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公开(公告)号：CN111417741A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201980006240.3
申请日：2019-06-28
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供了能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非腐蚀区域的发生的技术。本发明是在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜的溅射成膜装置。在本发明中，具有：磁控管发生用的磁石装置10，相对于一个溅射靶材7配置在与溅射面7a相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材7的溅射面7a的方向上移动；内侧屏蔽部21，接近配置在溅射靶材7的外周部的周围，被设为浮动电位；以及外侧屏蔽部22，设置在该内侧屏蔽部21的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。
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公开(公告)号：CN110088887B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880005600.3
申请日：2018-11-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , H01L21/285 , H02N13/00
Abstract: 一边使电介质的吸附对象物竖立设置一边使导电性薄膜生长。在吸附板14的上部设置的第一区域21配置第一正负电极31、41，在旋转轴线10和第一区域21之间设置的第二区域配置与第一正负电极31、41相比宽度广且间隔也广的第二正负电极32、42。一边向第一正负电极31、41施加第一电压而利用梯度力吸附电介质的吸附对象物一边使吸附板14从横向设置姿势变为竖立设置姿势，一边向第二正负电极32、42施加第二电压一边在吸附对象物8的表面使导电性薄膜生长。吸附对象物8持续被吸附，因此，不会从吸附板14脱落。在利用静电力开始吸附之后，当向吸附对象物和吸附板14之间导入热介质气体时，能够进行吸附对象物的温度控制。
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公开(公告)号：CN110088887A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201880005600.3
申请日：2018-11-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , H01L21/285 , H02N13/00
Abstract: 一边使电介质的吸附对象物竖立设置一边使导电性薄膜生长。在吸附板14的上部设置的第一区域21配置第一正负电极31、41，在旋转轴线10和第一区域21之间设置的第二区域配置与第一正负电极31、41相比宽度广且间隔也广的第二正负电极32、42。一边向第一正负电极31、41施加第一电压而利用梯度力吸附电介质的吸附对象物一边使吸附板14从横向设置姿势变为竖立设置姿势，一边向第二正负电极32、42施加第二电压一边在吸附对象物8的表面使导电性薄膜生长。吸附对象物8持续被吸附，因此，不会从吸附板14脱落。在利用静电力开始吸附之后，当向吸附对象物和吸附板14之间导入热介质气体时，能够进行吸附对象物的温度控制。
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公开(公告)号：CN109563615A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201880002937.9
申请日：2018-06-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明的溅射装置为通过溅射法在被处理基板上进行成膜的装置，包括：真空腔室；靶，设置在位于所述真空腔室内的阴极的表面上；基板保持部，以与所述靶相对的方式设置于所述真空腔室内，在所述基板保持部上设置被处理基板；和摇动部，用于使所述基板保持部相对于所述靶能够摇动。所述基板保持部中的所述被处理基板的摇动区域被设定为小于所述靶的溅蚀区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103459653A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201180069851.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3435
Abstract: 该阴极单元（220）用于成膜装置（200），包括：多个靶（C1、C2、C3），设置在成膜空间（50）内，并具有背板（204）、第一母材（205）、第二母材（206）和旋转轴（207），所述背板具有第一主面（204a）、第二主面（204b）、第一侧面（211）及第二侧面（212），多个旋转轴（207）以相互平行地排列的方式配置在同一平面内；多个控制部（E1、E2、E3），使所述旋转轴（207）旋转，并对所述靶（C1、C2、C3）施加用于溅射的电压；多个磁场生成部（H1、H2、H3），设置在靠近所述背板（204）的远离所述成膜空间（50）的表面的位置，使得在所述背板（204）的靠近所述成膜空间（50）的表面生成特定的分布磁场。
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公开(公告)号：CN103329257A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065526.2
申请日：2011-10-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , B65G49/06 , C23C14/50
CPC classification number: B65G49/063 , B65G49/061 , B65G2249/02 , C23C14/50 , C23C14/56 , H01L21/67706 , H01L21/67709 , H01L21/67712 , H01L21/6776
Abstract: 一种被处理体的运送机构具备：运送部件，在下部具备圆柱状的滑动轴并运送被处理体；支撑部件，由具备与所述滑动轴相接并引导所述运送部件的U字状的槽部的多个辊构成，在所述被处理体的运送机构中，所述滑动轴及所述辊中一方的至少接触部由包括硅、铝、氧及氮的块体构成，所述滑动轴及所述辊中另一方的至少接触部由不锈钢构成。
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公开(公告)号：CN102301196A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005656.2
申请日：2010-01-27
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: F27D19/00 , F27B5/04 , F27B17/0016 , F27D11/12 , F27D21/0014 , G01J5/0007 , G01J5/02 , G01J5/025 , G01J5/04 , G01J5/045 , G01J5/061 , G01J5/08 , G01J5/0893 , G01J5/12
Abstract: 提供一种控制大型的被加热对象基板的温度的技术。在加热室（6）的内部，在辐射加热机构（14）和被加热对象基板（12）对置的区域的侧方配置有温度检测装置（20）。加热装置（2）具有加热室（6）、辐射加热机构（14）、电源装置（25）、基板保持装置（11）、控制装置（15）和温度检测装置（20）。在控制装置（15）中内置有控制程序，通过控制程序控制电源装置（25）对辐射加热机构（14）的投入电力，使其发热，以使由温度检测装置（20）具有的热电偶（21）检测到的温度测量用基板（22）的温度成为设定温度。此外，在温度检测装置（20）中紧贴配置有循环路径（23），如果通过冷却装置（29）使冷媒流到循环路径（23）中，则能够将温度测量用基板（22）的温度从设定温度冷却到初始温度。
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公开(公告)号：CN111492088B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201980007096.5
申请日：2019-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/00 , C23C14/34 , H01L21/677
Abstract: 除去真空处理装置中的真空氛围中的灰尘。在真空处理装置（2）的搬运室（10）设置储藏室（12），在储藏室（12）内配置伪基板装置（20），借助带电装置（18）使伪基板装置（20）的捕集体（28）带电，向真空处理室（13a~13d）的内部搬入。各真空处理室（13a~13d）的内部的灰尘由于静电力而被吸附于被搬入的伪基板装置（20）的捕集体（2）。灰尘被捕集的伪基板装置（20）向大气氛围中取出，拆下捕集体（28）来洗涤，使伪基板装置（20）再生。
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公开(公告)号：CN108300968B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201810009976.3
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种在适用于将IGZO膜等的氧化物半导体作为沟道层的TFT的情况下，TFT的特性和可靠性优异的IGZO膜的成膜方法、以及适合于这样的IGZO膜的成膜的真空处理装置。将包含铟、镓和锌的烧结体设为靶体(42a)，在设置有该靶体的真空处理室(Vc4)内配置处理对象物(W)，真空处理室真空排气到规定的压力时，导入放电用气体和氧气，向靶体施加规定电力而对靶体进行溅射，由此通过反应性溅射在处理对象物的表面形成IGZO膜，这样的本发明的成膜方法包括在靶体的溅镀开始之前，将真空处理室内的水分压设为1×10‑5Pa～1×10‑3Pa的范围的工序。
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