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公开(公告)号：CN110299299A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910602633.2
申请日：2019-07-05
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法，包括如下步骤：S1：提供COB转接板，并对转接板进行开窗预处理；S2：提供透明薄载玻片；S3：将芯片背面开封或者正面开封，露出硅基面；S4：将芯片的开封面朝向载波片，并进行粘接固定；S5：芯片粘接固定后将透明薄载玻片粘到转接板的开窗部位，使得硅基面朝向待观测面；S6：设置绑线机参数；S7：使用绑线机将芯片的待测针脚与转接板的指定管脚相连接；以及S8：使用EMMI定位芯片失效位置。本发明的高密度封装芯片失效定位方法克服了直接开封测试法中由许多类型封装无外延针脚无法测试问题，也可以规避芯片取die直测法无法背面定位的问题，同时具备价格低廉、使用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN107564829A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710734193.7
申请日：2017-08-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN107132472A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/307 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN108922861A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810456357.9
申请日：2018-05-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。
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公开(公告)号：CN108922861B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810456357.9
申请日：2018-05-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。
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公开(公告)号：CN107132472B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/307 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN107564829B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710734193.7
申请日：2017-08-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN116840590A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310628180.7
申请日：2023-05-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种电磁环境电力芯片检测装置及系统，属于电磁特征采集领域，包括：室外电磁环境检测单元，设置在室外电磁环境中，用于检测电力设备的电磁环境，生成室外电磁信号；室内电磁环境复现单元，用于根据接收到的室外电磁信号在微波暗室内对室外电磁信号进行模拟；芯片电磁特征检测单元，包括电磁特征检测模块和高速采集卡，电磁特征检测模块用于检测设置在微波暗室内的样品芯片的电磁特征，生成电磁特征信号，高速采集卡与电磁特征检测模块连接，用于对接收到的电磁特征信号进行显示。通过本发明提供的装置，能够在实验室模拟真实环境的电磁场景，对芯片的电磁兼容性进行测试和评估，以确保设备能够在真实的电磁环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN116231314B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310464492.9
申请日：2023-04-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种结合二维材料的电磁环境测量天线，属于无线电测量技术领域。所述结合二维材料的电磁环境测量天线，所述电磁环境测量天线包括：介质基板、微带馈线和辐射单元；所述辐射单元包括四个菱形环辐射贴片，四个菱形环辐射贴片呈阵列布置在所述介质基板上表面，每个菱形环辐射贴片与相邻的两个菱形环辐射贴片顶点相连；所述微带馈线设于介质基板上表面，与任意两个菱形环辐射贴片的连接处相连。该天线工作于太赫兹频段，天线的结构简单，该结构能产生双谐振频率，具有双频特性。
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公开(公告)号：CN115939197B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310061014.3
申请日：2023-01-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。
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