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公开(公告)号：CN103293871B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210563050.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/00 , G03F1/00 , G03F7/70433 , G06F17/5081 , G06F19/00 , G21K5/00
Abstract: 描述了一种光刻工艺中的数据准备的方法。该方法包括在图形数据库系统GDS网格中提供集成电路(IC)布局设计，将IC布局设计GDS网格转换成第一曝光网格，对第一曝光网格应用无方向性抖动技术，在对第一曝光网格应用抖动的同时，对第一曝光网格应用网格移位，以生成网格移位曝光网格，并且对网格移位曝光网格应用抖动，并且将第一曝光网格(在接受抖动之后)与网格移位曝光网格(在接受抖动之后)相加，以生成第二曝光网格。本发明还提供了一种无方向性抖动方法。
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公开(公告)号：CN103293870B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210387380.X
申请日：2012-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光刻处理中的数据准备的方法。该数据准备的方法包括：在图形数据库系统(GDS)网格中提供集成电路(IC)布局设计，通过对子像素曝光网格应用误差扩散和网格移位技术，将IC布局设计GDS网络转换为第二曝光网格。本发明还提供了一种误差扩散和网格移位的算法。
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公开(公告)号：CN102683182B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110352647.7
申请日：2011-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01J37/317
CPC classification number: G03F7/2059 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3007 , H01J37/317 , H01J37/3177 , H01J2237/31761 , H01J2237/31774
Abstract: 一种电子束写入系统以及电子束写入方法，该方法包括：配置一介质在一电子束写入装置中，以使得上述介质通过一平台的协助，且曝光于一电子束源之下；以及通过使用上述电子束源的多个独立控制电子束，写入一图形至上述介质中，其中上述图形包括多个书写带，以及其中还使用上述独立控制电子束中的多个电子束写入每一平行的上述书写带。本发明的电子束写入方法更为有效。
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公开(公告)号：CN103293871A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210563050.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/00 , G03F1/00 , G03F7/70433 , G06F17/5081 , G06F19/00 , G21K5/00
Abstract: 描述了一种光刻工艺中的数据准备的方法。该方法包括在图形数据库系统GDS网格中提供集成电路(IC)布局设计，将IC布局设计GDS网格转换成第一曝光网格，对第一曝光网格应用无方向性抖动技术，在对第一曝光网格应用抖动的同时，对第一曝光网格应用网格移位，以生成网格移位曝光网格，并且对网格移位曝光网格应用抖动，并且将第一曝光网格(在接受抖动之后)与网格移位曝光网格(在接受抖动之后)相加，以生成第二曝光网格。本发明还提供了一种无方向性抖动方法。
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公开(公告)号：CN115047731A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210871348.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105720052B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510535074.X
申请日：2015-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/027 , G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种将设计形状转换成像素值的方法。该方法可用于控制对工件执行的直写或其他的光刻工艺。在示例性实施例中，该方法包括计算系统接收设计数据库，该设计数据库指定具有四个以上的顶点的部件。计算系统还接收像素栅格。确定对应于部件的一组矩形，并且计算系统基于该组矩形确定与部件重叠的像素栅格的像素的面积。在一些这样的实施例中，基于与部件重叠的面积确定用于像素的光刻曝光强度，并且提供用于图案化工件的光刻曝光强度。本发明还提供了栅格化电路布局数据的系统及方法。
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公开(公告)号：CN103246171B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210452518.X
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2022 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/20 , G03F7/704 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , Y10S430/143
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法。一种示例性方法包括接收包括格上目标图案的集成电路(IC)布局。所述方法进一步包括接收多栅格结构。所述多栅格结构包括在第一方向上相互偏移一定偏移量的许多曝光栅格段。所述方法进一步包括实施多栅格曝光以将所述目标图案曝光在衬底上，从而在所述衬底上形成电路部件图案。实施多栅格曝光包括：在第二方向上扫描具有多栅格结构的衬底使得在所述第一方向上发生所曝光的目标图案的亚像素位移，以及使用增量时间(Δt)使得在所述第二方向上发生所曝光的目标图案的亚像素位移。本发明还公开了多栅格曝光方法。
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公开(公告)号：CN103376670B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310126502.4
申请日：2013-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70058 , G03F7/20 , G03F7/2051 , G03F7/2059 , G03F7/70291 , G03F7/70625 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G06F17/5081
Abstract: 本发明提供了以系数n减小临界尺寸(CD)的光刻工艺的方法的一个实施例，其中，n＜1。该方法包括：提供具有第一像素尺寸S1的图案生成器，以产生具有第二像素尺寸S2(S2＜S1)的交替数据网格，其中，图案生成器包括被配置在第一方向上彼此偏移的多个网格段；以及在垂直于所述第一方向的第二方向上扫描图案生成器，使得网格段的每个后续段被控制，以相对于网格段的在先段，网格段的每个后续段具有一个时延。
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公开(公告)号：CN103165417A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210199482.9
申请日：2012-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033 , G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70633 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法。一种示例性方法包括通过第一曝光在第一层中形成第一结构，以及确定第一结构的布置信息。所述方法进一步包括通过第二曝光在位于第一层上方的第二层中形成第二结构，以及确定第二结构的布置信息。所述方法进一步包括通过第三曝光在位于第二层上方的第三层中形成包括第一和第二子结构的第三结构。形成第三结构包括独立地将第一子结构与第一结构对准以及独立地将第二子结构与第二结构对准。本发明还公开了多层图案化覆盖拆分方法。
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公开(公告)号：CN102683182A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110352647.7
申请日：2011-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01J37/317
CPC classification number: G03F7/2059 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3007 , H01J37/317 , H01J37/3177 , H01J2237/31761 , H01J2237/31774
Abstract: 一种电子束写入系统以及电子束写入方法，该方法包括：配置一介质在一电子束写入装置中，以使得上述介质通过一平台的协助，且曝光于一电子束源之下；以及通过使用上述电子束源的多个独立控制电子束，写入一图形至上述介质中，其中上述图形包括多个书写带，以及其中还使用上述独立控制电子束中的多个电子束写入每一平行的上述书写带。本发明的电子束写入方法更为有效。
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