公开(公告)号：CN102165570A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137929.6

申请日：2009-08-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  浅利伸 ,  桥本征典 ,  佐藤重光 ,  菊池正志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/203 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法以及制造装置，其可在活性层不暴露在大气环境中的情况下保护该活性层不被蚀刻剂侵蚀。本发明一个实施方式所述的场效应晶体管的制造方法包括：采用溅射法在基材上(10)形成活性层(15)(IGZO膜15F)的工序，其中，该活性层具有In-Ga-Zn-O系成分；采用溅射法在上述活性层上形成阻挡层(阻挡层形成膜16F)，该阻挡层用来保护上述活性层不被蚀刻剂侵蚀；以所述阻挡层作为掩膜对上述活性层进行蚀刻加工。采用溅射法形成阻挡层时，在形成活性层后可在该活性层不暴露在大气中的情况下形成阻挡层，所以能防止大气中的水分或杂质附着在活性层的表面而引起薄膜质量变差的情况出现。

公开(公告)号：CN100530546C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200580011103.7

申请日：2005-03-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 北添牧子 ,  大园修司 ,  伊藤博巳 ,  斋藤一也 ,  浅利伸

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供不将催化体加热到2000℃以上，抑制清洁气引起的催化体腐蚀劣化，在低成本下进行实用的清洁速度和良好的清洁的自洁式催化化学蒸镀装置。使从加热电源(6)和该加热电源(6)的各端子(6a)、(6b)间向反应容器(2)内的催化体(4)通入恒电流的导线(5a)、(5b)与反应容器(2)为电绝缘的状态，在已排气的反应容器(2)内导入含有卤素元素的清洁气，通过从加热电源(6)通电加热催化体(4)，使通过该加热而生成的活性种与附着在反应容器(2)内的附着膜反应而除去附着膜，此时，从恒压电源(8)以适当的极性在加热电源(6)的导线(5b)上外加适当值的直流偏压。

公开(公告)号：CN1842919A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000956.0

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。

公开(公告)号：CN111052397A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880058156.1

申请日：2018-10-17

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 菊池亨 ,  大园修司 ,  太田淳 ,  座间秀昭 ,  浅利伸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的一个技术方案所涉及的薄膜晶体管的制造方法包括在衬底上形成活性层。以能够与上述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域。通过等离子体CVD在上述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层。通过ALD在上述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层。在上述第二金属氧化物层的表面形成栅电极。

公开(公告)号：CN107527960A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710468365.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松崎淳介 ,  高桥明久 ,  齐藤一也 ,  浅利伸 ,  大園修司 ,  铃木英夫 ,  山口昇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/075 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208

Abstract: 本发明涉及HBC型晶体太阳能电池的制造方法以及HBC型晶体太阳能电池。该制造方法使用由第一导电型的晶体硅构成的基板，且依次包括：单独或者同时地形成i型的非晶Si层α和i型的非晶Si层β的工序；形成光致抗蚀剂的工序；通过利用掩模的离子注入法，将导电型与第一导电型相同的部位A以及导电型与第一导电型不同的部位B，以内部存在于非晶Si层β并且在该非晶Si层β的外表面侧暴露出一部分的方式，形成在通过光致抗蚀剂而相互分隔的位置的工序；对离子注入后的非晶Si层β进行退火处理的工序；以覆盖位于非晶Si层β的外表面侧的部位A、部位B以及光致抗蚀剂的方式来形成导电性部件的工序；以及去除被导电性部件覆盖的光致抗蚀剂的工序。

公开(公告)号：CN102177577B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN200980139868.7

申请日：2009-10-07

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  石桥晓 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  佐藤重光 ,  菊池正志

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/683 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67161 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6776 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。

公开(公告)号：CN101939829B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880122799.4

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森村太郎 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  中村久三

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的目的在于提供一种非晶硅型薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，以防止元件间的晶体管特性产生偏差，提高载流子迁移率，从而提高生产性。为达到上述目的，本发明的薄膜晶体管的制造方法以源极膜(71)与漏极膜(72)为掩膜用固体绿激光照射非晶硅膜(4)的信道部(41)，从而提高迁移率。因受到固体绿激光的照射，非晶硅膜的信道部被结晶化，所以，与现有技术使用准分子激光的方法相比，可使激光的振荡特性比较稳定。从而可用相同的输出功率对大型基板在其基板平面内进行激光照射，能够防止元件间的信道部的结晶度产生偏差。而且，还可延长激光振荡器的维修周期，从而可在降低装置的停机时间成本的同时提高生产性。

公开(公告)号：CN102177577A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200980139868.7

申请日：2009-10-07

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  石桥晓 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  佐藤重光 ,  菊池正志

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/683 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67161 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6776 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。

公开(公告)号：CN101939829A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200880122799.4

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森村太郎 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  中村久三

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的目的在于提供一种非晶硅型薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，以防止元件间的晶体管特性产生偏差，提高载流子迁移率，从而提高生产性。为达到上述目的，本发明的薄膜晶体管的制造方法以源极膜(71)与漏极膜(72)为掩膜用固体绿激光照射非晶硅膜(4)的信道部(41)，从而提高迁移率。因受到固体绿激光的照射，非晶硅膜的信道部被结晶化，所以，与现有技术使用准分子激光的方法相比，可使激光的振荡特性比较稳定。从而可用相同的输出功率对大型基板在其基板平面内进行激光照射，能够防止元件间的信道部的结晶度产生偏差。而且，还可延长激光振荡器的维修周期，从而可在降低装置的停机时间成本的同时提高生产性。

公开(公告)号：CN1938834A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009704.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 北添牧子 ,  伊藤博巳 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/02277 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3185

Abstract: 提供一种单位层后处理催化剂蒸镀装置及单位层后处理成膜方法，提高氮化硅膜等的面内均匀性、台阶覆盖率和膜的质量，并且在各单位层成膜后，进行表面处理，形成薄膜。将成膜过程(将含有硅烷气体和氨气的混合气体作为原料气体，以矩形脉冲状导入至反应容器(2)，使原料气体与催化剂(8)接触后热分解，在基板(5)上形成氮化硅膜)、一个表面处理过程(使氨气与催化剂8接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)、另一个表面处理过程(使氢气与催化剂(8)接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)作为1个周期，重复这1个周期的过程，对各单位层进行后处理，层叠薄膜。