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公开(公告)号：CN102131949A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133226.6
申请日：2009-10-21
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01L31/202 , C23C14/042 , C23C14/56 , H01L21/02104 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02642 , H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 该掩模包括：平板状的第一部分(44)，具有在相当于基板(11)的成膜区域(S1)的位置形成的开口部(41)和侧部，以平板状的第一部分(44)与所述基板(11)的被成膜面(11a)重叠的方式配置所述基板(11)；第二部分(43)，沿着所述第一部分(44)的所述侧部设置，覆盖所述基板(11)的侧面的至少一部分，在多张所述掩模(40、40a、40b、140、142、240、240a、240b、340、340a、340b)向其侧方排列时，彼此邻接的两张所述掩模的所述第二部分(43)分别互相重合，从而形成重合部(B)。
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公开(公告)号：CN100523282C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410045720.6
申请日：2004-05-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/086 , C23C14/352 , H01J37/3455
Abstract: 在本发明中，当靶(15)被溅射时，由于各个靶(15)相对基板(10)移动，溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对，可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外，在溅射时，由于不仅靶(15)相对基板(10)移动，磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动，因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而，如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动，则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动，以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。
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公开(公告)号：CN101496117A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028568.2
申请日：2007-07-26
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/086 , C01G9/00 , C01G9/02 , C01P2002/50 , C01P2004/62 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种电阻率低的透明导电膜。本发明的成膜方法是在真空环境中对以ZnO为主要成分、添加了Al2O3和B2O3的靶11进行溅射，从而在基板21表面形成透明导电膜，然后将该透明导电膜在300℃以上至400℃以下的温度下加热进行退火处理。由于得到的透明导电膜以ZnO为主要成分、并添加了Al和B，因此电阻率降低。根据本发明而成膜的透明导电膜适用于FDP等的透明电极。
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公开(公告)号：CN101133181A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680006500.X
申请日：2006-03-03
Applicant: 株式会社爱发科 , 爱发科材料股份有限公司
IPC: C23C14/34 , H01L21/285 , C22C1/02
CPC classification number: C22C1/026 , C23C14/3414
Abstract: 本发明安全添加在大气中易于起火的添加物来便宜地制作靶。在低氧环境气体中，往主材料中添加添加物，形成熔融状态的一次合金13，在大气环境中往熔融状态的一次合金13中添加主材料进行增量，制作二次合金。熔融或固体状态的一次合金13、18是稳定的，因此在大气中不起火。一次合金13、18比二次合金量少，因此用于形成一次环境气体的真空槽11为小型的即可。
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公开(公告)号：CN1693531B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN200510068427.6
申请日：2005-04-29
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01J37/3423 , C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3426
Abstract: 溅射靶及使用该靶的溅射方法。在现有技术的溅射靶构型下，在通过施加负DC电压或者高频电压到靶上产生等离子体期间，会导致电流从靶流向接地护罩。因此会产生一个问题，即由于靶的外周表面上不产生等离子体使靶外周的非腐蚀区域保留下来而不被溅射。这会由于充电诱发不正常放电，或者通过在非腐蚀区域上重沉积膜而在基片表面上形成颗粒，其对膜形成的重现性产生影响，减少靶的服务效能。这种问题能够通过本发明加以解决，其中在靶(T)体的溅射表面(Ts)和外周表面(Tc)彼此交叉的区域上形成围绕靶(T)体的倾斜表面(T2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103109363A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180044372.9
申请日：2011-09-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/205 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67017 , H01L21/67201 , H01L21/67706 , H01L21/6776
Abstract: 本发明在卸载室（16）内与基板（S）相向地设置限制从气体源供给的排出气体的流动的整流板（23），且与整流板（23）的表面相向地设置向卸载室（16）内导入排出气体的导入口（24）。
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公开(公告)号：CN101495664B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780028770.5
申请日：2007-07-26
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/086 , C23C14/5806
Abstract: 提供电阻率低的透明导电膜。本发明的成膜方法中，将以ZnO为主成分、添加有Al2O3和TiO2的靶(11)在真空氛围中进行溅射，在基板(21)表面上形成透明导电膜后，对该透明导电膜在250℃～400℃的温度下进行加热进行退火处理。得到的透明导电膜通过以ZnO为主成分、添加了Al和Ti，电阻率降低。通过本发明成膜的透明导电膜适于FDP等的透明电极。
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公开(公告)号：CN101971358A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980109023.3
申请日：2009-04-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/028 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 该太阳能电池的制造方法是在导电型为p型或n型的硅基板(1、21)上形成硅层(22、31)，所述硅层(22、31)包含与所述硅基板(1、21)不同导电型的掺杂物，对所述硅层(22、31)进行热处理，以使包含在所述硅层(22、31)中的掺杂物向所述硅基板(1、21)内扩散。
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公开(公告)号：CN1965101A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018438.1
申请日：2005-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/352
Abstract: 提供一种磁控管溅射方法以及磁控管溅射装置，可以大幅减少导致靶表面发生异常放电以及靶材料的沉积的非腐蚀区域。本发明涉及以电气独立的状态在真空中配置多个靶8A、8B、8C、8D，在靶8A、8B、8C、8D附近产生磁控管放电，并进行溅射的磁控管溅射方法。在本发明中，当溅射时，对相邻的靶8A、8B、8C、8D以预定的时序交替地施加相位相差180°的不同电压。
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