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公开(公告)号：CN101124352A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200580040103.X
申请日：2005-10-03
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
发明人： 铃木健二 , 以马利·盖德帝 , 格利特·J·莱乌辛克 , 芬顿·R·麦克非 , 桑德拉·G·马尔霍特拉
IPC分类号： C23C16/16 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L21/76873
摘要： 本发明描述了一种用于通过将羰基金属前驱体(52、152)的蒸汽与CO气体混合来增大以羰基金属前驱体(52、152)形成的金属层的沉积速率的方法(300)。该方法(300)包括在沉积系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125)，形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体，以及将衬底(25、125、400、402)暴露于处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)。
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公开(公告)号：CN1956166A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610149469.7
申请日：2001-11-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877
摘要： 一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基板上形成第一金属膜的工序；和将所述含有金属的气体和还原气体同时供给到所述处理容器，在所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。
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公开(公告)号：CN1395743A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN01803734.8
申请日：2001-11-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/285
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877
摘要： 一种金属膜形成方法，包括：步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和(b)(s14，s16)在输送步骤(a)的原料气体之后，分别对步骤(a)的原料气体进行抽真空－排放或用其它种类气体替换步骤(a)的原料气体，由此在基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。
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公开(公告)号：CN113302723A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202080007255.4
申请日：2020-02-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/321 , H01L21/768 , H01L21/3205
摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法，包括：平坦化工序、层叠工序、孔形成工序、埋入工序以及去除工序。在平坦化工序中，通过使在第一孔埋入有导电材料的基板的表面平坦化，使被埋入至第一孔的导电材料露出，其中，形成该第一孔的区域是在层叠在基板上的绝缘膜上的区域且是被隔离膜包围的区域内。在层叠工序中，在基板的表面层叠掩模膜。在孔形成工序中，以使被埋入至第一孔的导电材料的上表面的至少一部分露出的方式，在掩模膜形成第二孔。在第二埋入工序中，在第二孔埋入导电材料。在去除工序中，去除掩模膜。
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公开(公告)号：CN106191815A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610364429.8
申请日：2016-05-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/14
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45527 , H01L21/28562 , H01L21/76877 , H01L27/11582 , C23C16/45523
摘要： 本发明提供一种金属膜的成膜方法。在使用氯化物原料在具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板上形成金属膜的情况下，能够在任何部分都形成膜。在该金属膜的成膜方法中，隔着被保持在减压气氛下的腔室内的吹扫，在按顺序向腔室内供给作为原料气体的金属氯化物气体以及对金属氯化物进行还原的还原气体而在配置于所述腔室内的具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板形成金属膜时，交替地实施相对地减少金属氯化物原料的供给量而形成第一金属膜的工序和相对地增多金属氯化物原料的供给量而形成第二金属膜的工序。
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公开(公告)号：CN101981686B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN200980110629.9
申请日：2009-01-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76849 , C23C16/0218 , C23C16/16 , C23C16/4482 , H01L21/28562 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种用于将低温选择性Ru金属沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Cu金属中的el电迁移和应力迁移的方法。该方法包括以下步骤：提供图案化衬底，所述图案化衬底包括位于电介质层(304)中的凹入特征，所述凹入特征至少基本填充平坦化块Cu金属(322)；在存在H2、N2或NH3、或者其组合的情况下对所述平坦化块Cu金属和所述电介质层进行热处理；以及将Ru金属膜(324)选择性地沉积在经热处理的所述平坦化块Cu金属上。
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公开(公告)号：CN101405433B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200780009285.3
申请日：2007-03-05
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/16 , C23C16/4481 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/45574
摘要： 本发明描述了用于减少沉积系统(1)中衬底(25)的粒子污染的方法和系统。沉积系统包括布置在其中并被配置来防止或部分地防止膜前驱体粒子的通过、或者打散或部分地打散膜前驱体粒子的一个或多个粒子扩散器(47)。粒子扩散器可以安装在膜前驱体蒸发系统(50)、或蒸汽传输系统(40)、或蒸汽分配系统(30)内，或者其中两者或更多者内。
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公开(公告)号：CN101072894B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580040101.0
申请日：2005-10-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 铃木健二
IPC分类号： C23C16/16 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76846 , C23C16/16 , H01L21/28556
摘要： 本发明描述了一种用于利用CO气体和稀释气体增大以羰基金属前驱体(52、152)形成的金属层(440、460)的沉积速率的方法(300)和沉积系统(1、100)。该方法(300)包括在处理系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125、400、402)，形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体，在处理室(10、110)中稀释处理气体，以及将衬底(25、125、400、402)暴露于经稀释的处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)。沉积系统(1、100)包含衬底夹持器(20、120)、前驱体传输系统(105)、稀释气体源(37、137)和控制器(165)，其中衬底夹持器(20、120)被配置用于在具有蒸汽分配系统(30、130)的处理室(10、110)中支撑并加热衬底(25、125、400、402)，前驱体传输系统(105)被配置用于形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体并将处理气体引入蒸汽分配系统(30、130)，稀释气体源(37、137)被配置用于在处理室(10、110)中向处理气体添加稀释气体，控制器(165)被配置用于在将衬底(25、125、400、402)暴露于经稀释的处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)的期间控制沉积系统(1、100)。
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公开(公告)号：CN101965635A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200880106629.7
申请日：2008-09-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 铃木健二
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于将Ru金属的选择性沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Cu中的电迁移和应力迁移的方法。该方法包括利用包含Ru3(CO)12前躯体蒸汽和CO气体的处理气体通过热化学气相沉积工艺在金属化层(302)或块Cu(322)上选择性沉积Ru金属膜(312，324)。并且，本发明描述了包含一个或多个选择性沉积的Ru金属膜的半导体器件。
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公开(公告)号：CN100593236C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200680010435.8
申请日：2006-03-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 铃木健二
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , C23C16/16 , C23C16/448
CPC分类号： H01L23/53238 , C23C16/045 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76871 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供了一种用于沉积低电阻率钌金属层(440、460)的低温化学气相沉积工艺，这种低电阻率钌金属层(440、460)可以在Cu金属化方案中用作阻挡/晶种层。该方法(300)包括在沉积系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125)，形成包含羰基钌前驱体蒸汽和含CO气体的处理气体，以及将衬底(25、125)暴露于处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125)上沉积低电阻率钌金属层(440、460)，其中衬底(25、125)在所述暴露期间被维持在约100℃和约300℃之间的温度。还提供了包含钌金属层(440、460)的半导体器件，钌金属层(440、460)形成在包含一个或多个过孔或沟槽(430)或其组合的图案化衬底(402、404、406、408)上。
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