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公开(公告)号：CN101490824B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200780026734.5
申请日：2007-07-25
申请人： 硅源公司
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利
IPC分类号： H01L21/425 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67754 , H01J37/185 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/184 , H01J2237/30 , H01J2237/31 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 公开了一种使用连续的大面积扫描注入工艺制造掺杂基底的方法。在一个实施例中，本方法包括在具有进口和出口的腔中提供一种可移动的轨道构件。本方法也可以包括提供包括第一多个瓦片的第一基底。本方法包括将包括第一多个瓦片的第一基底从入口转移到可移动的轨道构件上。对第一多个瓦片实施扫描注入工艺。本方法也包括在真空中保持包括第二多个瓦片的第二基底。本方法包括将包括第二多个瓦片的第二基底从入口转移到可移动的轨道构件上。本方法包括使用扫描注入工艺对第二多个瓦片实施注入工艺。
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公开(公告)号：CN101179010B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710181228.5
申请日：2007-10-25
申请人： 爱德牌工程有限公司
发明人： 孙亨圭
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/00 , B01J3/00 , B01J3/02 , G02F1/1333 , C23F4/00
CPC分类号： H01L21/67126 , H01J37/185 , H01J37/32458 , H01J2237/184
摘要： 提供了一种使用等离子体的用于蚀刻基片的蚀刻装置的处理室，比如液晶显示(LCD)基片。该处理室可包括：室本体，其一个壁中形成有门缝；打开和关闭门缝内开口的旋转内门；以及旋转内门的门驱动机构。在蚀刻基片时，内门关闭以防止室本体内部与门缝相通。从而，其中形成等离子体的空间可维持对称，因此等离子体可均匀地分布在室本体内部。
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公开(公告)号：CN1148466C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN97111511.7
申请日：1997-05-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C23F1/08
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J2237/184 , H01L21/3065 , Y10S156/916
摘要： 本发明提供一种干式蚀刻器的残留气体去除装置及方法。在具有真空预备室及蚀刻室的、将晶片装入室内在其表面蚀刻薄膜的同时能将室内的反应气体向外抽吸及排出的干式蚀刻器中，设有加热装置或清洗装置，加热装置对蚀刻室进行加热使气体分子活性化、清洗装置对晶片进行清洗，从而使被送到蚀刻室外部的晶片表面上残留的反应气体不会在空气中冷凝及液化。由此不需要去除残留气体的其他工序设备，提高了制造工序的成品率。
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公开(公告)号：CN105612597B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201480052535.1
申请日：2014-09-05
申请人： 株式会社日立高新技术
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/16 , H01J37/32862 , H01J2237/184 , H01J2237/2002 , H01J2237/2003
摘要： 本发明的目的在于：提供不从带电粒子束装置(1)取出样本，就能够形成各种环境以及进行现场观察和分析的带电粒子束装置以及带电粒子束装置用样本保持装置。在本发明中，从与样本保持单元(6)相对的一侧插入具备使安装在样本保持单元的样本(10)的状态变化的功能的可装卸的逆侧入口部(17)，由此通过具有不同功能的逆侧入口部和样本保持单元的组合，能够不从带电粒子束装置取出样本地观察/分析不同过程中的样本的变化。逆侧入口部由2部分构成，前端的一部分能够卸下，在安装到样本保持单元后，能够在维持气氛的状态下直接输送，能够使样本不暴露到大气中地在不同的装置之间输送。
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公开(公告)号：CN102918621B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180026216.X
申请日：2011-05-26
申请人： 艾克塞利斯科技公司
发明人： 威廉·李
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/18 , H01J37/02
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/185 , H01J2237/006 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/24585
摘要： 本发明公开一种用于避免离子植入系统的端部站中的工件上的凝结的系统、装置和方法。工件在第一环境中被冷却，并且被转移至载荷锁定室，载荷锁定室分别地与端部站和第二环境选择性地流体连通。工件温度监测装置配置成用于测量在载荷锁定室中的工件的温度。外部监测装置测量第二环境中的温度和相对湿度，并且控制器配置成在工件从载荷锁定室转移至第二环境时工件上不会形成凝结的工件的温度。
