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公开(公告)号：CN1954263A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015358.0
申请日：2005-05-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/8242 , H01L21/20
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L27/016 , H01L27/0805 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , Y10T29/49002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种制造金属绝缘体金属(MIM)电容器的方法。在此方法中，在下导体层(100)上形成介质层(102，106)并且在介质层上形成上导体层(104，108)。然后，本发明在上导体层和介质层上形成蚀刻停止层(200)并且在蚀刻停止层上形成硬掩膜(202)(氧化硅硬掩膜，氮化硅硬掩膜等)。下一步，在硬掩膜上构图光致抗蚀剂(300)，其允许通过光致抗蚀剂蚀刻硬掩膜，蚀刻停止层，介质层和下导体层。
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公开(公告)号：CN1879216A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200380110827.8
申请日：2003-12-16
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L21/76838 , H01L21/76802 , H01L21/8249 , H01L23/485 , H01L23/5389 , H01L27/0623 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了包括位于单个衬底(110)上的多个互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管(116)和多个垂直双极型晶体管(118)的集成电路结构的方法和结构。垂直双极型晶体管(118)比CMOS晶体管(116)高。在本结构中，钝化层(112)位于衬底(110)之上，在垂直双极型晶体管(118)和CMOS晶体管(116)之间。在钝化层(120)上面有布线层(120)。垂直双极型晶体管(118)与布线层(120)直接接触，并且CMOS晶体管(116)通过穿过钝化层(112)延伸的接触与布线层(114)连接。
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公开(公告)号：CN104040684B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201380004855.5
申请日：2013-01-03
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L23/5227 , H01L21/76883 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 用于制造后段制程(BEOL)布线结构的方法、BEOL布线结构(10)、以及用于BEOL布线结构的设计结构。可以通过在电介质层(18)中形成第一接线(44、45)并且在无氧环境中对第一接线退火而制造BEOL布线。在对第一接线退火之后，形成与第一接线竖直对准的第二接线(60、61)。形成包括诸如聚酰亚胺的有机材料的最终钝化层(74)，其覆盖第二接线的整个侧壁。
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公开(公告)号：CN100568500C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710136144.X
申请日：2007-07-19
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76835 , H01L21/76807 , H01L21/76885 , H01L23/485 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体结构和用于形成该结构的方法。所述结构包括(a)衬底；(b)第一器件和第二器件，均在所述衬底上；(c)器件帽介质层，在所述第一和第二器件以及所述衬底上，其中所述器件帽介质层包括器件帽介质材料；(d)第一介质层，在所述器件帽介质层的顶上，其中所述第一介质层包括第一介质材料；(e)第二介质层，在所述第一介质层的顶上；以及(f)第一导电线路和第二导电线路，均位于所述第一和第二介质层中。所述第一介质层将所述第一和第二导电线路与所述器件帽介质层物理隔离。所述第一介质材料的介电常数小于所述器件帽介质材料的介电常数。
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公开(公告)号：CN1705076A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510064820.8
申请日：2005-04-06
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 道格拉斯·D·考尔堡 , 埃贝内泽尔·E·爱顺 , 何忠祥 , 威廉·J·墨菲 , 维德赫亚·拉马昌德拉
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L29/00
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种将MIM电容器集成到导电互连层的方法，与现存的集成方法相比，其具有低耗损和高产率、高可靠性和高性能。使已有的电介质层下凹以用于MIM电容器层对准，然后淀积和构图MIM电容器膜层。特定地，此方法包括提供包括布线层面的衬底，布线层面包括至少一个形成在电介质层中的导电互连；选择性除去电介质层的一部分以使电介质层低于至少一个导电互连的上表面；在至少一个导电互连和下凹的电介质层的上面形成电介质叠层；和在电介质叠层上面形成MIM电容器。MIM电容器包括一底板电极，一电介质层和一顶板电极。底板电极和顶板电极可以包括相同或不同的导电金属。
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公开(公告)号：CN103915377B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201410002071.5
申请日：2014-01-03
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/28 , H01L21/76802 , H01L21/76834 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/5227 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 公开了一种包括布置在集成电路(IC)的层内的一组隔离线结构的IC、制造IC的方法和设计结构。该方法包括：在同一水平层上形成相邻的布线结构，在所述相邻的布线结构之间存在间隔。该方法还包括：在同一水平层上的所述相邻的布线结构上方形成覆盖层，包括在所述相邻的布线结构之间的材料的表面上形成覆盖层。该方法还包括：在覆盖层上方形成感光材料。该方法还包括：在所述相邻的布线结构之间的感光材料中形成开口以露出覆盖层。该方法还包括：去除露出的覆盖层。
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公开(公告)号：CN102906009B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180025546.7
申请日：2011-06-08
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。
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公开(公告)号：CN104040684A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380004855.5
申请日：2013-01-03
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L23/5227 , H01L21/76883 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 用于制造后段制程(BEOL)布线结构的方法、BEOL布线结构(10)、以及用于BEOL布线结构的设计结构。可以通过在电介质层(18)中形成第一接线(44、45)并且在无氧环境中对第一接线退火而制造BEOL布线。在对第一接线退火之后，形成与第一接线竖直对准的第二接线(60、61)。形成包括诸如聚酰亚胺的有机材料的最终钝化层(74)，其覆盖第二接线的整个侧壁。
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公开(公告)号：CN103943604A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410028901.1
申请日：2014-01-22
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
CPC分类号： H05K1/11 , H01L21/76847 , H01L21/76877 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H05K3/40 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
摘要： 各种实施例包括互连结构以及形成这种结构的方法。互连结构可以包括复合铜线，所述复合铜线包括至少两个不同的铜部分。最上面的铜部分可以具有大约1微米或更小的厚度，这抑制最上面部分中的表面粗糙化，并且有助于增强与覆层的帽粘附。
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