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公开(公告)号：CN1253944A
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：CN99120546.4
申请日：1999-09-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C07C267/00 , C08G18/02 , C08G18/70 , C08G73/00 , C09J7/00
CPC classification number: C07C267/00 , Y10T428/31721
Abstract: 含有以下式(1)表示的结构单元的芳香族聚碳化二亚胺,显示优异的低吸湿性、高耐热性和低介电常数。(式中,Q系选自－CH2－(见式(2))、之一,m为0或1,A为碳原子数小于4的二价有机基团,Ph为苯基,Q为(见式(3))时,X为氢原子,Q为－CH2－时,X表示相同或不同的卤原子,n表示2～300的整数。
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公开(公告)号：CN104946152B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201510148818.2
申请日：2015-03-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供利用低温下的扩展也能引发半导体晶圆、芯片接合薄膜的断裂的切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。一种切割薄膜，其具备基材和设置于该基材上的粘合剂层，由MD方向和TD方向各自在0℃下负荷拉伸应力时的应力‑应变曲线求出的MD方向的储能模量设为E’MD1、TD方向的储能模量设为E’TD1时，E’MD1/E’TD1为0.75以上且1.25以下。
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公开(公告)号：CN104946151B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201510147698.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/30 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。所述芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上。
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公开(公告)号：CN104946149B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201510145546.0
申请日：2015-03-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J161/06 , H01L21/683
Abstract: 带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供在低温状态下运送时能够抑制产生裂纹、伤痕、并且能够抑制切割片与芯片接合膜剥离的带有切割片的芯片接合膜。一种带有切割片的芯片接合膜，其为在切割片上设置有芯片接合膜的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，所述芯片接合膜在0℃下的损失弹性模量为20MPa以上且500MPa以下。
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公开(公告)号：CN105623580B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201510834272.6
申请日：2015-11-25
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J133/00 , C09J161/06 , C09J11/04 , C09J7/20 , C09J7/30 , H01L21/683
Abstract: 本发明的目的在于，提供可以在短时间内固化、可以减少铜线与焊盘的接合不良、半导体芯片的破裂的粘接片、带有切割片的粘接片。本发明提供一种粘接片，其在利用以3分钟从25℃升温到175℃、然后将175℃维持3小时的条件下的DSC测定描绘的DSC曲线中，从到达175℃到反应峰消失的时间少于30分钟，在10Hz下对通过在175℃加热30分钟使之固化而得的固化物的粘弹性进行测定，由此得到的200℃的拉伸储能弹性模量为100MPa以上。本发明提供带有切割片的粘接片，其具备基材及配置于基材上的粘合剂层的切割片、和配置于粘合剂层上的粘接片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104946146B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201510141488.4
申请日：2015-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/29 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , H01L21/683
Abstract: 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供能够容易地确认半导体芯片的碎片的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)，并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，T1为80％以上，T1与T2之差(T1‑T2)为20％以下。
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公开(公告)号：CN104733401B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201410818588.1
申请日：2014-12-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/20
Abstract: 本发明涉及粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明的课题在于，提供能够成品率良好地制造高可靠性的半导体装置的粘接薄膜及其用途。本发明为一种粘接薄膜，其用于将固定于被粘物上的第1半导体元件包埋、并将与该第1半导体元件不同的第2半导体元件固定于被粘物，其在120℃下且剪切速度50s‑1下的熔融粘度为50Pa·s以上且500Pa·s以下。热固化前的该粘接薄膜的25℃下的储能模量优选为10MPa以上且10000MPa以下。
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公开(公告)号：CN103515276B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201310263748.6
申请日：2013-06-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/3121 , H01L24/16 , H01L24/42 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/03 , H01L25/50 , H01L2224/05599 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06575 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20754 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。一种胶粘薄膜，用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上，其中，具有比所述第一半导体元件的厚度T1更厚的厚度T，所述被粘物与所述第一半导体元件被丝焊连接、并且所述厚度T与所述厚度T1之差为40μm以上且260μm以下，或者所述被粘物与所述第一半导体元件被倒装连接、并且所述厚度T与所述厚度T1之差为10μm以上且200μm以下。
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公开(公告)号：CN105623533A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510812627.1
申请日：2015-11-20
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , C09J4/00 , H01L24/80 , H01L24/85 , H01L2224/80 , H01L2224/858
Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低半导体芯片的振动且能够减少芯片破裂、焊线与焊盘的接合不良的粘接片等。本发明涉及一种粘接片，其130℃的拉伸储存弹性模量为1MPa～20MPa，130℃的tanδ为0.1～0.3。
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公开(公告)号：CN104946151A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510147698.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/683 , H01L21/78
CPC classification number: H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/00011 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。所述芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上。
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