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公开(公告)号：CN101641847A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009498.0
申请日：2008-01-29
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01S5/0206 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/2009 , H01S5/34333 , H01L2924/00014
摘要： 一种光子晶体激光器(100)，包括n型衬底(111)、n型覆层(112)、有源层(113)、p型覆层(116)、光子晶体层(115)、p型电极(118)、n型电极(119)以及封装构件(120)。n型覆层(112)形成在n型衬底(111)的第一表面(111a)上。有源层(113)形成在n型覆层(112)上。p型覆层(116)形成在有源层(113)上。光子晶体层(115)形成在n型覆层(112)与有源层(113)之间或有源层(113)与p型覆层(116)之间，并包括光子晶体部(115a)。p型电极(118)形成在光子晶体部(115a)上。n型电极(119)形成在第二表面(111b)上，并包括布置在与光子晶体部(115a)相对的位置上的透光部(119a)和具有比透光部(119a)低的透光率的外周部(119b)。
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公开(公告)号：CN100438091C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410094689.5
申请日：2004-11-12
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/505 , G02B6/0046 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 一种发光二极管(1)具有半导体叠片(6)、光学反射层(17)和(19)、光学反射薄膜(25)以及磷光片(27)。叠片(6)由按顺序层叠在衬底(7)上的n型包层(9)、有源层(11)、p型包层(13)以及p型接触层(15)形成。光学反射层(17)和(19)分别位于p型接触层(15)上和衬底(7)的背面(7b)上。光学反射薄膜(25)位于叠片(6)的三个侧面上。将磷光片(27)安装在叠片(6)不具有光学反射薄膜(25)的侧面上。在每个光学反射层反射从有源层(11)输出的蓝光(L1)，然后聚集在设置有磷光片(27)的侧面上。一部分蓝光(L1)在磷光片(27)中变成黄光(L2)，并发出由蓝光(L1)和黄光(L2)组成的白光。
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公开(公告)号：CN105009692A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480009498.6
申请日：2014-07-22
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H05K1/02
CPC分类号： F21V29/70 , F21V7/05 , F21V19/0025 , F21V21/00 , H01L2224/16225 , H01L2924/15159 , H05K1/0206 , H05K1/028 , H05K1/115 , H05K1/181 , H05K1/189 , H05K3/0011 , H05K3/0058 , H05K3/0061 , H05K3/305 , H05K3/4688 , H05K2201/062 , H05K2201/066 , H05K2201/09063 , H05K2201/10106
摘要： 一种散热电路板包括：印刷电路板，其包括设置在后表面的绝缘膜和设置在前表面的一个或多个焊盘部；一个或多个电子元件，其安装在一个或多个焊盘部上；以及粘合剂层，其堆叠在绝缘膜的后表面上。绝缘膜和粘合剂层在至少将用于各个电子元件的一个或多个焊盘部的投影区域覆盖的第一区域中被移除，并且绝缘膜和粘合剂层的移除部分被导热性粘合剂填充。
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公开(公告)号：CN102934529A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180028499.1
申请日：2011-05-26
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H05K1/0207 , H05K1/028 , H05K1/189 , H05K3/0058 , H05K2201/0999 , H05K2201/10106
摘要： 本发明的课题在提供一种柔性印刷配线板，其在经由焊料安装有发光元件的柔性印刷配线板中，可以同时实现高散热性和良好的弯曲性。柔性印刷配线板（1）在基板层（11）的上表面侧，层叠具有电路部（12a）的导电层（12），并且，在所述基板层（11）的下表面侧，层叠由热传导率高的金属材料构成的散热层，该柔性印刷配线板（1）在所述电路部（12a）的一部分上经由焊料安装发光元件部（40），并且将多个散热层（13、23）隔着树脂层而层叠。
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公开(公告)号：CN100411208C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510133870.7
申请日：2005-12-19
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/22 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/10155 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
