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公开(公告)号：CN1926918B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200580006382.8
申请日：2005-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04R19/016 , B81B2201/0257 , B81C1/00944 , B81C2201/112 , H04R19/005
Abstract: 驻极体电容器包括：具有由上部电极构成的导电膜118的固定膜110，具有下部电极104及由驻极体膜构成的氧化硅膜105的振动膜112，以及具有在固定膜110与振动膜112之间形成且具有空气隙109的氧化硅膜108。固定膜110及振动膜112的露出在空气隙109的部分分别由氮化硅膜106及114所构成。
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公开(公告)号：CN102067433A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123728.0
申请日：2009-06-25
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B81B3/0051 , B81B2201/042 , B81C2201/112 , B81C2203/0118 , B81C2203/031 , G02B26/0841 , H02N1/006 , Y10T403/32557
Abstract: 本发明提供一种半导体机械结构体，即使从外部施加冲击，合叶也不会破损，提高了耐冲击性。光扫描反射镜1具备：可动板2、分别将一端部与可动板2的两个侧部连接而构成可动板2的1个摆动轴的一对合叶3、以包围可动板2的周围的方式配置并支承各合叶3的另一端部的固定框架4、形成于固定框架4中的挡块部6。当可动板2向侧方发生位移时，挡块部6即与可动板2的凹部2e的侧缘部接触，限制可动板2向侧方的位移。这样，即使从外部施加冲击，也可以防止合叶3的破损。
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公开(公告)号：CN101528590A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780039752.7
申请日：2007-09-10
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0096 , B81B3/0005 , B81C2201/112 , B81C2203/0109 , B81C2203/031
Abstract: 本发明建议了一种带有基底和功能元件的微机械的构件，其中该功能元件具有带有至少局部涂覆的，用于减小表面黏附力的不粘层的功能表面，其中此外该不粘层相对于超过800℃的温度是稳定的。
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公开(公告)号：CN101174024A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710146906.4
申请日：2007-08-24
Applicant: 视频有限公司
Inventor： 潘小河
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B3/0005 , B81C2201/112
Abstract: 本发明提供了一种用于制造微结构的方法，包括：在衬底上形成第一结构部分；在第一结构部分上配置牺牲材料；在牺牲材料和衬底上淀积一层第一结构材料；除去牺牲材料的至少一部分，以在第一结构材料层中形成第二结构部分；以及在第二结构部分的表面或第一结构部分的表面上形成碳层，用于阻止在第二结构部分和第一结构部分之间的粘着。其中第二结构部分和衬底相连接，并可在第一位置和第二位置之间运动，在第一位置上，第二结构部分和第一结构部分分离，在第二位置上，第二结构部分和第一结构部分接触。
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公开(公告)号：CN107381496A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710242800.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2207/012 , B81C2201/112 , B81C2201/115 , B81B7/02 , B81B7/0032 , B81B7/0077 , B81C1/00912
Abstract: 本发明提供了一种用于高质量抗粘滞的具有粗糙度的微机电系统（MEMS）封装件。在支撑器件上方布置器件衬底。器件衬底包括具有粗糙的下表面的可移动元件并且可移动元件布置在腔体内。在支撑器件和器件衬底之间布置介电层。介电层横向围绕腔体。抗粘滞层衬里可移动元件的下表面。本发明也提供了一种用于制造微机电系统(MEMS)封装件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107176587A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201611039292.5
申请日：2016-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B7/0051 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81C1/00246 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2201/112 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C1/00261
Abstract: 本发明涉及一种制造微机电系统MEMS装置的方法，该方法包含：在衬底上方沉积绝缘材料；在所述绝缘材料的第一组层中形成导电通路；及在所述绝缘材料的第二组层中形成金属结构。所述第一组层与所述第二组层交替地交错。提供虚拟绝缘层作为所述第一组层的最上部层。蚀刻所述第一组层及所述第二组层的部分以在所述绝缘材料中形成空隙区域。在所述绝缘材料的顶部表面上及其中形成导电垫。利用囊封结构密封所述空隙区域。所述囊封结构的至少一部分横向邻近所述虚拟绝缘层，且位于所述导电垫的顶部表面上面。执行蚀刻以移除所述虚拟绝缘层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN105800543A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201510458907.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B2207/015 , B81C2201/019 , B81C2201/112 , B81C2203/0785
Abstract: 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中，用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上，并且包括非晶碳、聚四氟乙烯、氧化铪、氧化钽、氧化锆或它们的组合。
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公开(公告)号：CN105102371A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480007653.0
申请日：2014-01-15
Applicant: 皮克斯特隆尼斯有限公司
Inventor： 哈维尔·维拉里尔 , 蒂莫西·J·布罗斯尼汉 , 贾斯珀·洛德维克·斯泰恩 , 理查德·S·佩恩 , 斯蒂芬·R·刘易斯
CPC classification number: G02B26/02 , B81B3/007 , B81B2201/045 , B81B2203/0163 , B81B2203/051 , B81C2201/053 , B81C2201/112 , G02B26/023 , G09G3/22
Abstract: 本发明提供用于快门组合件的相对较薄且不太硬的顺应性梁的系统、方法及设备。在将所述快门组合件从牺牲模具释放之前在所述快门组合件之上沉积保护涂层并图案化所述保护涂层，所述快门组合件形成于所述牺牲模具之上。因为所述顺应性梁的一些主要表面接触所述牺牲模具，所以这些主要表面并未涂布有所述保护涂层。因此，当最后释放所述快门组合件时，所述所得顺应性梁相对较薄且不太硬，从而提供用以操作所述快门组合件的致动电压的减小。在一些情况下，在释放之前将所述保护涂层图案化成不连续片段。
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公开(公告)号：CN102530851B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110082943.X
申请日：2011-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B32B7/12 , B32B15/043 , B32B15/20 , B32B2255/24 , B32B2307/746 , B32B2457/00 , B81B3/0005 , B81C2201/112 , Y10T428/12674 , Y10T428/12708 , Y10T428/12736 , Y10T428/12986
Abstract: 本发明公开了不含有抗粘附层的接合和接合方法。示例性的方法包括形成第一接合层；形成位于第一接合层上方的隔层；形成位于隔层上方的抗粘附层；以及从第一接合层和隔层形成液体，使得抗粘附层在所述第一接合层上方漂浮。当抗粘附层在第一接合层上方漂浮时可以将第二接合层接合到第一接合层，使得第一接合层和第二接合层之间的接合不包括抗粘附层。
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公开(公告)号：CN104291266A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410331842.5
申请日：2014-07-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B3/0005 , B81C2201/112
Abstract: 提供了一个用于通过使用源自在制造期间使用的基于TEOS的氧化硅牺牲膜形成近似均匀的碳化硅层来减小微机电系统MEMS器件中的粘滞的机制。通过将TEOS用作碳源来形成抗粘滞涂层，所有的硅表面可以被涂覆，包括那些使用标准的自组装单层(SAM)工艺难以涂覆的位置(例如，位于检测质量块下面的位置)。受控处理参数，例如用于退火的温度、时间长度等等，提供了先前工艺未提供的近似均匀的碳化硅涂层。
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