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公开(公告)号：CN111129114A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911365345.6
申请日：2019-12-26
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 一种Si基GaN外延低位错薄膜，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、低温GaN位错阻隔层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用低温GaN位错阻隔层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。
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公开(公告)号：CN110993689A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911322814.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，缓冲层是由GaN1/SiN/GaN2循环生长组成，包括GaN1晶核层、网状结构SiN薄层、GaN2填平层，主要通过控制这三子层生长环境中的NH3总量来控制其生长模式的不同，本发明通过循环生长GaN1/SiN/GaN2缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN109659363A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811385449.9
申请日：2018-11-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/45 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓HEMT结构低欧姆接触结构的制作方法，属于微电子技术领域，包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中漏电极和源电极分居栅电极的两端，栅电极与铝镓氮势垒层之间还设有介质层，在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于GaN基HEMT器件应用。
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公开(公告)号：CN109659362A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811384305.1
申请日：2018-11-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/45 , H01L21/285 , H01L21/335
Abstract: 一种基于氮化镓功率HEMT结构低欧姆接触电阻的结构及其制作方法，属于微电子技术领域，包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中漏电极和源电极分居栅电极的两端，栅电极与铝镓氮势垒层之间还设有介质层，在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于GaN基功率HEMT器件应用。
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公开(公告)号：CN109638071A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811384310.2
申请日：2018-11-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/45 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/452 , H01L29/66462
Abstract: 一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法，属于微电子技术领域，包括Si衬底、低温氮化铝成核层、铝镓氮过渡层一、铝镓氮过渡层二、铝镓氮过渡层三、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、分居两端的漏电极和源电极以及两者中间的栅电极，上述各层从下至上依次排布，其中在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，栅电极和铝镓氮势垒层之间还设有栅介质层，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于Si衬底氮化镓HEMT器件应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119121157A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411175546.0
申请日：2024-08-26
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , C23C16/511 , C23C16/27 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及一种高迁移率的共掺杂金刚石及制备方法，包括步骤：提供未有意掺杂金刚石；在未有意掺杂金刚石表面制备氢终端结构，形成氢终端金刚石；在氢终端金刚石的氢终端结构表面制备待掺杂元素的本征薄膜；在预设温度下刻蚀本征薄膜，使得本征薄膜的待掺杂元素热扩散至氢终端结构中和未有意掺杂金刚石中并形成p型掺杂，得到共掺杂金刚石层。该制备方法可以有效修复磁控溅射对金刚石表面晶格的损伤，降低表面粗糙度，提高共掺杂金刚石的界面质量，同时在p型掺杂元素和同为p型导电的氢终端结构的共同作用下，氢终端金刚石的载流子迁移率得到大幅度提高，从而提高了共掺杂金刚石层的性能，进而可以用于制备高性能的金刚石微波功率器件。
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公开(公告)号：CN115224126A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210821107.7
申请日：2022-07-13
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种空间转移掺杂p型高迁移率耗尽型氢终端金刚石场效应管及其制备方法，场效应管包括：金刚石衬底、金刚石外延层、氢终端表面、空间隔离层、类受主层、源电极、漏电极和栅电极；源电极和漏电极位于氢终端表面上；空间隔离层位于源电极和漏电极之间的氢终端表面上方，空间隔离层的材料为h‑BN材料；类受主层位于空间隔离层上且覆盖空间隔离层的表面；栅电极位于类受主层上且位于源电极和漏电极之间。本发明通过在氢终端金刚石上方制备空间隔离层和类受主层介质，实现电荷由金刚石转移到类受主层介质，在金刚石表面形成高浓度二维空穴气层，并通过空间隔离层降低二维空穴气的电离杂质散射，从而提高了耗尽型器件载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN111816739B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010826165.X
申请日：2020-08-17
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法，其中，该发光二极管包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、n型GaN层、量子阱层和p型BN层；第一电极，设置在n型GaN层的上表面；第二电极，设置在p型BN层的上表面；其中，衬底层为Ga2O3材料，AlN成核层采用磁控溅射工艺制备。本发明的基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管，选取Ga2O3作为衬底层，Ga2O3与GaN晶格失配小，减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，另外，采用p型BN来提供空穴，由于Mg在BN中离化率较高，电导率也较高，从而进一步提高了器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN114530374A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011322843.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于溅射AlON/金刚石基板的HEMT器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取金刚石衬底并进行预处理；在所述金刚石衬底表面形成溅射AlON过渡层；在溅射AlON过渡层上依次生长GaN缓冲层、AlGaN势垒层以及GaN帽层；在GaN帽层上制作金属电极以完成器件的制备。本发明通过在金刚石衬底与GaN缓冲层之间引入溅射AlON过渡层，可以实现在金刚石衬底上直接生长GaN及其异质结构，避免了传统方法中的衬底剥离和键合技术对器件造成的影响，提高了器件性能，且工艺简单。
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公开(公告)号：CN114496789A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111602296.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种增强型晶体管的制备方法及增强型晶体管，其中的方法包括如下步骤：提供包含第一半导体层和第二半导体层的异质结；第二半导体层形成于第一半导体层上，异质结中形成有二维电子气；第二半导体层包括第一势垒层、插入层和第二势垒层，插入层的热分解温度低于第二势垒层的热分解温度；对第二半导体层进行干法刻蚀形成延伸至插入层中的第一凹槽；对第一凹槽进行热分解刻蚀，形成第二凹槽；在第二凹槽中外延生长P型掺杂层；制备源极、漏极和栅极；源极和漏极均生长于第二半导体层内，栅极位于源极和漏极之间，且栅极生长于P型掺杂层上。通过执行本发明中的方法，能够实现高性能增强型晶体管器件的制备。
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