公开(公告)号：CN105122957B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201480019731.9

申请日：2014-04-09

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 堺丈和

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K3/3494 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/8138 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81409 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3484 ,  H05K3/3489 ,  H05K2203/0425 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/0568 ,  H05K2203/0769 ,  H05K2203/0776 ,  H05K2203/0789 ,  H05K2203/124 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一种焊料电路基板的制造方法，其特征在于，依次进行以下工序：抗蚀剂形成工序，该工序由抗蚀剂部分地覆盖印刷布线板上的导电性电路电极表面；粘着部形成工序，该工序对所述导电性电路电极表面之中没有被抗蚀剂覆盖的部分赋予粘着性而形成粘着部；焊料附着工序，该工序使焊料粉末附着在所述粘着部；抗蚀剂除去工序，该工序除去所述抗蚀剂；和第1加热工序，该工序加热所述印刷布线板而使焊料粉末熔融。

公开(公告)号：CN103972140B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310150867.0

申请日：2013-04-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林俊成 ,  洪瑞斌

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/98 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/10 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L25/03 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099

摘要： 本发明公开了封装方法及封装半导体器件。在一些实施例中，封装半导体器件的方法包括：在载体上形成第一接触焊盘；在第一接触焊盘上方形成布线结构；以及在布线结构上方形成第二接触焊盘。第一封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第一组，第二封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第二组。移除载体。第二封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型。

公开(公告)号：CN106847784A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710061288.7

申请日：2012-06-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 绀野顺平 ,  西田隆文 ,  木下顺弘 ,  长谷川和功 ,  杉山道昭

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中，通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热，以使其一体化并电连接。其中，所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热，可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着，在倒装芯片的连接工序中，将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此，可减少焊锡的渗出量。

公开(公告)号：CN104217997B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310710945.8

申请日：2013-12-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林士庭 ,  叶宫辰 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/18 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/055 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1144 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L21/304 ,  H01L2224/11 ,  H01L2221/683 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的实施例包括半导体器件和形成半导体器件的方法。一个实施例是形成半导体器件的方法，该方法包括：将管芯接合至第一衬底的顶面，管芯电连接至第一衬底；以及在第一衬底的顶面上形成支撑结构，支撑结构与管芯物理间隔开，支撑结构的顶面与管芯的顶面共面。该方法进一步包括对第一衬底实施锯切工艺，该锯切工艺锯切穿过支撑结构。本发明还公开了3D的封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN102856220B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210229643.4

申请日：2012-06-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 绀野顺平 ,  西田隆文 ,  木下顺弘 ,  长谷川和功 ,  杉山道昭

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中，通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热，以使其一体化并电连接。其中，所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热，可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着，在倒装芯片的连接工序中，将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此，可减少焊锡的渗出量。

公开(公告)号：CN103907180B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201380003704.8

申请日：2013-08-05

申请人： 日本特殊陶业株式会社

发明人： 西田智弘 ,  森圣二 ,  若园诚

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H05K3/3452 ,  H01L2224/814 ,  H01L2924/15156 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/0594 ,  H01L2924/014

摘要： 布线基板包括绝缘性的基层、层叠于基层的绝缘层和导电性的连接端子。绝缘层具有：第1表面，其形成有开口部；第2表面，其在该开口部的内侧相对于第1表面向基层侧凹陷；以及壁面，其在开口部的内侧沿绝缘层相对于基层的层叠方向将第1表面与第2表面之间连接起来。连接端子自第2表面露出。第2表面具有最底部，该最底部在第2表面中位于最靠基层侧的位置，第2表面向基层侧呈凸状弯曲地将壁面与连接端子之间连接起来。长度L1与长度L2之间的关系满足L1>L2，该长度L1为壁面与最底部之间的沿与层叠方向正交的层叠面方向的长度，该长度L2为最底部与连接端子之间的沿层叠面方向的长度。

公开(公告)号：CN102237317B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010527780.7

申请日：2010-10-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴逸文 ,  黄见翎 ,  刘重希 ,  林正忠

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/13688 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种集成电路元件与封装组件，集成电路元件包括：半导体基底；导电柱，设置于半导体基底之上，具有侧壁表面与上表面；凸块下金属层，设置于半导体基底与导电柱之间，具有一表面区域邻接至导电柱的侧壁表面且由侧壁表面延伸；以及保护结构，设置于铜柱的该侧壁表面上与凸块下金属层的表面区域上，其中保护结构由非金属材料形成，且导电柱由含铜层形成。本发明的侧壁保护结构，覆盖凸块结构的侧壁表面的至少一部分，在铜柱侧壁上以及凸块下金属层的表面区域上的保护结构由至少一非金属材料层形成，例如介电材料层、高分子材料层或前述的组合。本发明能够避免铜柱侧壁被氧化，以及增加在铜柱侧壁与后续形成的底部填胶材料之间的粘着力。

公开(公告)号：CN105153954A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510557774.9

申请日：2011-07-28

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC分类号： C09J7/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2804 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜及其用途。本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，所述倒装芯片型半导体背面用膜包括粘合剂层和层压于粘合剂层上的保护层，其中保护层由具有玻璃化转变温度为200℃以上的耐热性树脂构成或由金属构成，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜为卷绕成卷形物的形式。

公开(公告)号：CN103915401A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310119638.2

申请日：2013-04-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄曜群 ,  庄其达 ,  曾明鸿 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047

摘要： 本发明公开了封装结构中的细长凸块结构，其中封装结构包括附接至衬底的芯片。芯片包括凸块结构，其包括具有沿着导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着导电柱的短轴测量的宽度(W)的导电柱。衬底包括焊盘区域和位于焊盘区域上方的掩模层，其中，掩模层具有露出部分焊盘区域的开口。芯片附接至衬底以在导电柱和焊盘区域之间形成互连件。开口具有沿着长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着短轴测量的第二尺寸(d2)。在一个实施例中，L大于d1，而W小于d2。

公开(公告)号：CN103000542A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210334825.8

申请日：2012-09-11

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 沈更新

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13541 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明揭露一具均匀高度的焊帽凸块(SOLDER CAP BUMP)的半导体封装结构。在一实施例中，该半导体封装结构包含一半导体基板，该基板包含复数个间隔设置的焊垫并位于该基板的上表面，以及一保护层形成于该焊垫上方，其中，有复数个焊垫开孔形成于保护层中以露出焊垫的至少一部分，有复数个焊帽凸块形成于该保护层中的焊垫开孔中，以及一具有复数个与焊帽凸块中的焊帽电连接的接线焊垫的承载基板。该焊帽凸块包含一位于一导电柱上方的焊帽，以及一图案化层，图案化涂布于导电柱之上表面以定义出一供焊球沉积之区域。该焊球可经回焊以形成该焊帽。