公开(公告)号：CN101615423A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910150851.3

申请日：2009-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  徐顺爱 ,  曹永真 ,  皮雄焕 ,  裴智莹

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0841

Abstract: 提供一种信息存储装置以及操作所述装置的方法。所述信息存储装置包括：磁层，具有多个磁畴区以及置于磁畴区之间的磁畴壁；第一单元，布置在第一区域以将信息记录在第一区域，所述第一区域是多个磁畴区中的一个；第二单元，连接到第一单元以感应磁场，从而将信息记录在第一区域。

公开(公告)号：CN100356519C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN03153085.0

申请日：2003-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/283 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02181 ,  C01G27/02 ,  C01G27/04 ,  C01P2006/80 ,  C07F7/003 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了二氧化铪前体和利用该前体生成二氧化铪层的方法。二氧化铪层前体含有与HfCl4键合的氮化合物。

公开(公告)号：CN100356518C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN02150443.1

申请日：2002-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 提供了一种在基片上沉积介电层的方法。将用来防止下部电极的氧化和扩散的氧化隔离层插入基片和介电层之间以及介电层之间的界面中。由此，获得具有低漏电流和高电容的电容器。此外，通过调整晶格常数来控制介电常数，以便在大规模基片上形成具有高介电常数的多层结构。

公开(公告)号：CN1531032A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410028392.9

申请日：2004-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  徐范锡 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高k介电氧化物膜的步骤是：(a)将半导体衬底装载到ALD装置中；(b)在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和(c)通过氧化反应材料使得第一元素和第二元素同时氧化，在半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。在该方法中，减小了装置的尺寸，提高了产量，且降低了制造成本。而且该高k介电氧化物膜表现出高介电常数和低泄漏电流和陷阱密度。于是，包括作为介电膜的该高k介电氧化物膜的电容器也表现出低泄漏电流和陷阱密度。

公开(公告)号：CN1482653A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03153085.0

申请日：2003-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/283 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02181 ,  C01G27/02 ,  C01G27/04 ,  C01P2006/80 ,  C07F7/003 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了二氧化铪前体和利用该前体生成二氧化铪层的方法。二氧化铪层前体含有与HfCl4键合的氮化合物。

公开(公告)号：CN1467311A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03107258.5

申请日：2003-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵约赛 ,  裵恩珠 ,  崔原凤 ,  曹永真 ,  李正贤

IPC: C30B23/04 ,  C30B29/10 ,  C30B29/16 ,  C01G55/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01G55/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/893

Abstract: 本发明提供一种利用碳纳米管(CNT)作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成CNT或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。

公开(公告)号：CN109928746B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201811220408.4

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  朴贤哲 ,  郭灿 ,  金玄植 ,  梁大珍 ,  曹永真

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01G4/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及陶瓷电介质、其制造方法、陶瓷电子组件和电子设备。陶瓷电介质包括多个半导体晶粒，所述半导体晶粒包括包含钡(Ba)、钛(Ti)和稀土元素的半导体氧化物。陶瓷电介质还包括位于相邻的半导体晶粒之间且包括受体元素的绝缘性氧化物，所述受体元素包括锰(Mn)、镁(Mg)、铝(Al)、铁(Fe)、钪(Sc)、镓(Ga)、或其组合。

公开(公告)号：CN114141815A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202110648296.8

申请日：2021-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  金世润 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎 ,  曹永真

IPC: H01L27/24

Abstract: 本发明公开了一种存储器件、包括该存储器件的电子装置以及该存储器件的制造方法，其中该存储器件可以包括：绝缘结构，包括第一表面和在第一方向上从第一表面突出的突起部分；记录材料层，在绝缘结构上并沿着突起部分的突出表面延伸以覆盖突起部分并且延伸到绝缘结构的第一表面上；沟道层，在记录材料层上并沿着记录材料层的表面延伸；栅极绝缘层，在沟道层上；以及栅电极，形成在栅极绝缘层上在面对绝缘结构的第二表面的位置。绝缘结构的第二表面可以是突起部分的突出的上表面。

公开(公告)号：CN114079006A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110930323.0

申请日：2021-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  金度润 ,  金裕珉 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎 ,  曹永真

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供一种可变电阻存储器件以及包括该可变电阻存储器件的电子器件。该可变电阻存储器件包括可变电阻层以及在可变电阻层上彼此间隔开的第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层可以包括第一层和在第一层上的第二层。第一层包括三元或以上的金属氧化物，该三元或以上的金属氧化物包含具有不同化合价的两种或更多种金属材料。第二层可以包括硅氧化物。可变电阻存储器件可以由于在其中容易形成氧空位的金属氧化物而具有宽范围的电阻变化。第一导电元件和第二导电元件可以被配置为响应于所施加的电压而在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。

公开(公告)号：CN113964131A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110811914.6

申请日：2021-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真弘 ,  金世润 ,  曹永真

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供一种非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。非易失性存储器件的每个存储单元串包括：在第一方向上延伸的半导体层；在第一方向上交替地布置的多个栅极和多个绝缘体；在所述多个栅极与半导体层之间以及在所述多个绝缘体和半导体层之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层；以及在半导体层的表面上在第一方向上延伸的电阻变化层。电阻变化层包括包含半导体层的半导体材料和过渡金属氧化物的混合物的金属半导体氧化物。