公开(公告)号：CN103975234A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280056022.9

申请日：2012-11-15

申请人： 原子能及能源替代委员会

发明人： J·拉蒙塔涅 ,  T·布莱 ,  P·贝尔纳

IPC分类号： G01N23/225 ,  H01J37/28

CPC分类号： G01N23/2204 ,  G01N23/2252 ,  H01J37/185 ,  H01J37/252 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/204

摘要： 本发明涉及一种分析装置(10)，其具有：主包壳体(11)，其配有辅助包壳体(15)；微探针(14)，其布置在主包壳体中并配有减压室(26)和物件运动件(20，22)；以及样品活动支承件(28)，其从辅助包壳体至减压室以及从减压室至物件运动件是能移动的。减压室和物件运动件每个都具有一个样品活动支承件的导向构件(57，59)以及一个检测样品活动支承件出现的检测传感器(60)。

公开(公告)号：CN1242456C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200310116459.X

申请日：1996-06-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全在善 ,  金元永 ,  梁允模 ,  蔡胜基

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/203 ,  H01L21/00 ,  C23C14/56

CPC分类号： H01L21/67748 ,  C23C14/566 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32743 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67739 ,  Y10S414/139

摘要： 一种半导体器件制造设备，包括：用于制造半导体器件的加工室；用于与上述的加工室连通的许多装料预真空室，用于装传送到上述的加工室的半导体晶片；用于降低上述的许多装料预真空室的压力的泵；使上述的装料预真空室与上述的泵连接的排气管，用来排除上述的装料预真空室的气体，上述的排气管包括许多条支管，每条支管与每个装料预真空室连接，和包含具有预定部分在直径上不同于其余部分的主管，其一端与上述的许多条支管连接而另一端与上述的泵连接；和安装在上述的排气管的预定部分内的阀。

公开(公告)号：CN108155137A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201710114246.5

申请日：2017-02-28

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 八幡橘 ,  高崎唯史

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  H01J37/18

CPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67766 ,  H01J37/185 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/68707

摘要： 本发明提供一种基板处理装置及半导体器件的制造方法，其目的在于提供能够不受限于基板种类地进行基板处理的技术。基板处理装置具有：预真空锁室，其具有对基板进行支承的第一支承部和第二支承部；第一搬运机构，其具有从预真空锁室的一侧向预真空锁室的内外搬运基板的镊钳；第二搬运机构，其具有从预真空锁室的另一侧向预真空锁室的内外搬运基板的镊钳；以及反应器，其对基板进行处理，第一支承部具有第一支承机构，该第一支承机构在与臂的进入方向正交的那侧的宽度以第一宽度分离，所述第二支承部具有第二支承机构，该第二支承机构以比第一宽度小的第二宽度分离。

公开(公告)号：CN107851546A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043780.5

申请日：2016-07-22

申请人： 艾克塞利斯科技公司

发明人： 阿曼·候赛诺维奇 ,  约瑟夫·费拉拉 ,  布瑞·泰瑞

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/18 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/185 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31705 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/6831

摘要： 本发明涉及一种将离子注入处理腔室(122)内的工件(118)的离子注入系统(100)，其进一步包括耦接至处理腔室的装载锁定腔室(136)及隔离腔室(146)，其中限定预注入冷却环境。隔离闸阀(150)选择性使预注入冷却环境与处理环境隔离，其中隔离腔室包括用于支撑并冷却工件的工件支撑件(152)。隔离闸阀是工件进入和离开隔离腔室的唯一进入路径。加压气体源(159)选择性将预注入冷却环境加压至大于处理压力的预注入冷却压，以使工件迅速冷却。工件转移臂(164)在各个腔室之间转移工件。控制器(166)经由对隔离闸阀、预注入冷却工件支撑件及加压气体源的控制而控制工件转移臂，并选择性使工件在隔离腔室中在预注入冷却压力下冷却至预注入冷却温度。

公开(公告)号：CN105340050B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201480035014.5

申请日：2014-07-11

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 上野敦史 ,  高须久幸 ,  武藤宏史

IPC分类号： H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/30

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/06 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/182 ,  H01J2237/1825 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/31749

摘要： 本发明的离子铣削装置具备真空室(105)、进行该真空室内的真空排气的排气装置(101)、在上述真空室内支撑离子束所照射的试样(102)的试样台(103)、加热上述真空室内的加热装置(107)、向上述真空室内导入作为热介质的气体的气源(106)、控制该气源的控制装置(110)，该控制装置在由上述加热装置进行的加热时，以上述真空室内的压力为预定的状态的方式控制。由此，在冷却试样进行离子铣削后大气开放时，可在短时间内进行用于抑制产生的结露等的温度控制。

