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公开(公告)号：CN101523293A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037966.0
申请日：2007-09-25
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡斯SMT股份公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·班尼恩 , J·P·H·德卡斯特尔 , J·H·J·莫尔斯 , L·H·J·斯蒂文斯 , B·T·沃尔斯克里基恩 , Y·V·塞德尔尼科 , M·H·L·范德威尔登 , W·A·索尔 , K·杰里森 , T·斯蒂恩
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70925 , G03F7/7085 , G03F7/70908 , G03F7/70916
Abstract: 本发明公开一种光刻设备，其构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。该设备包括：第一辐射剂量探测器和第二辐射剂量探测器，每个探测器包括构造成接收辐射流和发射由于接收所述辐射流而产生的二次电子的二次电子发射表面，从辐射传播的方向看，所述第一辐射剂量探测器位于所述第二辐射剂量探测器的下游；和计量表，其连接到每个探测器，用以探测由来自各个电子发射表面的所述二次电子发射导致的电流或电压。
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公开(公告)号：CN102132213B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980132826.0
申请日：2009-07-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·A·索尔 , M·M·J·W·范赫彭 , M·J·J·杰克
CPC classification number: G03F7/70941 , G02B5/208 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G21K1/10
Abstract: 一种光谱纯度滤光片包括孔阑。光谱纯度滤光片被配置成通过配置成吸收第一波长的辐射和允许第二波长的辐射的至少一部分透射通过所述孔阑，来提高辐射束的光谱纯度。所述第一波长大于所述第二波长。光谱纯度滤光片可以用于改善极紫外(EUV)辐射束的光谱纯度。
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公开(公告)号：CN102150084B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN200980131716.2
申请日：2009-07-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J·J·杰克 , W·A·索尔 , M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·班尼恩 , A·M·雅库尼恩
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/702 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G21K1/10
Abstract: 一种光谱纯度滤光片，配置成允许极紫外(EUV)辐射透射通过其中并且折射或反射非极紫外伴随辐射。光谱纯度滤光片可以是源模块和/或光刻设备的一部分。
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公开(公告)号：CN102981201A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210518419.7
申请日：2009-02-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·A·索尔 , V·Y·班尼恩 , J·H·J·莫尔斯 , M·M·J·W·范赫彭 , A·M·亚库林
CPC classification number: G02B5/208 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/22 , G02B5/26 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
Abstract: 本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
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公开(公告)号：CN101911839B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200880124729.2
申请日：2008-12-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： V·Y·班尼恩 , M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
IPC: H05G2/00
Abstract: 一种辐射源，配置用以产生辐射。辐射源包括第一电极(11；61)和第二电极(12；62)，配置成用以在使用期间产生放电，以由等离子体燃料产生用于发射辐射的等离子体。辐射源还包括：燃料供给装置，配置成将等离子体燃料供给到与所述第一电极(11；61)和第二电极(12；62)相关的燃料释放区域；和燃料释放装置，配置成引发从所述燃料释放区域的(由所述燃料供给装置供给的)燃料的释放。所述燃料释放区域与所述第一电极(11；61)和所述第二电极(12；62)间隔分开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102289158A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110285866.8
申请日：2007-11-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·C·瓦森克 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊娃诺夫 , K·N·科什烈夫 , T·P·M·卡迪 , V·M·克里夫塔森 , D·J·W·克伦德尔 , M·M·J·W·范赫彭 , P·P·A·A·布洛姆 , W·A·索尔 , D·克拉什科夫
CPC classification number: G03F7/70933 , G03F7/70858 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/005
Abstract: 本发明公开了一种辐射系统和光刻设备，所述辐射系统用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在电极之间的等离子体中提供放电。辐射系统还包括用于捕获来自电极的碎片的碎片捕获遮蔽件。碎片捕获遮蔽件构造并配置成将电极和以相对于光学轴线的预定球面角提供的光的路线遮挡分开，并且在该光的路线中电极之间的中心区域提供孔。
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公开(公告)号：CN102165372A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137614.1
申请日：2009-08-26
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： W·A·索尔 , A·M·雅库尼恩 , M·J·J·杰克 , D·马修 , H·J·凯特拉里基 , F·C·范登荷尤维尔 , P·E·M·库基皮尔斯
CPC classification number: G03F7/7095 , B82Y10/00 , G02B5/208 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G21K1/10 , G21K2201/061
Abstract: 一种透射光谱纯度滤光片(100)，配置成透射极紫外辐射。光谱纯度滤光片(102F)包括滤光片部分(100)，所述滤光片部分(100)具有配置成透射极紫外辐射并抑制第二类型辐射的透射的多个孔(104)。每个孔(104)通过各向异性蚀刻工艺制造。
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公开(公告)号：CN101960338A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106463.3
申请日：2009-02-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·A·索尔 , V·Y·班尼恩 , J·H·J·莫尔斯 , M·M·J·W·范赫彭 , A·M·亚库林
CPC classification number: G02B5/208 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/22 , G02B5/26 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
Abstract: 一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
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公开(公告)号：CN101836263A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880108435.0
申请日：2008-09-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭斯 , V·Y·班尼恩 , W·A·索尔
CPC classification number: G21K1/10 , G02B5/203 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G21K1/06 , G21K2201/067
Abstract: 公开了一种光刻光谱杂质滤光片，该光刻光谱杂质滤光片包括沿着光轴布置位于依次的位置上的第一和第二滤光片元件。第一滤光片元件具有沿第一方向布置的狭缝。第二滤光片元件具有沿横向于第一方向的第二方向布置的狭缝。光谱滤光片被配置以通过反射第一波长的辐射和允许透射第二波长的辐射来改善辐射束的光谱纯度，所述第一波长大于第二波长。
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公开(公告)号：CN101611351A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200780046056.9
申请日：2007-11-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·C·瓦森克 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊娃诺夫 , K·N·科什烈夫 , T·P·M·卡迪 , V·M·克里夫塔森 , D·J·W·克伦德尔 , M·M·J·W·范赫彭 , P·P·A·A·布洛姆 , W·A·索尔 , D·克拉什科夫
CPC classification number: G03F7/70933 , G03F7/70858 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/005
Abstract: 本发明公开了一种辐射系统，用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在电极之间的等离子体中提供放电。辐射系统还包括用于捕获来自电极的碎片的碎片捕获遮蔽件。碎片捕获遮蔽件构造并配置成将电极和以相对于光学轴线的预定球面角提供的光的路线遮挡分开，并且在该光的路线中电极之间的中心区域提供孔。
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