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公开(公告)号：CN111118477A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911345534.7
申请日：2016-05-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , 段子青 , A·A·哈贾 , Z·J·叶 , A·K·班塞尔
IPC: C23C16/458 , C23C16/36 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 公开了赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层。本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼-碳-氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。
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公开(公告)号：CN110808201A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910717559.9
申请日：2019-08-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了一种用于处理腔室的面板。所述面板具有主体，所述主体具有多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成。挠曲件形成在所述主体中，部分地包围所述多个孔隙。切口在与所述挠曲件的公共半径上穿过所述主体形成。一个或多个孔口从所述切口的径向内表面延伸到所述主体的外表面。加热器设置在所述挠曲件与所述多个孔隙之间。所述挠曲件和所述切口是限制来自所述加热器的热传递从其经过的热扼流器。
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公开(公告)号：CN107636197A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680029154.0
申请日：2016-05-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , 段子青 , A·A·哈贾 , Z·J·叶 , A·K·班塞尔
IPC: C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼-碳-氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。
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公开(公告)号：CN119082711A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411193850.8
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509 , C23C16/458 , H01J37/32 , H01R4/66
Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。
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公开(公告)号：CN118814139A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410878594.X
申请日：2020-06-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中，且经配置以偏转净化气体的轨迹。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112088426B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201980030846.0
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455 , H05H1/46
Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。
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公开(公告)号：CN113906159B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202080041335.1
申请日：2020-06-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中，且经配置以偏转净化气体的轨迹。
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公开(公告)号：CN113169101B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201980082733.5
申请日：2019-11-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开内容涉及用于基板处理腔室的泵送装置、泵送装置的部件以及与泵送装置相关联的方法。在一个示例中，一种用于基板处理腔室的泵送环包括主体。主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。泵送环还包括由上壁、下壁、内径向壁和外径向壁限定的环状体。泵送环还包括在主体中的第一排气口和在主体中的第二排气口，第一排气口流体耦接至环状体，第二排气口流体耦接至环状体。泵送环还包括设置在环状体中与第一排气口相邻的第一挡板，以及设置在环状体中与第二排气口相邻的第二挡板。
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公开(公告)号：CN112640078B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201980057950.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 基板处理系统包括处理腔室，所述处理腔室包括定位在所述处理腔室中的基板支撑件。所述基板处理系统包括阀系统，所述阀系统流体耦接到所述处理腔室，并且被配置成控制进入所述处理腔室中的气体的流量。所述阀系统包括主流动线路和第一气体源流动线路，所述第一气体源流动线路通过第一气体源阀流体耦接到所述主流动线路。所述阀系统包括第二气体源流动线路，所述第二气体源流动线路通过第二气体源阀流体耦接到所述主流动线路。所述第一气体源阀和所述第二气体源阀串联式定位在所述主流动线路内。
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公开(公告)号：CN110211859B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910514110.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , C23C16/509 , C23C16/458
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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