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公开(公告)号：CN112992824A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011421587.5
申请日：2020-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：多个平板天线，被第一包封体包封；器件管芯，在垂直方向上与多个平板天线间隔开且电耦合到多个平板天线；以及至少一个重布线结构，设置在多个平板天线与器件管芯之间，且包括在侧向上环绕多个平板天线中的每一者的电磁带隙(EBG)结构。
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公开(公告)号：CN104051384B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201310359548.0
申请日：2013-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/05556
Abstract: 本发明公开了在封装器件的再分布层（RDL）处减小应力集中的方法和装置。封装器件可以包括位于钝化层上方的晶种层，以覆盖钝化层的开口，且覆盖接触焊盘并与接触焊盘接触。在钝化层上方形成RDL，RDL位于晶种层上方且与晶种层接触，以覆盖钝化层的开口，且通过晶种层电连接至接触焊盘。RDL具有包含非直角的平滑表面的端部。RDL的端部表面可以具有钝角或曲面。
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公开(公告)号：CN103871991B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310088383.8
申请日：2013-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/52 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5386 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05572 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1144 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1712 , H01L2224/26175 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06575 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K1/0284 , H05K1/0313 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K3/40 , H05K2201/09409 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本文公开了一种用于在封装管芯中使用的具有阻拦件的中介层的方法和装置。一种中介层可以包括位于衬底上方的金属层。多个阻拦件可以围绕金属层的每个角部形成在金属层上方。可以在中介衬底的两个面上都形成阻拦件。阻拦件围绕一区域，在该区域中可以设置用于与其他封装件连接的连接件，诸如焊料球。非导电阻拦件可以形成在阻拦件上方。底部填充物可以形成在连接至连接件的封装件下方、金属层上方且包含在角部阻拦件所围绕的区域内，从而使得连接件被底部填充物保护得很好。也可以在印刷电路板上进一步形成这样的阻拦件。
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公开(公告)号：CN110957305A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910922374.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包括芯片封装、天线图案及绝缘层。芯片封装包括半导体管芯及包围半导体管芯的绝缘包封体。天线图案电耦合到芯片封装，其中天线图案的材料包括具有熔融金属颗粒的导电粉末。绝缘层设置在芯片封装与天线图案之间，其中天线图案包括接触绝缘层的第一表面及与第一表面相对的第二表面且第二表面的表面粗糙度大于第一表面的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN110783284A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910680355.2
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/552 , H01L25/16 , H01L21/60 , H01L23/482 , H01L23/488
Abstract: 一种封装体包括半导体封装体、衬底及第二绝缘包封体，半导体封装体包括半导体管芯及第一绝缘包封体。第一绝缘包封体包封半导体管芯。衬底包括重布线路电路，其中衬底通过重布线路电路电耦合到半导体封装体。第二绝缘包封体设置在衬底上且局部地覆盖衬底，其中衬底夹置在半导体封装体与第二绝缘包封体之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104425419B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310594171.7
申请日：2013-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的多个接触焊盘。接触焊盘被布置为球栅阵列（BGA），并且BGA包括多个拐角。金属坝被设置在BGA的多个拐角中的每一个拐角周围。
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公开(公告)号：CN104425419A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310594171.7
申请日：2013-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的多个接触焊盘。接触焊盘被布置为球栅阵列（BGA），并且BGA包括多个拐角。金属坝被设置在BGA的多个拐角中的每一个拐角周围。
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公开(公告)号：CN103794568A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310071559.9
申请日：2013-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/4853 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83385 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种集成电路，包括在顶面上方具有至少一个凹陷的衬底。至少一个焊料凸块设置在衬底上方。管芯设置在至少一个焊料凸块上方并通过至少一个焊料凸块与衬底电连接。底部填充物环绕至少一个焊料凸块并形成在衬底和管芯之间。至少一个凹陷设置在底部填充物周围以使来自底部填充物的任意溢出物保留在至少一个凹陷中。本发明还提供了集成电路底部填充方案。
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公开(公告)号：CN108122863A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710907027.2
申请日：2017-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包含：第一裸片；第一模塑物，其囊封所述第一裸片；第二裸片，其放置于所述第一模塑物上方且包含第一表面、与所述第一表面对置的第二表面及介于所述第一表面与所述第二表面之间的侧壁；及第二模塑物，其放置于所述第一模塑物上方且环绕所述第二裸片，其中所述第二裸片的所述第一表面面向所述第一模塑物，且所述第二裸片至少部分地由所述第二模塑物覆盖。本发明实施例提供的半导体结构具有经暴露部分或经暴露表面的裸片促进预定感测功能。
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公开(公告)号：CN106653735A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610719305.7
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/81 , H01L24/96 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/81024 , H01L2224/81815 , H01L2224/81911 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件，包括：半导体管芯，半导体管芯具有设置在半导体管芯的周边中的防护环。半导体器件还包括位于防护环上方的导电焊盘。半导体器件还具有部分地覆盖导电焊盘的钝化件和位于钝化件上方的钝化后互连件(PPI)，并且钝化件包括凹槽以暴露导电焊盘的一部分。在半导体器件中，导体从凹槽向上延伸并且连接至PPI的一部分。本发明的实施例还提供了半导体器件及其制造方法。
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