公开(公告)号：CN104380426A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380033422.2

申请日：2013-06-04

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 长久保康平 ,  水尾考志

IPC分类号： H01J37/20

CPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/26 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/20207

摘要： 在现有的试料冷却支架中，若试料的朝向变换则冷却源容器也一同倾斜，而容纳的冷却源产生起泡。因此，提供一种试料冷却支架(13)，其具有机构(14、15、17、18)，该机构即使在使试料(1)向适于加工或者观察的朝向倾斜，也能够一边沿恒定方向保持冷却源容器的姿势一边冷却试料(1)。另外，提供一种冷却源容器，其在相对于外部空气对保持冷却源的内侧容器(23)进行真空绝热的外侧容器(21)安装有真空保持机构(24、25)。

公开(公告)号：CN103270583A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201180054249.5

申请日：2011-11-12

申请人： 艾克塞利斯科技公司

发明人： 威廉·D·李 ,  丹尼尔·R·泰戈 ,  谢泽仁

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67213 ,  H01J37/185 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/24585 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67248

摘要： 本发明提供一种用于在冷离子注入中消减凝露的离子注入系统、方法及设备。离子注入设备构造为将离子提供至放置在加工室中的工件。在该工件暴露于复数个离子的过程中，低温夹具支撑该工件。该低温夹具进一步构造为冷却该工件至加工温度，其中该加工温度系低于外部环境的露点。承载闸室将加工室的加工环境与外部环境隔离。光源在该工件存在于该承载闸室中的同时提供预定波长的电磁辐射至该工件，其中该预定波长或波长范围与该工件的最大辐射能量吸收范围有关，其中该光源构造为选择性地加热该工件。

公开(公告)号：CN102804329A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080025312.8

申请日：2010-06-23

申请人： 因特瓦克公司

发明人： B·阿迪比 ,  M·丘恩

IPC分类号： H01J37/08

CPC分类号： H01L31/1876 ,  C23C14/042 ,  C23C14/48 ,  H01J37/185 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/0437 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3365 ,  H01L21/2236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种离子注入方法，包括：在室的等离子体区内提供等离子体；正向偏置第一格栅板，其中第一格栅板包括多个孔；负向偏置第二格栅板，其中第二格栅板包括多个孔；使来自等离子体区中的等离子体的离子流过正向偏置的第一格栅板中的孔；使流过正向偏置的第一格栅板中的孔的离子的至少部分流过负向偏置的第二格栅板中的孔；以及向衬底注入流过负向偏置的第二格栅板中的孔的离子的至少部分。

公开(公告)号：CN1152626A

公开(公告)日：1997-06-25

申请号：CN96102265.5

申请日：1996-06-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全在善 ,  金元永 ,  梁允模 ,  蔡胜基

IPC分类号： C23C14/56

CPC分类号： H01L21/67748 ,  C23C14/566 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32743 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67739 ,  Y10S414/139

摘要： 提供一种使用真空系统的半导体器件制造设备。在通入气体进气口的预定部分里安装加热源。在排气管的预定部分里安装通气速度控制阀，用于通过控制其开口度控制气体从装料预真空室向泵流动的速度。排气管具有不同直径的主管以降低通气速度。由于避免在装料预真空室中气体的绝热膨胀，所以能够减少凝聚—引起的微粒形成。

公开(公告)号：CN108538692A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201710120644.8

申请日：2017-03-02

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 李冬冬

IPC分类号： H01J37/18 ,  H01J37/32 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01J37/185 ,  H01J37/32733 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/67739

摘要： 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及升降门装置和晶片传输系统。该升降门装置包括连接模块、定位模块、传动模块和动力模块：连接模块用于连接腔室门和腔室，并与定位模块可活动连接；定位模块设置于与腔室门所在平面垂直的腔室的外壁，用于调节腔室门相对于腔室的距离，并限制传动模块在腔室的外壁的相对移动位置；动力模块设置于腔室的一端，与传动模块连接，用于为传动模块提供动力；传动模块设置于腔室与腔室门所在平面垂直的腔室的外壁，与定位模块可活动连接，用于在动力模块的动力驱动下沿平行于腔室门所在平面的方向移动。该升降门装置结构简单、装配调试简单，能准确限制腔室门的上升和下降，压紧和顶开过程中腔室门始终与腔室平行。