公开(公告)号：CN109844684B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN201780063303.X

申请日：2017-10-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  远藤秋男 ,  冢本洋介 ,  小山润

IPC: G06F1/16 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H10K50/00 ,  H05B33/02

Abstract: 提供一种包括大显示区域并提高可携带性的电子设备。此外，还提供提高可靠性的电子设备。本发明的一个方式是一种数据处理装置，包括第一薄膜及面板衬底，至少包括第一框体。面板衬底具有柔性并包括显示区域，第一薄膜具有柔性及可见光透过性。第一框体包括第一狭缝，面板衬底包括夹在第一薄膜和第二薄膜之间的区域，第一狭缝具有容纳该区域的功能，面板衬底和第一薄膜中任一个或两个能够沿着第一狭缝滑动。

公开(公告)号：CN111919128A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980021051.3

申请日：2019-03-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  千田章裕

IPC: G01R31/367 ,  H01M10/48 ,  H02J7/00

Abstract: 本发明提供一种即使二次电池发生劣化推测精度也高的二次电池的充电状态推测方法。另外，本发明提供一种在短时间内以低成本高精度地推测出SOC的二次电池的容量测量系统。使用神经网络以便进一步提高通过使用回归模型，例如卡尔曼滤波进行计算处理而获得的SOC的推测精度。在神经网络将通过最优化算法得到的数据用作监督数据，通过使用该神经网络而得的初期参数可以高精度地推测SOC。

公开(公告)号：CN111788492A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201980016772.5

申请日：2019-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥圭 ,  楠纮慈 ,  伊佐敏行 ,  千田章裕 ,  山内谅 ,  栗城和贵 ,  田岛亮太

IPC: G01R31/367 ,  G01R31/392 ,  H01M10/42 ,  H01M10/48 ,  H02J7/00 ,  G01R31/3842

Abstract: 提供一种不容易产生错误工作且能够高精度地进行异常检测的二次电池的控制方法。本发明是一种二次电池的充电状态推测装置，包括：产生电磁噪声的器件；测量与器件电连接的二次电池的电压值的第一检测单元；测量与器件电连接的二次电池的电流值的第二检测单元；从使用第一检测单元或第二检测单元得到的多个包括电磁噪声的数据抽出电磁噪声与驱动模式之间的因果关系，根据该因果关系进行数据校正的校正单元；以及根据数据校正后的数据使用回归模型算出充电率的运算单元。

公开(公告)号：CN111164822A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880046884.0

申请日：2018-07-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 长多刚 ,  千田章裕 ,  伊佐敏行 ,  栗城和贵

IPC: H01M10/44 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/786 ,  G01R31/387 ,  G01R31/389 ,  G01R31/396 ,  G01R31/367 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01M10/42 ,  H02J7/00

Abstract: 提供一种具有优良特性的蓄电系统。提供一种安全性高的蓄电系统。提供一种劣化小的蓄电系统。提供一种具有优良特性的蓄电池。本发明的一个方式是一种蓄电系统的工作方法，该蓄电系统包括蓄电池、具有测量阻抗的功能的第一电路及神经网络，蓄电系统的工作方法包括：停止蓄电池的充电或放电的第一步骤；测量蓄电池的开路电压的第二步骤；测量蓄电池的阻抗的第三步骤；所测量的开路电压及阻抗被输入到输入层的第四步骤；从输出层输出第一信号的第五步骤；根据第一信号改变蓄电池的充电或放电的条件的第六步骤；以及开始蓄电池的充电或放电的第七步骤，第一信号对应于蓄电池的放电容量的推测值。

公开(公告)号：CN102790075B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210298582.7

申请日：2008-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林聪 ,  川俣郁子 ,  大力浩二 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

公开(公告)号：CN102077354B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200980124788.4

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  神保安弘 ,  手塚祐朗 ,  大力浩二 ,  宫入秀和 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管包括在栅极绝缘层和源区及漏区之间且至少在源区及漏区一侧的作为缓冲层的具有氮或NH基的非晶半导体层。与其沟道形成区域中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的导通电流可提高。此外，与其沟道形成区域具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的截止电流可降低。

公开(公告)号：CN101527284B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN200910128517.8

申请日：2009-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  梅崎敦司

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  G02F1/1362

Abstract: 简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管，并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置：层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在其上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻形成薄膜叠层体；对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层；使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。

公开(公告)号：CN1825654B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200610005127.8

申请日：2006-01-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  青木智幸 ,  伊佐敏行 ,  藤井严

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: G04C10/02 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/048 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。

公开(公告)号：CN102007586A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113810.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 所公开的是一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在具有绝缘表面的衬底上包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；起沟道形成区域作用的半导体层；以及包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层。该半导体层以多个晶粒分散在非晶硅中且晶粒具有倒锥形或倒金字塔形的状态存在。晶粒沿半导体层沉积的方向大致放射状生长。倒锥形或倒金字塔形的晶粒的顶点远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面。

公开(公告)号：CN100565909C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610006625.4

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  藤井厳 ,  森末将文

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0023 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有结节的导电层邻接地形成为其间具有均匀的距离。排放导电层的微滴以在配线的长度方向上交错微滴的中心，使得排放微滴的中心在相邻导电层之间的线宽方向上不在同一线上。由于交错了微滴中心，所以各自具有最宽线宽(结节的最宽宽度)的导电层部分彼此不连接，且导电层邻接地形成为其间具有更短的距离。