公开(公告)号：CN103964376B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310148440.7

申请日：2013-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  李德浩 ,  李久康 ,  梁凯智 ,  林宗贤 ,  郑钧文

IPC: B81C3/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00261 ,  B81C2203/035

Abstract: 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。

公开(公告)号：CN102745638B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210057626.7

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  蔡易恒 ,  梁凯智 ,  徐家保 ,  朱立晟 ,  张贵松 ,  杨学安 ,  林宗贤

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00039 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。

公开(公告)号：CN102815659B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210010820.X

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  张贵松 ,  林宗贤

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B3/001 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00579 ,  B81C2201/0111 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019

Abstract: 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN102398888A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110268843.6

申请日：2011-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  林宗贤 ,  朱家骅

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0032 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00333

Abstract: 一种晶圆级封装的方法包括：提供具有埋氧层和顶部氧化层的基板，以及蚀刻基板，以在埋氧层上形成开口和在开口之间形成微型机电系统(MEMS)谐振器元件，MEMS谐振器元件被包围在埋氧层，顶部氧化层，以及侧壁氧化层中。该方法进一步包括：使用多晶硅填充开口，以形成邻近MEMS谐振器元件的多晶硅电极，移除邻近MEMS谐振器元件的顶部氧化层和侧壁氧化层，将多晶硅电极与互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆或载具晶圆之一接合，移除邻近MEMS谐振器元件的埋氧层，以及将基板与盖晶圆接合，以密封CMOS晶圆或载具晶圆之一和盖晶圆之间的MEMS谐振器元件。