公开(公告)号：CN101268562A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034699.7

申请日：2006-09-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 织地学 ,  龟井宏二 ,  三木久幸 ,  松濑朗浩

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明旨在提高Ⅲ族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的Ⅲ族氮化物半导体层，其中所述Ⅲ族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。

公开(公告)号：CN101213678A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680024176.4

申请日：2006-06-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  篠原裕直 ,  龟井宏二

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有为获得优良的光提取效率而配置的反射性正电极。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构，所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中设置在所述p型半导体层上的正电极是反射性正电极，所述反射性正电极包括透明材料层和形成在所述透明材料层上的反射性金属层。

公开(公告)号：CN100341115C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN01802460.2

申请日：2001-08-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 浦岛泰人 ,  奥山峰夫 ,  桜井哲朗 ,  三木久幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。

公开(公告)号：CN101019243A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580030870.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武田仁志 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L29/155 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的一个目的为提供一种在最上表面中产生很少龟裂和凹坑的具有优良平坦度的低电阻n型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构。本发明的n型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括含有高浓度n型杂质原子的层和含有低浓度n型杂质原子的层，所述第二n型层含有平均浓度低于所述第一n型层的n型杂质原子的平均浓度的n型杂质原子，所述第二n型层邻近所述第一n型层中的所述含有低浓度n型杂质原子的层。

公开(公告)号：CN102017082B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200980115352.9

申请日：2009-03-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  横山泰典

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的Ⅲ族氮化物半导体元件，是在基板(11)上至少层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)而构成的，该缓冲层(12)由AlN形成，该缓冲层(12)的a轴的晶格常数比大块状态下的AlN的a轴的晶格常数小。

公开(公告)号：CN102227826A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980147379.6

申请日：2009-11-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 三木久幸 ,  盐井恒介 ,  广崎尚登

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/08 ,  C09K11/64 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/80

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/761 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H05B33/14 ,  Y02B20/181 ,  Y10T428/2993 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及显示装置用照明装置等，所述显示装置用照明装置是包括基板和配置于基板上的多个白色发光装置的、作为液晶显示面板的背光源使用的装置，所述白色发光装置具有光源和由所述光源激励而发光的荧光体，作为所述荧光体，使用由通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n表示的组成的荧光材料。

公开(公告)号：CN101405876B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780009786.1

申请日：2007-03-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  酒井浩光

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/04 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供驱动电压低、且发光效率优越的双面电极型的III族氮化物半导体发光元件。这样的III族氮化物半导体发光元件是，其半导体叠层结构至少具备杂质层30和III族氮化物半导体层2，所述杂质层30含有高浓度层3b和低浓度层3a，所述高浓度层3b由含有高浓度杂质原子的III族氮化物半导体形成，所述低浓度层3a由含有比高浓度层3b浓度低的杂质原子的III族氮化物半导体形成，低浓度层3a与高浓度层3b依次在III族氮化物半导体层2上连续形成。

公开(公告)号：CN101971368A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108694.8

申请日：2009-03-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 冈部健彦 ,  平岩大介 ,  中田正人 ,  三木久幸 ,  福永修大 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光元件，具有基板(101)、形成于所述基板(101)上的包含发光层(105)的叠层半导体层(20)、在所述叠层半导体层(20)的上面形成的透光性电极(109)以及在所述透光性电极(109)上形成的接合层(110)和焊盘电极(107)，所述焊盘电极(107)由包含从透光性电极(109)侧依次层叠的金属反射层(107a)和连接层(107c)的叠层结构构成，所述金属反射层(107a)包含选自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一种金属或含有该金属的合金。

公开(公告)号：CN101925979A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200880125692.5

申请日：2008-11-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  三木久幸

IPC: H01L21/203 ,  C30B25/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的III族氮化物半导体的制造方法具有如下溅射工序：在配置有基板及含有Ga元素的靶材的腔室内，通过反应性溅射法在前述基板上形成单晶的III族氮化物半导体，所述溅射工序具有：第1溅射工序，使所述基板的温度为温度T1，进行前述III族氮化物半导体的成膜；第2溅射工序，将所述基板的温度降温至比前述温度T1低的温度T2，继续进行前述III族氮化物半导体的成膜。

公开(公告)号：CN101874306A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200880117594.7

申请日：2008-09-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供使用反应溅射法在基板上形成缓冲层，可在该缓冲层上生长结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯，所述III族氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石形成的基板(11)上层叠至少含有III族氮化物化合物的缓冲层(12)，并在该缓冲层(12)上顺次层叠n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成，缓冲层(12)是采用反应溅射法形成的，缓冲层(12)含有氧，且缓冲层(12)中的氧浓度为1原子％以下。