摘要： 发光装置是包括：作为氮化物半导体基板的GaN基板(1)；在氮化物半导体基板的第(1)主表面一侧的n型AlxGa1-xN层(3)；从氮化物半导体基板看，远离n型AlxGa1-xN层(3)的p型AlxGa1-xN层(5)；位于n型AlxGa1-xN层(3)以及p型AlxGa1-xN层(5)之间的量子井(4)的发光装置。在此发光装置中，氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下，向下安装p型AlxGa1-xN层(5)的一侧，从作为和氮化物半导体基板的第(1)主表面相反的一侧的主表面的第(2)主表面(1a)发射光。在氮化物半导体基板的第(2)主表面(1a)上形成槽(80)。由于构造简单，所以能够得到制造容易、在长时间能够安定地得到大的发光效率的发光装置。
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公开(公告)号：CN101040409A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034733.6
申请日：2005-12-06
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01S5/105 , H01S5/34333 , H01S2301/14 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要： 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n－型敷层(4)；衬底(3)上形成的p－型敷层(6)；插入n－型敷层(4)和p－型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。
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公开(公告)号：CN1619849A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410094689.5
申请日：2004-11-12
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/505 , G02B6/0046 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 一种发光二极管(1)具有半导体叠片(6)、光学反射层(17)和(19)、光学反射薄膜(25)以及磷光片(27)。叠片(6)由按顺序层叠在衬底(7)上的n型包层(9)、有源层(11)、p型包层(13)以及p型接触层(15)形成。光学反射层(17)和(19)分别位于p型接触层(15)上和衬底(7)的背面(7b)上。光学反射薄膜(25)位于叠片(6)的三个侧面上。将磷光片(27)安装在叠片(6)不具有光学反射薄膜(25)的侧面上。在每个光学反射层反射从有源层(11)输出的蓝光(L1)，然后聚集在设置有磷光片(27)的侧面上。一部分蓝光(L1)在磷光片(27)中变成黄光(L2)，并发出由蓝光(L1)和黄光(L2)组成的白光。
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公开(公告)号：CN112088585B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980029947.6
申请日：2019-03-06
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H05K3/42
摘要： 根据本公开的一个实施例的印刷配线板设置有：绝缘材料，该绝缘材料具有第一表面、位于所述第一表面的相反侧上的第二表面以及从第一表面贯通到第二表面的通孔；金属镀层，该金属镀层形成在所述绝缘材料的所述第一表面和第二表面上以及所述通孔的内周表面上。所述通孔的内径从所述绝缘材料的第一表面朝向所述绝缘材料的第二表面逐渐减小；所述绝缘材料的第一表面中的所述通孔的平均直径在20μm(包含本值)至35μm(包含本值)之间，所述绝缘材料的第二表面中的所述通孔的平均直径在3μm(包含本值)至15μm(包含本值)之间，并且形成在所述绝缘材料的第一表面和第二表面上的所述金属镀层的平均厚度在8μm(包含本值)至12μm(包含本值)之间。
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公开(公告)号：CN101641847B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200880009498.0
申请日：2008-01-29
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01S5/0206 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/2009 , H01S5/34333 , H01L2924/00014
摘要： 一种光子晶体激光器(100)，包括n型衬底(111)、n型覆层(112)、有源层(113)、p型覆层(116)、光子晶体层(115)、p型电极(118)、n型电极(119)以及封装构件(120)。n型覆层(112)形成在n型衬底(111)的第一表面(111a)上。有源层(113)形成在n型覆层(112)上。p型覆层(116)形成在有源层(113)上。光子晶体层(115)形成在n型覆层(112)与有源层(113)之间或有源层(113)与p型覆层(116)之间，并包括光子晶体部(115a)。p型电极(118)形成在光子晶体部(115a)上。n型电极(119)形成在第二表面(111b)上，并包括布置在与光子晶体部(115a)相对的位置上的透光部(119a)和具有比透光部(119a)低的透光率的外周部(119b)。
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