公开(公告)号：CN106653744A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610624175.9

申请日：2016-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈颉彦 ,  郭鸿毅 ,  王垂堂 ,  蔡豪益 ,  余振华 ,  陈韦廷 ,  曾明鸿 ,  林彦良

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/768 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/24

Abstract: 一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN106486442A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610061363.5

申请日：2016-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汤子君 ,  张守仁 ,  陈韦廷 ,  林胤藏 ,  陈颉彦 ,  王垂堂 ,  吴凯强 ,  吕俊麟

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/532 ,  H01L23/60

Abstract: 一种半导体结构包括：衬底、设置在衬底上方的管芯，以及包括：设置在管芯上方的管芯焊盘和设置在管芯的外围处并且与管芯焊盘电连接的密封环、设置在管芯上方的聚合物层、延伸穿过聚合物层并且与管芯焊盘电连接的通孔，和设置在衬底上方并且围绕管芯和聚合物层的模塑件，其中，密封环配置为接地。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN222775008U

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202421009765.7

申请日：2024-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡仲豪 ,  钱清河 ,  陈韦廷 ,  王垂堂 ,  余振华

IPC: G11C13/04 ,  G06N10/00

Abstract: 一种量子存储器装置，包括波导、存储器单元以及控制电路。波导设置以空间性地局限光子路径于其中；存储器单元包括微环共振器、频率调整器、与量子存储器材料部分，其中微环共振器的第一部分平行于波导的部分，频率调整器设置为调整微环共振器的第二部分之中或周围的有效折射率以调整微环共振器中的光子共振频率，且量子存储器材料部分包括的量子存储器材料具有基态与储存光子于其中的激发态，并位于微环共振器的第三部分之中或之上；控制电路设置以在捕获光子操作的第一步骤时调整微环共振器中的光子共振波长以匹配预定波长，并产生多个捕获光子于微环共振器中。

公开(公告)号：CN221447166U

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202322458885.7

申请日：2023-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹兆凯 ,  蔡仲豪 ,  王垂堂 ,  陈韦廷

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L23/64

Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例涉及一种半导体装置，其包括：晶体管，设置于衬底的第一侧处；第一介电层，设置于所述衬底的所述第一侧处且位于所述晶体管旁边；第一金属通孔，穿透过所述第一介电层且位于所述晶体管旁边；第一内连线结构，设置于所述衬底的所述第一侧之上且电性连接至所述晶体管及所述第一金属通孔；电容器，位于所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧处；第二介电层，设置于所述电容器旁边；第二金属通孔，穿透过所述第二介电层及所述衬底且着陆于所述第一金属通孔上；以及第二内连线结构，设置于所述衬底的所述第二侧之上且电性连接至所述电容器及所述第二金属通孔。

公开(公告)号：CN221010623U

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202322461790.0

申请日：2023-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡仲豪 ,  陈韦廷 ,  余振华 ,  王奕 ,  王垂堂

IPC: H10B10/00

Abstract: 一种半导体装置，包括第一存储器裸片，包括电性耦接到第一字元线的第一存储器单元、电性耦接到第一字元线的第二存储器单元以及电性耦接到第一字元线的第一内连线结构。半导体装置包括电路裸片，电路裸片包括第二内连线结构，第一内连线结构的第一导电特征通过金属对金属接合来接合到第二内连线结构的第二导电特征。电路裸片包括字元线驱动器，电性耦接到第一存储器单元和第二存储器单元之间的第一字元线，且通过第一内连线结构和第二内连线结构电性耦接到第一字元线。

公开(公告)号：CN222690681U

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202420941861.9

申请日：2024-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈韦廷 ,  蔡仲豪 ,  余振华 ,  王垂堂

IPC: H01L23/538 ,  H10N97/00

Abstract: 一种封装结构，包含第一芯片结构及互连结构，互连结构位于第一芯片结构的上方。封装结构也包含介电接合结构及金属接合结构，介电接合结构位于互连结构的上方，金属接合结构被介电接合结构侧向围绕。金属接合结构的顶表面与介电接合结构的顶表面实质上共平面。封装结构还包含导电通孔，导电通孔与金属接合结构连接并被介电接合结构侧向围绕。此外，封装结构包含第二芯片结构，与介电接合结构及金属接合结构直接接合。封装结构也包含电容器元件，电容器元件位于导电通孔旁并被介电接合结构侧向围绕。