公开(公告)号：CN106715631B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201680002748.2

申请日：2016-07-08

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金丁鹤 ,  金熹正 ,  李光珠 ,  金塞拉 ,  金荣国 ,  南承希

IPC: C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J163/04 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J7/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及半导体用粘合剂组合物、包含所述半导体用粘合剂组合物的切割管芯粘结膜、以及涉及用于使用所述切割管芯粘结膜切割半导体的方法，所述半导体用粘合剂组合物包含具低吸湿性的热塑性树脂、含有软化点为50℃至100℃的基于联苯的环氧树脂的环氧树脂、以及含有基于酚醛清漆的酚树脂的固化剂，并且满足IPC/JEDEC水分敏感性测试水平1。

公开(公告)号：CN107076701B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201680003311.0

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金丁鹤 ,  金荣国 ,  李光珠 ,  金熹正 ,  金塞拉 ,  曹正镐 ,  南承希 ,  韩智浩

IPC: G01N27/447 ,  G01N27/404 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明涉及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法以及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的装置，所述装置用于所述方法中并且所述方法包括以下步骤：在5℃至250℃的温度下向聚合物膜施加电压同时使聚合物膜的一侧与包含金属离子、有机溶剂和水性溶剂的电解液相接触；以及在施加电压后，测量聚合物膜随时间的电阻变化率或电流变化率。

公开(公告)号：CN106414641B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201580005577.4

申请日：2015-12-23

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金熹正 ,  金丁鹤 ,  李光珠 ,  金塞拉 ,  金荣国 ,  南承希 ,  韩智浩

IPC: C09J133/14 ,  C09J163/00 ,  C09J163/04 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及一种用于接合半导体的粘合性树脂组合物，包括：具有低吸湿率的热塑性树脂、包含联苯类环氧树脂的环氧树脂、以及包含酚树脂的固化剂，其中在所述粘合性树脂组合物的固体含量中所述联苯类环氧树脂的含量为5重量％至25重量％；一种包括所述用于接合半导体的粘合性树脂组合物的固化产物的粘合膜；一种切割晶片接合膜，包含：基底膜、形成于所述基底膜上的压敏粘合层以及形成于所述压敏粘合层上且包含所述用于接合半导体的粘合性树脂组合物的粘合层；以及一种包括所述粘合膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN108012564A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201780002987.2

申请日：2017-03-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金丁鹤 ,  金熹正 ,  南承希 ,  李光珠 ,  金塞拉 ,  金荣国

IPC: H01L23/14 ,  C09J11/04 ,  C09J133/10 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J7/20 ,  H01L23/00

CPC classification number: C09J7/30 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J133/08 ,  C09J133/10 ,  C09J163/00 ,  C09J163/04 ,  H01L23/00 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明涉及半导体器件，其包括：形成在被粘物上的第一半导体元件；以及用于包埋第一半导体元件的粘合剂膜，其中粘合剂膜在高温下满足熔体粘度与重量损失率之间的预定比。

公开(公告)号：CN107924912A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201780003020.6

申请日：2017-03-31

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金丁鹤 ,  金熹正 ,  金塞拉 ,  李光珠 ,  南承希 ,  金荣国

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  C09J163/00 ,  C09J133/10

Abstract: 本发明涉及半导体器件，包括：通过倒装芯片连接固定至粘附体上的第一半导体元件；用于包埋粘附体与第一半导体元件之间的空间以及包埋第一半导体元件的粘合层；以及通过粘合层连接至第一半导体元件的第二半导体元件，其中粘合层具有预定的熔体粘度和触变指数。

公开(公告)号：CN106661412A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201680002140.X

申请日：2016-04-29

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金熹正 ,  金塞拉 ,  金丁鹤 ,  南承希 ,  曹正镐 ,  李光珠 ,  金荣国

IPC: C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J133/00 ,  C09J11/04 ,  C09J7/02

Abstract: 本发明涉及用于半导体的粘合膜，其可以更容易地掩埋不平坦，例如由于半导体基板的配线或连接至半导体芯片的配线等引起的不平坦，并且还可以没有特别限制地应用于各种切割方法以实现优异的可切割性，从而提高半导体封装工艺的可靠性和效率。

公开(公告)号：CN105264033B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201480031647.9

申请日：2014-12-29

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： S·R·金 ,  曹正镐 ,  金荣国 ,  金熹正 ,  李光珠 ,  金丁鹤 ,  南承希

IPC: C09J7/20 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08L63/00 ,  C09D133/04 ,  C09J7/29 ,  C09J133/04 ,  C09J2203/326 ,  C09J2400/22 ,  C09J2433/006 ,  C09J2463/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/27 ,  H01L2221/68304 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种切割膜，其包括:基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合层的交联度为80％至99％，还涉及一种包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。

公开(公告)号：CN107076657A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003312.5

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金荣国 ,  金丁鹤 ,  金熹正 ,  金塞拉 ,  曹正镐 ,  李光珠 ,  南承希 ,  韩智浩

IPC: G01N15/08

Abstract: 本发明涉及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法以及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的装置，所述方法包括以下步骤：向所述聚合物膜施加电压，同时使所述聚合物膜的至少一侧与包含金属离子、有机溶剂和水性溶剂的电解液接触；以及在施加电压后，测量所述聚合物膜随时间的电阻变化率或电流变化率。

公开(公告)号：CN105324454A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480021827.9

申请日：2014-12-12

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金荣国 ,  S·R·金 ,  金熹正 ,  曺正镐 ,  李光珠 ,  金丁鹤 ,  南承希

IPC: C09J11/00 ,  C09J133/04 ,  C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  H01L21/301

CPC classification number: C09J11/08 ,  C09J5/00 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J2201/128 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2475/00 ,  C09J2483/00 ,  H01L21/26 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜的粘着层的组合物，其包含：含有一个以上反应性官能团的硅化合物油；粘着粘合剂；和光引发剂，其中含有一个以上反应性官能团的硅化合物油与粘着粘合剂的重量比为0.01％至4.5％；涉及一种包括含有所述组合物的粘着层的切割膜、和包括所述切割膜的切割晶片接合膜、及使用所述切割晶片接合膜的半导体晶圆的切割方法。

公开(公告)号：CN115298242A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021448.X

申请日：2021-04-16

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 南承希 ,  李光珠 ,  金丁鹤 ,  赵安部 ,  金荣三

IPC: C08G59/62 ,  C09J163/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J7/30 ,  C09J7/20 ,  H01L33/56

Abstract: 本公开内容涉及固化剂、包含固化剂的用于半导体器件的粘合剂组合物、用于半导体器件的粘合剂膜和包括其的半导体封装件，所述粘合剂组合物表现出优异的粘合强度并且由于抑制开裂而具有优异的耐久性。