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    减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置
    22.
    发明授权
    减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置 失效

    公开(公告)号：CN1931453B

    公开(公告)日：2013-06-19

    申请号：CN200610151435.1

    申请日：2004-08-25

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚 ,  长池宏史 ,  中山博之

    IPC分类号： B08B7/02 ,  B08B7/00 ,  G01N21/49

    摘要： 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。

    颗粒发生原因判别系统、和颗粒发生原因判别方法
    24.
    发明授权
    颗粒发生原因判别系统、和颗粒发生原因判别方法 有权

    公开(公告)号：CN101526482B

    公开(公告)日：2012-03-28

    申请号：CN200910006536.3

    申请日：2009-02-17

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚

    IPC分类号： G01N21/88 ,  H01L21/66

    CPC分类号： G01N15/02

    摘要： 本发明提供即使是几乎没有与颗粒的发生原因有关知识的人员，也能够正确地判别颗粒的发生原因的颗粒发生原因判别系统和颗粒发生原因判别方法，判别颗粒的发生原因的颗粒发生原因判别系统(43)具备客户PC(47)和主服务器(48)，主服务器(48)具被保存计算与多个颗粒发生原因的各个有关的准确度的计算方法的程序的存储器；和基于各保存的程序，由颗粒分布图、各颗粒的材质、形状和尺寸，针对各颗粒发生原因计算上述准确度的CPU，客户PC(47)在显示器(51)上显示关于各颗粒发生原因计算出的准确度。

    粉体状物质源供给系统的清洗方法、基板处理系统和方法
    25.
    发明授权
    粉体状物质源供给系统的清洗方法、基板处理系统和方法 失效

    公开(公告)号：CN101657888B

    公开(公告)日：2011-03-16

    申请号：CN200880011161.3

    申请日：2008-03-26

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚 ,  长谷川俊夫 ,  山﨑英亮

    IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/44

    CPC分类号： C23C16/4402

    摘要： 本发明提供一种粉体状物质源供给系统的清洗方法，能够防止在成膜处理时从容器内或导入管内流出颗粒。基板处理系统(10)具有粉体状物质源供给系统(12)和成膜处理装置(11)。粉体状物质源供给系统包括：收容粉体状物质源(13)(羰基钨)的安瓿容器(14)；向安瓿容器内供给载体气体的载体气体供给装置(16)；连接安瓿容器和成膜处理装置的粉体状物质源导入管(17)；从粉体状物质源导入管分支的吹扫管(19)；和开闭粉体状物质源导入管的开闭阀(22)。在成膜处理前，在关闭开闭阀且对吹扫管内排气时，载体气体供给装置供给载体气体使得由载体气体作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时由载体气体作用在颗粒上的粘性力大。

    涡轮分子泵及其堆积物附着抑制方法、基板处理装置
    26.
    发明授权
    涡轮分子泵及其堆积物附着抑制方法、基板处理装置 失效

    公开(公告)号：CN101275574B

    公开(公告)日：2010-11-10

    申请号：CN200810086397.5

    申请日：2008-03-31

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 山涌纯 ,  守屋刚

    IPC分类号： F04D19/04 ,  F04D29/40 ,  H01L21/00

    CPC分类号： F04D19/042 ,  F04D29/701 ,  F05D2260/607 ,  Y02T50/675

    摘要： 本发明提供一种能够抑制堆积物向构成部件附着的涡轮分子泵(18)，用于从腔室(11)排出堆积物附着要因气体，包括：具有沿着排气流的旋转轴(36)的转子(37)；收容该转子(37)的壳体(38)；从该转子(37)相对于旋转轴(36)垂直突出的多个旋转翼(39)；和从壳体(38)相对于旋转轴(36)垂直突出的多个静止翼(40)，多个旋转翼(39)被分割成多个旋转翼组(41)，多个静止翼(40)被分割成多个静止翼组(42)，各旋转翼组(41)和各静止翼组(42)沿旋转轴(36)交互配置，从相对于排气流在比位于最下游侧的旋转翼组(41)的更上游侧开口的气体供给口(43)供给含氩分子的堆积物附着抑制气体。

    中间搬送室、基板处理系统及该中间搬送室的排气方法
    28.
    发明授权
    中间搬送室、基板处理系统及该中间搬送室的排气方法 失效

    公开(公告)号：CN100514557C

    公开(公告)日：2009-07-15

    申请号：CN200710112597.9

    申请日：2007-06-22

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚 ,  中山博之 ,  近藤圭祐 ,  冈宽树

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3065

    摘要： 本发明提供一种能够防止基板缺陷的中间搬送室。基板处理系统(1)包括：对晶片(W)实施等离子体处理的处理模块(2)、从前开式统集盒(5)中取出晶片(W)的大气系搬送装置(3)、和作为搬入搬出晶片(W)的中间搬送室的负载锁定模块(4)。负载锁定模块(4)包括：设置有移载臂(70)并且具有与移载臂(70)的拾取器(74)的晶片载置面的正上方相向而设的板状部件(90)的腔室(71)、向该腔室(71)内供给气体的气体供给系统(72)、和对腔室(71)内进行排气的LL/M排气系统(73)。

    大气输送室和被处理体的处理后输送法
    29.
    发明授权
    大气输送室和被处理体的处理后输送法 失效

    公开(公告)号：CN100477103C

    公开(公告)日：2009-04-08

    申请号：CN200610008360.1

    申请日：2006-02-21

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚 ,  广冈隆明 ,  清水昭贵 ,  田中谕志

    IPC分类号： H01L21/3063 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  C23F4/00

    CPC分类号： C23F1/12 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67775

    摘要： 本发明提供一种大气输送室，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13)，包括了在其内部配置在上侧的FFU(34)，FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成，风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇，除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55)，除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器，由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘，供给到加载模块(13)内部的下侧。

    基板搬送模块以及基板处理系统
    30.
    发明公开
    基板搬送模块以及基板处理系统 失效

    公开(公告)号：CN101355021A

    公开(公告)日：2009-01-28

    申请号：CN200810144356.7

    申请日：2008-07-28

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 山涌纯 ,  守屋刚

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677

    CPC分类号： H01L21/67766 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/67781

    摘要： 本发明提供一种基板搬送模块和基板处理系统，装载模块(14)通过负载锁定模块(12)与对晶片W实施蚀刻处理的处理模块(11)连接并且具有搬送晶片W的基板搬送装置(16)和收容该基板搬送装置(16)的搬送室(15)，该搬送室(15)内与外部氛围气体隔绝，搬送室(15)内的压力为大气压，基板搬送装置(16)具有保持晶片W的拾取器(19)和使该拾取器(19)移动的臂部(20)，装载模块(14)具有隔绝装置(18)，其收容拾取器(19)和该拾取器(19)所保持的晶片W，使得与搬送室(15)的内部氛围气体相隔绝。由此能够防止构成部件发生腐蚀、颗粒向基板的附着、基板搬送模块成本的提高和大型化。