公开(公告)号：CN111334212A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201911307193.4

申请日：2019-12-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  杉村敏正 ,  福井章洋

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/10 ,  C09J7/24 ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供适于在为了得到带有粘接薄膜的半导体芯片而使用带有切割带的粘接薄膜进行的扩展工序中产生良好的割断的粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法。对于本发明的粘接薄膜(10)，其损耗角正切在-20～20℃的范围具有第1峰顶、并且在20～60℃的范围具有第2峰顶。第2峰顶的值优选为2以上。另外，粘接薄膜(10)优选含有软化温度为70℃以上的热固化性树脂，优选含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂。粘接薄膜(10)的厚度例如为40～150μm。

公开(公告)号：CN109207077A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810725608.9

申请日：2018-07-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小坂尚史 ,  靏泽俊浩 ,  三木香 ,  木村雄大 ,  大西谦司 ,  高本尚英 ,  杉村敏正 ,  赤泽光治

IPC: C09J7/24 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  C09J7/245 ,  C09J2201/122 ,  C09J2423/046 ,  C09J2427/006 ,  H01L21/52 ,  H01L24/27

Abstract: 本发明提供切割带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法。提供在常温扩展时及之后不易发生带有芯片接合薄膜的半导体芯片的浮起的切割带及使用该切割带的切割芯片接合薄膜。一种切割带，其具有：基材、和层叠在前述基材上的粘合剂层，切割带的至少一个方向的、在23℃的温度条件下进行30％拉伸1000秒之后的应力松弛率为45％以上，前述至少一个方向的、在23℃的温度条件下进行30％拉伸1000秒之后的应力值为4MPa以下。

公开(公告)号：CN102222634B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201110099946.4

申请日：2011-04-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉 ,  杉村敏正

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/1467 ,  Y10T428/1471 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片连接至被粘物上的用于保护半导体元件背面的倒装芯片型半导体背面用膜和切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层，所述倒装芯片型半导体背面用膜形成于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层为放射线固化型压敏粘合剂层，其对于所述倒装芯片型半导体背面用膜的压敏粘合力通过放射线照射而降低。

公开(公告)号：CN103531675A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310269366.4

申请日：2013-06-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  松村健 ,  宇圆田大介

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L21/6836 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：在LED晶圆的基板的外侧形成反射层，所述LED晶圆包括所述基板和在所述基板的一面上的发光元件；以及在形成反射层之前，将耐热性压敏粘合片贴附到所述发光元件的外侧。

公开(公告)号：CN103531673A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310268247.7

申请日：2013-06-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  松村健 ,  宇圆田大介

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336

Abstract: 一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：背面研磨LED晶圆的基板，该LED晶圆包括发光元件和该基板；以及在背面研磨之前或者在背面研磨中研磨该基板之后，将保护片贴附到该LED晶圆。

公开(公告)号：CN102208366A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110076054.2

申请日：2011-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  西尾昭德 ,  木内一之

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种晶片的加工方法，在进行切割、其后拾取的工序中，将切割用表面保护片贴附于晶片表面，且与晶片一起切断，从而防止由切削碎屑等粉尘等的附着导致污染晶片表面，而且在切割工序之后，可以拾取芯片而不会在芯片上产生破裂、缺口。在将切割用表面保护片贴附于晶片表面、将其与上述晶片一起切断之后，给予该切割用表面保护片刺激，从而使芯片端部从切割胶带剥离，之后拾取芯片。

公开(公告)号：CN115368842A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210534982.7

申请日：2022-05-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  大西谦司 ,  木村雄大

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 提供切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。该切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有基材层及重叠于该基材层的粘合剂层；及重叠于该切割带的芯片接合片，该粘合剂层包含丙烯酸类共聚物，该丙烯酸类共聚物在分子中作为单体单元至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，该丙烯酸类共聚物中，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳‑碳双键，丙烯酸类共聚物中，相对于该(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份包含该含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下含有前述自由基聚合性碳‑碳双键。

公开(公告)号：CN114520180A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111355278.7

申请日：2021-11-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  吉田直子 ,  高本尚英 ,  杉村敏正 ,  中浦宏

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明涉及层叠薄膜以及半导体装置的制造方法。本发明的层叠薄膜层叠有间隔用粘接薄膜和切割带，所述间隔用粘接薄膜层叠有间隔层和粘接剂层，前述间隔层由树脂薄膜构成，该间隔层在温度260℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。

公开(公告)号：CN114520179A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111331477.4

申请日：2021-11-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 吉田直子 ,  木村雄大 ,  高本尚英 ,  杉村敏正 ,  中浦宏

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/25

Abstract: 本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：切割带、在该切割带的一面重叠的粘接层、以及在该粘接层上重叠的间隔层，在70℃以上且150℃以下的范围的加热设定温度下的前述间隔层的弯曲刚度为0.1N·mm2以上。

公开(公告)号：CN112143389A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010563428.2

申请日：2020-06-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  杉村敏正 ,  畠山义治 ,  吉田直子 ,  木村雄大

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割带和切割芯片接合薄膜。提供切割带等，其中，关于通过动态粘弹性测定而测得的储能模量E’与损耗模量E”之比(E”/E’)、即Tanδ，‑15℃下的Tanδ的值(A)相对于‑5℃下的Tanδ的值(B)的比(A/B)为0.75以上。