-
公开(公告)号：CN103168274A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050223.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F212/06 , C08G8/10 , H01L21/027
CPC classification number: C09D5/00 , C08F12/24 , C08G8/08 , C08G8/24 , C08L61/06 , C09D161/06 , G03F7/091 , G03F7/11 , C08F212/32 , C08F212/14 , C08F220/06
Abstract: 本发明的课题是提供不与EUV抗蚀剂混合、在EUV曝光时遮挡不优选的曝光光例如UV光和/或DUV光并仅选择性地透射EUV光、而且曝光后能用显影液显影的在EUV光刻工艺中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法是，包含主链或侧链含有萘环的树脂和溶剂的在EUV光刻工序中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，树脂中作为亲水性基团包含：羟基、羧基、磺基、或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团。
-
公开(公告)号：CN101884015B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200880118921.0
申请日：2008-12-09
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/22 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G59/226 , C08G59/38
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，由其形成的抗蚀剂下层膜的干蚀刻速度的选择比大，在ArF准分子激光之类的短波长下的k值和折射率n显示出希望的值，还显示出溶剂耐性。提供了一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其特征在于，含有线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链上具有含有芳香环的结构和含有氮原子的结构中的至少一种结构，所述芳香环或所述氮原子上直接连接有至少一个烷氧基烷基或羟基烷基。
-
公开(公告)号：CN101946210A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105915.6
申请日：2009-02-19
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G59/1455 , C08G63/20 , C08G63/42 , C08G63/668 , C08G63/6854
Abstract: 本发明的课题在于提供一种干蚀刻速度的选择比大、且ArF准分子激光那样的短波长下的k值和n值显示所期望的值的抗蚀剂下层膜形成用的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种抗蚀剂下层膜形成用的组合物，其含有下述聚合物和溶剂，所述聚合物是至少使用具有脂环式结构或脂肪族结构的四羧酸二酐和具有两个环氧基的二环氧化合物，与包括具有OH基的醇系化合物(其中具有2个以上的OH基的二醇等除外)的有机溶剂一起反应而获得的。
-
公开(公告)号：CN101821677A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111027.0
申请日：2008-10-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , H01L21/027
CPC classification number: C08G63/664 , C08G59/1438 , C08L63/00 , G03F7/091
Abstract: 本发明的目的在于提供用于形成干蚀刻速度的选择比大、且在诸如ArF准分子激光的短波长下的k值和折射率n显示期望值的抗蚀剂下层膜的组合物。该形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物包含线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链具有介由酯键和醚键引入了2，4-二羟基苯甲酸的单元结构。
-
公开(公告)号：CN106662819B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201580036571.3
申请日：2015-08-04
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/24 , C08G14/06 , C08G14/073 , C08G14/09
Abstract: 本发明的课题是提供一种光刻用抗蚀剂下层膜，其为了呈现良好的涂布成膜性而在抗蚀剂溶剂(光刻中使用的溶剂)中具有高溶解性，且具有比抗蚀剂小的干蚀刻速度选择比。本课题的解决方法是一种包含酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述酚醛清漆树脂含有通过芳香族化合物(A)的芳香环与含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)反应而得到的结构体(C)。芳香族化合物(A)是用于构成酚醛清漆树脂中包含的结构体(C)的成分。含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)用式(1)表示。含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)为2‑羟基苄醇、4‑羟基苄醇、或2,6‑二叔丁基‑4‑羟基甲基苯酚。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107077071B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201580055292.1
申请日：2015-10-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物具有下述特征：在高低差基板上的平坦化性能优异，向微细孔隙图案填埋的填埋性能良好，可使得成膜后的晶片表面平坦。其解决手段为包含含有下述式(1)表示的单元结构的聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。
-
公开(公告)号：CN105324720B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201480035763.8
申请日：2014-06-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q1表示单键或m1价的有机基团，R1和R4分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R2和R5分别表示氢原子或甲基，R3和R6分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。
-
公开(公告)号：CN104541205B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201380042336.8
申请日：2013-08-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C09D161/12 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C09D161/04 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有高干蚀刻耐性和高耐扭曲性，相对于高度差和凹凸部表现出良好的平坦化性和填埋性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过使以下化合物与芳香族醛或芳香族酮在酸性催化剂的存在下进行反应而得的苯酚酚醛清漆树脂，所述化合物具有与叔碳原子或季碳原子结合的苯酚基至少3个，所述季碳原子上结合有甲基。苯酚酚醛清漆树脂含有下述式(1)、式(2)、式(3)或式(4)的结构单元、或这些结构单元的组合。
-
公开(公告)号：CN106715619A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580049091.0
申请日：2015-09-18
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D201/00 , C08F212/12 , C09D5/00 , C09D7/00 , C09D183/04 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的抗蚀剂图案被覆用涂布液。本发明涉及抗蚀剂图案被覆用涂布液以及使用该涂布液的抗蚀剂图案或反转图案的形成方法，所述抗蚀剂图案被覆用涂布液包含：A成分：含有至少1个羟基或羧基的聚合物；B成分：A‑SO3H(式中，A表示碳原子数1～16的直链状或支链状的烷基或氟代烷基、具有至少1个该烷基或氟代烷基作为取代基的芳香族基团、或可以具有取代基的碳原子数4～16的脂环式基团。)表示的磺酸；以及C成分：包含R1‑O‑R2及/或R1‑C(＝O)‑R2(式中，R1表示碳原子数3～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基，R2表示碳原子数1～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基。)表示的醚或酮化合物的、可溶解上述聚合物的有机溶剂。
-
公开(公告)号：CN103415809B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201280012762.2
申请日：2012-03-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/09 , C08G59/1455 , C08G59/4223 , G03F7/11 , G03F7/38
Abstract: 本发明的课题是提供即使在形成膜厚20nm以下的薄膜的情况下，也可以形成没有缺陷的均匀的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的手段涉及一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)所示结构的聚合物、交联剂、用于促进交联反应的化合物以及有机溶剂。(式中，R1、R2以及R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烃基、或羟基，上述R1、R2以及R3中的至少1个为上述烃基，m以及n各自独立地表示0或1，在n表示1时上述聚合物的主链与亚甲基结合，在n表示0时上述聚合物的主链与由－O－表示的基团结合。)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
67
records
(took 0.033 seconds)
