公开(公告)号：CN107797378A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710130750.4

申请日：2017-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂志强 ,  陈俊郎 ,  蔡嘉雄 ,  游秋山 ,  张宗裕 ,  林志诚 ,  刘丙寅 ,  李信昌 ,  林云跃

IPC: G03F1/62

CPC classification number: G03F1/62

Abstract: 一种石墨烯层的形成方法包括：在第一衬底之上沉积第一材料层；以及在所述第一材料层之上沉积石墨烯层。所述方法还包括：在所述石墨烯层之上沉积非晶硅层；以及将所述非晶硅层结合至第二衬底，从而形成组件。所述方法还包括：使所述组件退火，从而将所述非晶硅层转变成氧化硅层。所述石墨烯层的形成方法还包括：自所述组件移除所述第一衬底；以及自所述组件移除所述第一材料层，从而暴露出所述石墨烯层。

公开(公告)号：CN107015431A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611063636.6

申请日：2016-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈炫辰 ,  林云跃 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林志诚 ,  陈政宏

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的装置。该装置包括具有导热表面的薄膜；多孔薄膜框架；以及将薄膜固定至多孔薄膜框架的导热粘合层。多孔薄膜框架包括从多孔薄膜框架的外表面连续延伸至多孔薄膜框架的内表面的多个孔道。本发明的实施例还涉及用于先进光刻的薄膜组件和方法。

公开(公告)号：CN106200274A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510860072.8

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  林志诚 ,  李信昌 ,  连大成 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F7/70741

Abstract: 本发明提供一种表膜组件和其制造方法，所述方法包含制造包含侧壁的表膜框架，所述侧壁具有多孔材料。在一些实施例中，所述表膜框架经受阳极化过程以形成所述多孔材料。所述多孔材料包含在垂直于所述侧壁的外部表面的方向上从所述侧壁的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。在各种实施例中，形成表膜薄膜，且所述表膜薄膜附接到所述表膜框架使得所述表膜薄膜由所述表膜框架悬置。本文中所揭示的一些实施例进一步提供包含薄膜和表膜框架的系统，所述表膜框架固定跨越所述表膜框架的所述薄膜。在一些实例中，所述表膜框架的一部分包含多孔材料，其中所述多孔材料包含所述多个孔隙通道。

公开(公告)号：CN1940716A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610103312.0

申请日：2006-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧智彰 ,  唐存正 ,  蔡飞国 ,  李慈莉 ,  邱建明 ,  李正中 ,  苏益辰 ,  林志诚 ,  康东耀 ,  谢弘璋

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0042 ,  B08B7/0071 ,  G03F1/82

Abstract: 本发明是有关于一种清洁光罩的方法，是用来清洁相位移光罩与其他光罩以及含钼表面。在一实施例中，借由准分子氙气雷射所产生的真空紫外光(VUV)将氧气转变为臭氧，以用于第一清洁操作中。在真空紫外光/臭氧清洁之后，可进行湿式SC1化学清洁，且二步骤清洁程序减少相位移损失与增加传送。在另一实施例中，第一步骤可使用其他方法以在含钼表面上形成钼氧化物。在又一实施例中，此多步骤清洁操作是提供湿式化学清洁，例如SC1或SPM或是两者皆有，接着进一步进行化学或物理处理，例如臭氧、烘烤或电解离子水。