-
公开(公告)号：CN117976632B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410391553.8
申请日：2024-04-02
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/66 , H01L23/552 , H01L21/768
摘要： 本申请的实施例提供了一种射频芯片垂直互联结构及其制作方法，涉及半导体领域。所述结构包括：芯片本体，所述芯片本体上设置有直流信号热过孔结构、接地背孔结构以及射频信号垂直传输结构；其中，所述射频信号垂直传输结构包括环状接地屏蔽结构和射频信号传输结构，所述环状接地屏蔽结构与所述射频信号传输结构同轴布置且不互相接触；所述环状接地屏蔽结构包括环状接地屏蔽结构正面PAD和环状接地屏蔽结构背面PAD，所述环状接地屏蔽结构正面PAD和所述环状接地屏蔽结构背面PAD通过贯穿所述芯片本体的金属通孔连接。申请的技术方案解决了热过孔在传输射频信号时存在的插损大、频带内增益陷坑和信号泄露等技术问题。
-
公开(公告)号：CN114070286B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111237938.1
申请日：2021-10-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H03K17/62
摘要： 本发明提供了一种任意路由射频开关矩阵，由N*N个2态开关IP单元以矩阵形式构成，每个2态开关IP单元具有上下左右四个端口，矩阵形式内的2态开关IP单元通过相邻端口连接形成开关矩阵，开关矩阵上下左右均N个端口用于对外连接；所述2态开关IP单元具有1态和0态两种状态，处于1态时，上端口与左端口连通；处于0态时，左端口与右端口连通，上端口与下端口连通。本发明提出的方案可以实现毫米尺度的平面结构射频开关矩阵，能够方便的进行系统封装集成。
-
公开(公告)号：CN114698230B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210167855.8
申请日：2022-02-23
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及微电子散热技术领域，公开了一种内嵌微流道的印制电路板三维集成结构及其制备方法，一种内嵌微流道的印制电路板三维集成结构，包括集成有二次分流网络的低流阻印制电路板、两块及以上连接于所述集成有二次分流网络的低流阻印制电路板上表面的集成有阵列散热网络的高效散热印制电路板。本发明解决了现有技术存在的三维集成结构不能同时实现高效均匀散热和高集成密度等问题。
-
公开(公告)号：CN115064503A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210649622.1
申请日：2022-05-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/13 , H01L23/488 , H01L23/58 , H01L25/065
摘要： 本发明提供一种射频电路三维堆叠结构及其制造方法，所述制造方法包括：将低介电常数陶瓷与高介电常数陶瓷叠层烧结，形成多层共烧陶瓷基板；在多层共烧陶瓷基板上加工多个不同深度的腔槽；在第三腔槽底部加工金属焊盘；提供转接板和芯片；在转接板下表面焊接芯片；在转接板下表面植微球；在第三腔槽中焊接芯片；将转接板通过微球焊接到多层共烧陶瓷基板上表面；在转接板的上表面焊接芯片。本发明的芯片可通过倒装或信号孔正贴的方式，集成在高密度转接板的两面以及多层共烧陶瓷基板的腔槽中，实现2‑3层芯片堆叠，能够更好的适应射频电路对高密度集成、高质量信号传输以及低剖面厚度的需求。
-
公开(公告)号：CN114759015A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210201064.2
申请日：2022-03-02
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/065 , H01L23/367
摘要： 本发明公开了一种大功率射频芯片三维堆叠集成结构及其制备方法，包括从下至上依次设置的多层电路基板、大功率射频芯片、低K值转接板，所述低K值转接板倒装在大功率射频芯片的上表面，在大功率射频芯片上形成多个独立的电磁隔离结构，所述低K值转接板上设有其它芯片或元件，所述其它芯片或元件与低K值转接板互连，所述低K值转接板与大功率射频芯片实现电气连接。本发明三维堆叠结构与传统的混合集成工艺兼容，可使用主流的热沉散热技术，避免了硅基通孔散热或微流道散热结构，提高了可靠性，减少了加工周期，降低了加工成本。
-
公开(公告)号：CN114698230A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210167855.8
申请日：2022-02-23
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及微电子散热技术领域，公开了一种内嵌微流道的印制电路板三维集成结构及其制备方法，一种内嵌微流道的印制电路板三维集成结构，包括集成有二次分流网络的低流阻印制电路板、两块及以上连接于所述集成有二次分流网络的低流阻印制电路板上表面的集成有阵列散热网络的高效散热印制电路板。本发明解决了现有技术存在的三维集成结构不能同时实现高效均匀散热和高集成密度等问题。
-
公开(公告)号：CN113347779B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110601090.X
申请日：2021-05-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种兼容垂直传输结构的内嵌微流道印制电路板制备方法，包括自上而下依次布置的顶部多层布线层、金属芯板和底部多层布线层，金属芯板内部设置有用于散热的内嵌微流道，金属芯板未设置内嵌微流道的区域设置有保护穿孔，保护穿孔内设置有绝缘保护圈，绝缘保护圈内设置有互连内孔，互连内孔贯穿顶部多层布线层和底部多层布线层，形成用于传输两侧信号的垂直传输通道；实现高效散热的同时，无需借助连接器、电缆、绝缘子等即可实现金属芯微流道正反两侧电气信号的互连互通。
-
公开(公告)号：CN114243252A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111523103.2
申请日：2021-12-14
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及微波技术领域，具体公开了一种集成液冷流道的瓦片式TR组件，包括设置有安装槽的盒体、安装盒体底部的底板、以及安装在安装槽内的电路基板；所述盒体的底部设置有流通槽；所述盒体上设置有与流通槽连通的两组液冷接口。本发明有效的解决现有三维瓦片式微波组件装配难度大、可靠性差、大功率适应性差等问题。
-
公开(公告)号：CN113241331A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110437642.8
申请日：2021-04-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , G01N25/20
摘要： 本发明公开了一种基于阵列散热的三维集成结构及其制备方法和分析方法，该三维集成结构包括从上至下依次堆叠的芯片层、转接板层、封装层和母板层。本发明构建从芯片到封装、再到系统的高效传热路径，实现该三维集成结构原位、实时热分析，从而减小整个系统的热衰减，提升电子系统的可靠性。
-
公开(公告)号：CN113224032A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110434189.5
申请日：2021-04-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/538 , H01L25/16 , H01L21/768
摘要： 本发明具体公开了一种芯片倒装结构及制作方法包括设置有有源区的芯片、多层电路基板、设置在芯片与多层电路基板之间堆叠焊球结构,以及芯片电容；多层电路基板包括位于有源区正下方的表层介质层、位于表层介质层远离有源区一侧的金属层、表层焊盘、互连孔；有源区与金属层之间形成高度在200μm以上的介质腔。制备方法为芯片加工；堆叠焊球结构安装；用热压焊接工艺将芯片焊接在多层电路基板上；将芯片电容安装在接地焊盘上，通过引线与该侧的安装信号焊盘互连。保证了保证化合物半导体芯片的宽带射频性能，同时与化合物半导体芯片加工工艺和微组装工艺兼容，工艺流程短、灵活性好；通过将芯片电容集成在芯片背面的方式提高系统集成密度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
87 条记录 (耗时 0.06 秒)
