公开(公告)号：CN101165881B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200710106343.6

申请日：2007-05-17

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种制造CMOS薄膜晶体管的方法，包括：提供衬底；在衬底上形成无定形硅层；在衬底上执行第一退火处理以及使无定形硅层结晶成多晶硅层；形成多晶硅层的图案以形成第一和第二半导体层；把第一杂质植入第一和第二半导体层；把第二杂质植入第一或第二半导体层；以及在半导体层上执行第二退火处理以除去残留在植入有第二杂质的第一或第二半导体层中的金属催化剂，其中按6×1013/cm2到5×1015/cm2的剂量植入第一杂质，并且按1×1011/cm2到3×1015/cm2的剂量植入第二杂质。

公开(公告)号：CN102386070A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259627.5

申请日：2011-08-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  李卓泳 ,  朴种力

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、一种形成薄膜晶体管的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。形成多晶硅层的方法包括：在基底上形成缓冲层；利用氢等离子体处理所述缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成用于使所述非晶硅层晶化的金属催化剂层；以及对所述非晶硅层热处理以形成多晶硅层。

公开(公告)号：CN102290335A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110167103.3

申请日：2011-06-16

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴承圭 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  郑胤谋 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  朴种力 ,  李卓泳 ,  郑在琓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种使硅层结晶的方法和制造薄膜晶体管的方法，该使硅层结晶的方法包括：在基板上形成催化剂金属层；在所述催化剂金属层上形成催化剂金属压盖图案；在所述催化剂金属压盖图案上形成第二非晶硅层；以及对所述第二非晶硅层进行热处理以形成多晶硅层。

公开(公告)号：CN102270570A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110156773.5

申请日：2011-06-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  李卓泳 ,  朴种力

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明公开了一种使硅层结晶的方法及一种使用该方法制造薄膜晶体管的方法，使硅层结晶的方法包括：在基底上形成非晶硅层；对非晶硅层的表面执行疏水性处理，以在非晶硅层上获得疏水性表面；在经历过疏水性处理的非晶硅层上形成金属催化剂；以及热处理其上包括金属催化剂的非晶硅层，以使非晶硅层结晶成多晶硅层。

公开(公告)号：CN102222608A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110087389.4

申请日：2011-04-06

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  李吉远 ,  崔宝京

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明公开了一种使硅层晶化的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。在基底上的缓冲层上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成密度为大约1011原子/cm2至大约1015原子/cm2的催化剂金属层。随着催化剂金属层的催化剂金属扩散到非晶硅层中，在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有锥形形状的晶化晶种。对非晶硅层进行热处理，从而随着由晶化晶种长成硅晶体，形成多晶硅层。

公开(公告)号：CN102201443A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110055020.5

申请日：2011-03-07

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谟 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  李卓泳 ,  朴钟力 ,  郑在琓

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L51/0081

Abstract: 本发明公开了一种基底、制造该基底的方法及包括该基底的有机发光显示装置。该基底包括：有源层，设置在基底上，有源层包括沟道区及源区和漏区；栅电极，设置在有源层上，沟道区与栅电极对应；栅极绝缘层，设置在有源层和栅电极之间；层间绝缘层，设置为覆盖有源层和栅电极，层间绝缘层具有部分地暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上，源区和漏区与源电极和漏电极对应；欧姆接触层，欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区。

公开(公告)号：CN101325220B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810125129.X

申请日：2008-06-13

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管(TFT)、TFT的制造方法和包括TFT的显示装置。TFT包括具有沟道区域的半导体层，并且源极和漏极区域采用晶化诱导金属晶化。晶化诱导金属通过不同于晶化诱导金属的金属或者不同于晶化诱导金属的金属的金属硅化物吸除。半导体层的沟道区域的长度和宽度与半导体层的泄漏电流满足下面的等式：Ioff/W＝3.4×10-15L2+2.4×10-12L+c，其中Ioff(A)是该半导体层的泄漏电流，W(mm)是该沟道区域的宽度，L(μm)是该沟道区域的长度，而″c″是常数，范围为2.5×10-13至6.8×10-13。

公开(公告)号：CN101315883B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810108798.6

申请日：2008-06-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李基龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供制作多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层；利用结晶诱导金属使非晶硅层结晶为多晶硅层；形成与多晶硅层中沟道区之外的区域相对应的多晶硅层的上方或下方接触的金属层图案或者金属硅化物层图案；以及退火该衬底以将存在于多晶硅层沟道区中的结晶诱导金属吸到具有金属层图案或者金属硅化物层图案的多晶硅层区域。此外，存在于多晶硅沟道区中的结晶诱导金属可以有效地去除，并且从而可以制作具有改良泄露电流特性的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的OLED显示装置。

公开(公告)号：CN101826548A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010123974.0

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  赵秀范 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  郑胤谟 ,  崔宝京 ,  朴钟力 ,  李基龙

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/3265 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括：基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；缓冲层，设置在所述基底上；栅极绝缘层，设置在基底上；下电容器电极，设置在电容器区域中的栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在基底上；上电容器电极，设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极，其中，缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有这样的表面，在这些表面中形成形状与半导体层的晶界的形状相同的突起。所得电容器具有增加的表面面积，因此增大了电容。

公开(公告)号：CN1649174B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200410103744.2

申请日：2004-11-22

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种通过使用金属诱导横向晶化工艺形成的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括绝缘衬底、由多晶硅形成的、并具有源极/漏极区和沟道区的有源层、以及在栅极绝缘层上形成的栅极电极。该有源层具有至少两个金属诱导横向晶化(MILC)区域。