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公开(公告)号：CN102194994A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110059136.6
申请日：2011-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/085 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种双极存储单元、包括其的存储器件及其操作和制造方法。该双极存储单元包括具有相反编程方向的两个双极存储层。所述两个双极存储层可经由设置在它们之间的中间电极彼此连接。所述两个双极存储层可具有相同的结构或者相对的结构。
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公开(公告)号：CN102194850A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110035623.9
申请日：2011-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L29/685 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/53
Abstract: 本发明公开了包括可变电阻材料的半导体器件、操作该半导体器件的方法、包括可变电阻材料的能够转换的存储器件、包括该半导体器件的存储卡和包括该半导体器件的电子系统。半导体器件使用具有根据施加的电压而变化的电阻的可变电阻材料作为沟道层。
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公开(公告)号：CN110729302A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910567771.1
申请日：2019-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种可变电阻非易失性存储器装置，其包括：半导体基底；第一导线，均在半导体基底上沿与半导体基体垂直的第一方向延伸，并在第二方向上间隔开。第二导线在第一导线的第一侧上沿与半导体基底平行的第二方向延伸，第三导线在第一导线的与第一侧相对的第二侧上沿第二方向延伸。第一非易失性存储器单元位于第一导线的第一侧上，并结合到第二导线和第一导线，第一非易失性存储器单元包括以第一序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极。第二非易失性存储器单元位于第一导线的第二侧上，并结合到第三导线和第一导线，第二非易失性存储器单元包括以第二序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极，第一序列和第二序列关于第一导线对称。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579500B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201310349372.0
申请日：2013-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 本发明提供了电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件。电阻开关材料元件包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层以及设置在电阻开关材料层与第一和第二电极中的任一个之间的自整流层。
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公开(公告)号：CN102298970B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110043409.8
申请日：2011-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。
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公开(公告)号：CN102832337A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210113464.4
申请日：2012-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1658 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供多位存储元件、包括多位存储元件的存储装置及其制造方法。所述存储元件可包括存储层和为存储层提供多位存储特性的辅助层。存储层可具有包括第一材料层和第二材料层的多层结构，并可因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可为供氧层，而第二材料层可为氧交换层。辅助层可包含氧化物。例如，辅助层可包含氧化硅层。可用金属至少部分地掺杂辅助层和/或存储层。例如，所述金属可以是钨。
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公开(公告)号：CN102568582A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110390449.X
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C2013/0073
Abstract: 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，该方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以使得将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值；感测流过施加了第一电压的可变电阻器件的第一电流；确定第一电流是否属于第一电流范围；以及如果第一电流不属于第一电流范围，则向可变电阻器件施加等于第一电压的附加第一电压。
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公开(公告)号：CN102298970A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110043409.8
申请日：2011-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。
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