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公开(公告)号：CN103219422A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310117393.X
申请日：2013-04-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种欧姆结构CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜欧姆结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸均匀、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的厚度为>300m，电阻率>109Ωcm。
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公开(公告)号：CN102891217A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210342053.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种金刚石/CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，电池结构为硅衬底/p型金刚石/n型CdTe三层结构。该方法具有以下工艺步骤：首先，对硅衬底/p型金刚石薄膜进行清洗预处理和表面修饰与改性，在p型金刚石薄膜上进行n型CdTe薄膜沉积形成异质结，CdTe薄膜沉积结束后进行CdCl2退火处理，刻蚀掉窗口层光吸收区的硅衬底，进行金属接触沉积形成薄膜太阳能电池器件。通过该方法可以实现p型金刚石/n型CdTe薄膜太阳能电池的制备，使用p型金刚石作为窗口层材料和n型CdTe作为吸收层材料制备成异质结太阳能电池，解决了宽禁带p型半导体材料在太阳能电池领域的可用性。
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公开(公告)号：CN102709395A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210191009.6
申请日：2012-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明是一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的面积>1cm2，薄膜的厚度为>10μm，电阻率达109Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。
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公开(公告)号：CN102683490A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210140490.6
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及探测器级CdZnTe(CZT)晶体表面制备In重掺杂形成Au/In欧姆特性电极的工艺方法，应用与CZT探测器制备工艺技术领域。本发明是在CZT晶体表面用磁控溅射法制备一层In电极，再制备一层Au电极，对晶体封装之后做高温退火。这样使CZT表面形成一层较薄的In重掺杂区，使金-半导体接触区势垒区宽度变得很薄，容易形成隧道电流。与传统的单一Au电极比较，能更好地改善金属与半导体的欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN102623567A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210099621.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种Cu2FeSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法分五步：首先得到SnS薄膜；其次，在SnS薄膜上制得FeS薄膜；第三，将第二步所得样品在空气中400ºC退火3小时；第四，将第三步退火得到的样品在一定摩尔浓度的硫酸铜水溶液中浸泡一定的时间；第五，将第四步得到的样品在H2S(5%)/Ar的混合气体中，500ºC退火2小时，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。同时Cu2FeSnS4纳米晶也是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101866860B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010186273.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/812 , H01L29/12
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO薄膜上再制备源、漏和栅电极，最终制得具有高沟道迁移率的ZnO薄膜半导体场效应晶体管(MESFET)器件。器件的场效应迁移率高达3.5cm2/v·s。器件可在350℃下稳定工作。
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公开(公告)号：CN102403209A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110353371.4
申请日：2011-11-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石薄膜场效应晶体管欧姆接触电极的制备方法。属于金刚石膜场效应晶体管器件制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备Ti-Pt-Au三层金属体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层Ti-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。
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公开(公告)号：CN101887849B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010215711.2
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/208
Abstract: 本发明涉及一种两步沉积法制备ZnO薄膜的方法及其装置，属纳米晶体薄膜制备方法技术领域。本发明方法的特点是：综合利用了超声雾化热解法和溶胶-凝胶法的原理和设备，分两步沉积ZnO薄膜。第一步是用改进的超声雾化热解法设备制备ZnO纳米颗粒。该设备的特征主要有在喷雾的导管上增加一个高压发生源和荷电喷头，并用一根石英管贯穿整个加热炉，使之直接通向装有一定量去离子水的烧杯里。第二步是使用超声波清洗器和离心机反复清洗ZnO纳米颗粒，最后通过旋涂机旋涂到衬底上。采用本方法避免了超声雾化热解法制备过程中产生的气溶胶对环境的污染，并获得结晶质量高的ZnO薄膜。
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公开(公告)号：CN102275980A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110157583.5
申请日：2011-06-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法是：首先将一定量的硫酸铜、氯化锌或氯化镉、氯化亚锡和硫代乙酰胺加入盛有去离子水的烧杯中，然后将用酒精、丙酮、去离子水超声清洗干净的玻璃垂直悬于烧杯中；向烧杯中滴加稀盐酸溶液调节pH值，使溶液处于酸性条件；升高温度在一定搅拌速度下反应一定时间，反应完毕后，将生长有Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的玻璃在Ar和H2S(5%)的气氛中进行退火处理，最终得到高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。
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公开(公告)号：CN101323971A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810040639.7
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种利用缓冲层制备高质量ZnO薄膜的方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在氢气和丙酮的混合反应气体中进行金刚石薄膜成核、生长，然后用HNO3与HF的混合溶液浸泡腐蚀掉硅衬底形成自支撑金刚石薄膜；再在自支撑金刚石膜上用直流磁控溅射法制备ZnO薄膜，先在Ar、O2气氛中溅射沉积ZnO缓冲层，然后进行ZnO主层的沉积。本发明制作工艺简化，成本低，有利于促进高质量ZnO薄膜器件的大规模应用。ZnO薄膜晶粒尺寸小，薄膜的晶体质量高，表面粗糙度低。
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