同时将上极板的高电压、强电场引入到二氧化硅体内，避免不同介质层界面处发生击穿导致器件失效的问题。
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公开(公告)号：CN117313625A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311605343.6
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC: G06F30/367 , G01R31/26 , G01N33/2022 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。
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公开(公告)号：CN117309035A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311085428.6
申请日：2023-08-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及变电站监测领域，公开了一种变电站场景下的多物理场复杂环境的监测采集装置，包括底座、支撑架、支撑条带、设置在支撑条带上的多个齿板、监测盒和驱动组件，监测盒具有多个监测口，监测盒中设置有位于监测口处的齿套和传动组件，齿套的外周上设置有多物理场传感器，传动组件能够传动连接齿板和齿套，驱动组件能够驱动监测盒升降移动，其中，当监测盒到达齿板时，多物理场传感器暴露，当监测盒脱离齿板时，多物理场传感器隐藏。通过上述技术方案，可以使得多物理场传感器在不同的高度位置监测环形的温湿度与电磁场，并且在不需要测量的位置将多物理场传感器隐藏在监测盒中，以保护多物理场传感，避免其受损坏，特别是避免其受到污物污染，可以提高其检测准确度。
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公开(公告)号：CN117293192A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311589002.4
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种多沟道半导体器件、工艺、芯片及电子设备，属于半导体技术领域。多沟道半导体器件包括：衬底；导电层，形成于衬底上，导电层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，漂移区内设有至少一个沿横向延伸的隔离区，以在漂移区内限定出至少两条导电沟道；栅介质层，形成于导电层上，且位于体区和至少部分漂移区上方；栅电极层，形成于栅介质层上。通过在漂移区设置隔离区形成多条导电沟道，载流子分为多个路径，单条路径下的载流子数目减少，在漏端电场作用下，漏端碰撞电离出的电子空穴对数目减少，热载流子注入效应得到抑制，器件可靠性提升；同时多个导电通道有助于获得更低的导通电阻，隔离区也可以提高器件的耐压能力。
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