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公开(公告)号：CN102543640A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110418980.3
申请日：2011-09-29
申请人： 卡尔蔡司NTS有限责任公司
IPC分类号： H01J37/28 , G01N23/225
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/265 , H01J2237/184 , H01J2237/20285 , H01J2237/20292 , H01J2237/216 , H01J2237/22 , H01J2237/221 , H01J2237/2482
摘要： 本发明涉及一种操作粒子束显微镜的方法，其中所述方法包括：探测从结构发出的光线和/或从结构发出的粒子的至少之一，其中所述结构包括至少下述之一：物体的表面的至少一部分和粒子束显微镜的载物台的表面的至少一部分；根据探测到的光线和粒子的至少之一生成所述结构的表面模型；相对于目标区域确定所述结构的表面模型的位置和定向；相对于所述结构的表面模型确定测量部位；以及，根据生成的所述结构的表面模型、确定的所述结构的表面模型的位置和定向以及确定的测量部位定位物体。
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公开(公告)号：CN1170777A
公开(公告)日：1998-01-21
申请号：CN97111511.7
申请日：1997-05-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C23F1/08
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J2237/184 , H01L21/3065 , Y10S156/916
摘要： 本发明提供一种干式蚀刻器的残留气体去除装置及方法。在具有真空预备室及蚀刻室的、将晶片装入室内在其表面蚀刻薄膜的同时能将室内的反应气体向外抽吸及排出的干式蚀刻器中,设有加热装置或清洗装置,加热装置对蚀刻室进行加热使气体分子活性化、清洗装置对晶片进行清洗,从而使被送到蚀刻室外部的晶片表面上残留的反应气体不会在空气中冷凝及液化。由此不需要去除残留气体的其他工序设备,提高了制造工序的成品率。
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公开(公告)号：CN103975234B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201280056022.9
申请日：2012-11-15
申请人： 原子能及能源替代委员会
IPC分类号： G01N23/225 , H01J37/28
CPC分类号： G01N23/2204 , G01N23/2252 , H01J37/185 , H01J37/252 , H01J2237/184 , H01J2237/204
摘要： 本发明涉及一种分析装置(10)，其具有：主包壳体(11)，其配有辅助包壳体(15)；微探针(14)，其布置在主包壳体中并配有减压室(26)和物件运动件(20，22)；以及样品活动支承件(28)，其从辅助包壳体至减压室以及从减压室至物件运动件是能移动的。减压室和物件运动件每个都具有一个样品活动支承件的导向构件(57，59)以及一个检测样品活动支承件出现的检测传感器(60)。
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公开(公告)号：CN102804329B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080025312.8
申请日：2010-06-23
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： H01J37/08
CPC分类号： H01L31/1876 , C23C14/042 , C23C14/48 , H01J37/185 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J2237/0437 , H01J2237/184 , H01J2237/201 , H01J2237/327 , H01J2237/3365 , H01L21/2236 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种离子注入方法，包括：在室的等离子体区内提供等离子体；正向偏置第一格栅板，其中第一格栅板包括多个孔；负向偏置第二格栅板，其中第二格栅板包括多个孔；使来自等离子体区中的等离子体的离子流过正向偏置的第一格栅板中的孔；使流过正向偏置的第一格栅板中的孔的离子的至少部分流过负向偏置的第二格栅板中的孔；以及向衬底注入流过负向偏置的第二格栅板中的孔的离子的至少部分。
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公开(公告)号：CN104380428A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380028481.0
申请日：2013-05-24
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/18
CPC分类号： H01J37/185 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/31701
摘要： 本发明涉及一种离子注入系统(101)，该系统向置于低于环境温度夹盘(130)上的处理腔室(122)的处理环境(126)中的工件(118)提供离子(112)。具有中间环境(138)的中间腔室(136)与外部环境(132)流体连通并具有用于冷却和加热工件(118)的冷却站(140)及加热站(142)。在处理腔室(122)与中间腔室(136)之间提供装载锁定腔室(150)，以使处理环境(126)与中间环境(138)隔离。正压源(166)在中间腔室(136)内提供干气(168)，中间腔室(136)的露点低于中间腔室外部环境(132)的露点。正压源通过自中间腔室流向外部环境的干气流而使中间环境与外部环境隔离。
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