公开(公告)号：CN104160488B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201380001765.0

申请日：2013-03-06

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种正向电压的偏差减少方法，其为减少如下的半导体晶片的正向电压Vf的偏差的方法，所述半导体晶片为N型的半导体晶片，并且在俯视观察半导体晶片时N层中所含有的杂质的密度存在偏差。本说明书所公开的正向电压偏差减少方法为，向N型的半导体晶片照射带电粒子，从而在N层中生成缺陷以减少正向电压的偏差的方法。其中一个方式为，以在俯视观察半导体晶片时根据N层的杂质的密度而使深度方向上的到达位置或照射密度不同的方式，照射带电粒子。例如，以向半导体晶片的中央区域照射的带电粒子的晶片深度方向上的到达位置，与向半导体晶片的边缘区域照射的带电粒子的到达位置相比，较靠近于P型半导体层的方式，照射带电粒子。

公开(公告)号：CN102822968B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080065840.6

申请日：2010-04-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，在半导体基板的背面侧，于二极管区的第二导电型的阴极区、和绝缘栅双极性晶体管区的第一导电型的集电区之间，设置有低浓度区。低浓度区具有第一低浓度区和第二低浓度区中的至少某一方，所述第一低浓度区为第一导电型，且与集电区相比第一导电型的杂质浓度较低，所述第二低浓度区为第二导电型，且与阴极区相比第二导电型的杂质浓度较低。

公开(公告)号：CN105702620A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510920601.9

申请日：2015-12-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  荒川盛司

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76895

Abstract: 本发明提供一种在接合衬垫上表面电极不易剥离的半导体装置及其制造方法。所提供的半导体装置具有：第一绝缘膜，其被形成在半导体基板上并具有第一接触孔；接触插塞，其位于第一接触孔内；第二绝缘膜，其被形成在导电层上，并且具有与第一接触孔相比宽度较宽的第二接触孔；侧面部金属层，其对所述第二接触孔的侧面与底面之间的角部进行覆盖，并且通过与接触插塞为同种的金属而构成；第一表面电极，其以从第二绝缘膜上跨至第二接触孔内的方式而延伸。第一表面电极对侧面部金属层进行覆盖，并通过与接触插塞不同的金属而构成。在第二接触孔的底面的上部的第一表面电极中形成有接合衬垫。

公开(公告)号：CN103208492B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201310013128.7

申请日：2013-01-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。在具有半导体基板的半导体装置中，二极管和IGBT形成在半导体基板上，二极管的阴极区域和IGBT的集电极区域形成在暴露于半导体基板的一个表面的范围内。在所述表面上形成有与阴极区域接触的第一导体层和与集电极区域接触的第二导体层。第二导体层的功函数大于第一导体层的功函数。

公开(公告)号：CN103208492A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310013128.7

申请日：2013-01-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。在具有半导体基板的半导体装置中，二极管和IGBT形成在半导体基板上，二极管的阴极区域和IGBT的集电极区域形成在暴露于半导体基板的一个表面的范围内。在所述表面上形成有与阴极区域接触的第一导体层和与集电极区域接触的第二导体层。第二导体层的功函数大于第一导体层的功函数。

公开(公告)号：CN102396056A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200980158708.7

申请日：2009-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  龟井阳

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/263 ,  H01L21/266 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够抑制杂质离子被注入的范围和带电粒子被注入的范围之间的相对位置的偏离。该半导体装置的制造方法具有：杂质离子注入工序，在将掩膜配置在杂质离子照射装置和半导体基板之间的状态下照射杂质离子；带电粒子注入工序，在将掩膜配置在带电粒子照射装置和半导体基板之间的状态下，通过照射带电粒子而形成低寿命区。从杂质离子注入工序和带电粒子注入工序的某一方开始起到杂质离子注入工序和带电粒子注入工序双方结束为止，掩膜和半导体基板之间的相对位置不发生改变。