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公开(公告)号：CN104246614A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380021388.7
申请日：2013-02-22
申请人： 日产化学工业株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供抗蚀剂形状良好的极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物。于是，提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷A和水解性硅烷化合物b，所述聚硅氧烷A含有水解性硅烷a的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。还提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷B，所述聚硅氧烷B含有水解性硅烷a与水解性硅烷化合物b的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。聚硅氧烷(A)是四烷氧基硅烷和烷基三烷氧基硅烷和芳基三烷氧基硅烷的共水解缩合物。
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公开(公告)号：CN103718111A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280035516.9
申请日：2012-07-20
申请人： 日产化学工业株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , C08G79/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/31111 , H01L21/31138
摘要： 本发明提供用于形成在半导体装置的制造中使用的抗蚀剂下层膜等的薄膜形成用组合物。而且，提供能够使在极紫外光刻中不受欢迎的UV光在抵达抗蚀剂层前就被抗蚀剂上层存在的薄膜高效吸收的抗蚀剂上层膜、以及极紫外抗蚀剂用下层膜(硬掩模)、图案反转材料、溶剂显影用抗蚀剂的下层膜。本发明提供了一种在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是钛化合物(A)和硅化合物(B)的混合物，所述钛化合物(A)选自下述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体，所述硅化合物(B)以下述式(2)表示，相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50％～90％。ROaTi(R1)(4-a) 式(1)，R2a'R3bsi(R4)4-(a'+b)式(2)。
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公开(公告)号：CN107966879B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201711347297.9
申请日：2013-02-22
申请人： 日产化学工业株式会社
IPC分类号： G03F7/09 , H01L21/308 , G03F7/075 , C09D183/08 , C09D183/04 , C08K5/548 , C08K5/5455
摘要： 本发明的目的在于提供抗蚀剂形状良好的极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物。于是，提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷A和水解性硅烷化合物b，所述聚硅氧烷A含有水解性硅烷a的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。还提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷B，所述聚硅氧烷B含有水解性硅烷a与水解性硅烷化合物b的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。聚硅氧烷(A)是四烷氧基硅烷和烷基三烷氧基硅烷和芳基三烷氧基硅烷的共水解缩合物。
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公开(公告)号：CN105474103B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201480045733.5
申请日：2014-07-22
申请人： 日产化学工业株式会社
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/32 , H01L21/027
摘要： 本发明的课题是提供能够用于代替以往的冲洗液、涂布于抗蚀剂图案的涂布液。本发明的解决方法是一种涂布于抗蚀剂图案的涂布液，包含聚合物和溶剂，所述聚合物的重均分子量为500～3500，且具有下述式(1)所表示的结构单元和下述式(2)所表示的结构单元，所述溶剂以水作为主成分，式中，R1表示碳原子数1～8的有机基团。
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公开(公告)号：CN106715619B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580049091.0
申请日：2015-09-18
申请人： 日产化学工业株式会社
IPC分类号： C09D201/06 , C09D201/08 , C08F212/12 , C09D5/00 , C09D7/20 , C09D183/04 , G03F7/004 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/311
摘要： 本发明的课题在于提供一种新型的抗蚀剂图案被覆用涂布液。本发明涉及抗蚀剂图案被覆用涂布液以及使用该涂布液的抗蚀剂图案或反转图案的形成方法，所述抗蚀剂图案被覆用涂布液包含：A成分：含有至少1个羟基或羧基的聚合物；B成分：A‑SO3H(式中，A表示碳原子数1～16的直链状或支链状的烷基或氟代烷基、具有至少1个该烷基或氟代烷基作为取代基的芳香族基团、或可以具有取代基的碳原子数4～16的脂环式基团。)表示的磺酸；以及C成分：包含R1‑O‑R2及/或R1‑C(＝O)‑R2(式中，R1表示碳原子数3～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基，R2表示碳原子数1～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基。)表示的醚或酮化合物的、可溶解上述聚合物的有机溶剂。
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公开(公告)号：CN106030418B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580010173.4
申请日：2015-02-03
申请人： 日产化学工业株式会社
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/32 , H01L21/027 , C08G77/14
摘要： 本发明的课题是提供代替以往的冲洗液使用的、涂布于抗蚀剂图案的涂布液。本发明的解决方法是一种涂布于抗蚀剂图案的涂布液，含有聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1)所示的结构单元，所述溶剂含有水和/或醇类，(式(1)中，R1表示碳原子数为1～12的有机基团，X表示下述式(2)所示的有机基团。式(2)中，R2和R3分别独立地表示直链状或支链状的碳原子数为1～3的亚烷基，该R2与前述式(1)中的氧原子结合，R4表示碳原子数为1～4的烷氧基、烯丙氧基或羟基，p表示0、1或2。)。
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公开(公告)号：CN103718111B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201280035516.9
申请日：2012-07-20
申请人： 日产化学工业株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , C08G79/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/31111 , H01L21/31138
摘要： 本发明提供用于形成在半导体装置的制造中使用的抗蚀剂下层膜等的薄膜形成用组合物。而且，提供能够使在极紫外光刻中不受欢迎的UV光在抵达抗蚀剂层前就被抗蚀剂上层存在的薄膜高效吸收的抗蚀剂上层膜、以及极紫外抗蚀剂用下层膜(硬掩模)、图案反转材料、溶剂显影用抗蚀剂的下层膜。本发明提供了一种在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是钛化合物(A)和硅化合物(B)的混合物，所述钛化合物(A)选自下述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体，所述硅化合物(B)以下述式(2)表示，相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50％～90％。ROaTi(R1)(4‑a) 式(1)R2a'R3bsi(R4)4‑(a'+b) 式(2)。
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公开(公告)号：CN104380200A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380029266.2
申请日：2013-07-29
申请人： 日产化学工业株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
摘要： 本发明的课题是提供抗蚀剂形状良好的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的手段，涉及一种EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，还包含含有烃基的磺酸根离子与离子的盐。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，水解性有机硅烷包含选自式(1)：R1aSi(R2)4-a式(1)和式(2)：〔R3cSi(R4)3-c〕2Yb式(2)中的至少1种有机硅化合物、其水解物或其水解缩合物。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序；在该有机下层膜上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在上述抗蚀剂下层膜上涂布EUV抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将上述抗蚀剂膜进行EUV曝光的工序；在曝光后将抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序。
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