-
公开(公告)号：CN108511426B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201711289180.X
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种实施例封装包括：集成电路管芯，包封在包封体中；贴片式天线，位于所述集成电路管芯之上；以及介电特征，设置在所述集成电路管芯与所述贴片式天线之间。所述贴片式天线在俯视图中与所述集成电路管芯交叠。所述介电特征的厚度是根据所述贴片式天线的工作带宽。
-
公开(公告)号：CN113053758A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549892.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 本发明实施例公开内连线器件、封装半导体器件及其制造方法，其涉及将局部硅内连线(LSI)器件和衬底穿孔(TSV)嵌入到具有紧凑封装结构的集成衬底上系统(SoIS)技术中。局部硅内连线器件可运用衬底穿孔集成嵌入到集成衬底上系统技术中，从而为集成衬底上系统器件中的衬底技术的超大集成扇出(InFO)提供管芯到管芯精细线连接布置。此外，可使用光刻或光刻胶限定的通孔来形成衬底穿孔连接层，以向球栅阵列封装(BGA)连接接口提供嵌入式局部硅内连线电源和接地输出。
-
公开(公告)号：CN106992160A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611187390.3
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/065 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2223/6677 , H01L2224/18 , H01L2225/06527 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L23/3135 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q1/50
Abstract: 本发明的实施例公开了封装的半导体器件以及封装半导体器件的方法。在一些实施例中，封装的半导体器件包括集成电路管芯、设置在集成电路管芯周围的第一模制材料以及设置在第一模制材料内的通孔。再分布层(RDL)的第一侧连接至集成电路管芯、通孔以及第一模制材料。第二模制材料设置在RDL的第二侧上方，RDL的第二侧与RDL的第一侧相对。该封装的半导体器件包括在第二模制材料上方的天线。
-
公开(公告)号：CN106486442A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610061363.5
申请日：2016-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/60
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/585 , H01L23/66 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/532 , H01L23/60
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底、设置在衬底上方的管芯，以及包括：设置在管芯上方的管芯焊盘和设置在管芯的外围处并且与管芯焊盘电连接的密封环、设置在管芯上方的聚合物层、延伸穿过聚合物层并且与管芯焊盘电连接的通孔，和设置在衬底上方并且围绕管芯和聚合物层的模塑件，其中，密封环配置为接地。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
-
公开(公告)号：CN104037142A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310224396.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/10165 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中，一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103855114A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310161102.7
申请日：2013-05-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L23/538 , H01L25/16 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/24 , H01L21/481 , H01L21/4885 , H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92125 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H05K1/181 , H05K2201/049 , H05K2201/10378 , H05K2201/10515 , H05K2201/10734 , H05K2201/2036 , Y02P70/611 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了用于封装管芯的具有阻拦件的中介层的方法和装置。中介层可以包括位于衬底上方的金属层。一个或多个阻拦件可以形成在金属层上方。阻拦件围绕一区域，该区域的尺寸大于可以被连接至该区域内的金属层上方的接触焊盘的管芯的尺寸。阻拦件可以包含导电材料或非导电材料，或两者都包含。底部填充物可以形成在管芯下方、金属层上方且包含在阻拦件所围绕的区域内，从而可以使底部填充物不溢出到阻拦件所围绕的区域外。另一封装件可以放置在连接至中介层的管芯上方以形成堆叠式封装结构。
-
公开(公告)号：CN103295986A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210189750.9
申请日：2012-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49816 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/03334 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05075 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/11334 , H01L2224/1184 , H01L2224/1191 , H01L2224/13005 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/207 , H01L2924/206 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供了形成用于堆叠封装件的连接件的机构。形成用于堆叠封装件的连接件的机构的所述实施例能够实现具有更细间距的更小连接件，该连接件实现了更小的封装件尺寸以及额外的连接。一个封装件上的导电元件部分地嵌入在该封装件的模塑料中从而与另一个封装件上的接触件或金属焊盘相接合。通过嵌入导电元件，可以将导电元件制造得更小并且在导电元件和模塑料之间不具有间隙。可以通过向连接件的最大宽度加入间隔边距来确定连接件的间距。其他封装件上的各种类型的接触件可以与导电元件相接合。
-
公开(公告)号：CN110299351B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201910220583.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 本发明的实施例是半导体器件及其形成方法，半导体器件包括具有有源侧和背侧的集成电路管芯，背侧与有源侧相对；密封集成电路管芯的模塑料以及位于集成电路管芯和模塑料上面的第一再分布结构，第一再分布结构包括第一金属化图案和第一介电层，第一金属化图案电连接至集成电路管芯的有源侧，第一金属化图案的至少部分形成电感器。
-
公开(公告)号：CN108511426A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201711289180.X
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种实施例封装包括：集成电路管芯，包封在包封体中；贴片式天线，位于所述集成电路管芯之上；以及介电特征，设置在所述集成电路管芯与所述贴片式天线之间。所述贴片式天线在俯视图中与所述集成电路管芯交叠。所述介电特征的厚度是根据所述贴片式天线的工作带宽。
-
公开(公告)号：CN108122863A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710907027.2
申请日：2017-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包含：第一裸片；第一模塑物，其囊封所述第一裸片；第二裸片，其放置于所述第一模塑物上方且包含第一表面、与所述第一表面对置的第二表面及介于所述第一表面与所述第二表面之间的侧壁；及第二模塑物，其放置于所述第一模塑物上方且环绕所述第二裸片，其中所述第二裸片的所述第一表面面向所述第一模塑物，且所述第二裸片至少部分地由所述第二模塑物覆盖。本发明实施例提供的半导体结构具有经暴露部分或经暴露表面的裸片促进预定感测功能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.039 seconds)
