压电装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1156922C

    公开(公告)日:2004-07-07

    申请号:CN00128852.0

    申请日:2000-09-22

    摘要: 本发明提供了一种能够激励厚度延伸三次谐波振动的压电装置,它能够实现具有极好热稳定性的高性能振荡器。这种压电装置包含压电基片。压电基片由含有SrBi2Nb2O9作为主成份的压电材料形成。振动电极形成在压电基片的两个表面上。在位于振动电极之间并由重叠的振动电极确定的范围构成能量陷阱范围。将L/t值设置得小于9,其中,L表示平行于振动电极的直线与能量陷阱范围外周相交叉的两点之间的最大距离,t表示振动电极之间的距离。

    压电陶瓷组合物
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1089736C

    公开(公告)日:2002-08-28

    申请号:CN99102465.6

    申请日:1999-02-23

    IPC分类号: C04B35/495 H01L41/187

    CPC分类号: H01L41/1873 C04B35/495

    摘要: 本发明提供了一种压电陶瓷组合物,该组合物主要包含下式表示的组合物:(1-n)(K1-x-yNaxLiy)m(Nb1-zTaz)O3-nM1M2O3其中M1代表二价金属元素,如Mg、Ca、Sr或Ba;M2代表四价金属元素,如Ti、Zr、Sn或Hf;x,y,z,m和n满足下列关系:0.1≤x;y≤0.3;x+y<0.75;0≤z≤0.3;0.98≤m≤1.0和0<n<0.1。

    制造压电陶瓷的方法
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1287988A

    公开(公告)日:2001-03-21

    申请号:CN00126229.7

    申请日:2000-08-16

    摘要: 一种主要包括CaBi4Ti4O15或其它具有层状钙钛矿晶体结构,在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中,其中分散有粉末氧化锆,以防止咬住,样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点(如1245℃)的温度1265℃,使其熔融或半熔融。之后退火和固化,制得颗粒取向的陶瓷。这种方法能从主要包含具有层状钙钛矿晶体结构的化合物的陶瓷组合物制造颗粒取向的陶瓷,可提高压电陶瓷的机电系数。

    半导体传感器
    17.
    发明公开
    半导体传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN116194404A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202180058074.9

    申请日:2021-08-17

    IPC分类号: B82Y10/00

    摘要: 半导体传感器(1)具备:绝缘基板(11);半导体片(12),配置在绝缘基板(11)上,包含石墨烯或者碳纳米管;源极电极(13)以及漏极电极(14),配置在绝缘基板(11)上,与半导体片(12)电连接;氧化膜(15),配置为覆盖半导体片(12)的表面,包含二氧化硅、矾土或者它们的复合氧化物;和受体(16),配置在氧化膜(15)的表面。

    共振执行器
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101361204B

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN200680051274.7

    申请日:2006-12-20

    IPC分类号: H01L41/09 H01L41/187 H02N2/00

    CPC分类号: H01L41/187 H01L41/0906

    摘要: 本发明提供一种共振执行器,包括:具备以共振频率或共振频率附近的频率区域进行振动的变位元件的驱动部;和被上述变位元件驱动的被驱动部件。上述变位元件,具有由铋层状化合物组成的压电陶瓷基体。此外,优选变位元件的变位方向与压电陶瓷基体的极化方向为同一方向。此外,优选铋层状化合物的结晶轴的c轴在垂直于压电陶瓷基体的极化方向的方向上取向。优选c轴的取向度是Lotgering法下的75%以上。由此,饱和振动速度加大,即使提升振动速度,也不会导致该振动速度的不稳定,可以最大限度地抑制共振频率fr和机械品质系数Qm的下降,而且,即便施加高电场,也可以得到较大变位量。